光子集成电路、光检测和测距系统及用于操作光子集成电路、光检测和测距系统的方法与流程

摄影电影;光学设备的制造及其处理,应用技术光子集成电路、光检测和测距系统及用于操作光子集成电路、光检测和测距系统的方法(多个)相关申请1.本技术要求于2019年12月27日提交的美国临时专利申请62/954,012的优先权，该申请的内容通过引用其整体结合于此。技术领域2.本公开的各个方面总体上涉及光检测和测距系统领域。背景技术：3.由于光检测和测距(lidar)固有的抗光干扰能力以及用于既检测到目标的距离又检测到目标的距离速率(目标的相对速度)的能力，光检测和测距(lidar)的相干性对于自主交通工具而言是所期望的。尽管存在这些属性，相干lidar系统仍然必须提供远距离检测能力(》200米)和高数据速率(》1m像素/秒)，以及高光学分辨率(》100垂直像素)，以便在商业上可行。不幸地，相干lidar的性能受到检测过程中飞行时间(tof)限制和散斑引起的波动(swerling ii)目标效应的负面影响。4.tof限制约束了由有限的光速所施加的相干lidar系统的数据速率和对解决多普勒模糊性的多个啁啾的需要。例如，对于300米的最大距离而言，单个光通道(激光束)的数据速率被限制为0.25m像素/秒。由于散斑，目标在相干lidar系统中会出现波动，并且高概率检测所需的信噪比(snr)可以比非波动目标大10db以上。在不进行缓解的情况下，与非相干系统相比，10db snr惩罚将使相干lidar的检测距离减少3倍。5.缓解散斑以及重新获得相干lidar的测距性能的关键在于，在视场的每次扫描期间对每个场景像素获得多次测量，并且然后非相干地整合它们以缓解目标的波动。缺点在于，数据速率进一步降低2倍或更多，这取决于要整合的测量的数量。6.对于相干lidar而言，光子集成电路(pic)由于可能具有低成本和对高容量的可扩展性因此是所期望的。然而，由于pic限制(尺寸、产量、成本)，垂直通道(分辨率元素)的数量是有限的(大约10个)并且不容易扩展。附图说明7.在附图中，贯穿不同的视图，相同的附图标记一般指代相同部分。这些附图不一定是按比例的，而是一般着重于说明本发明的原理。在以下描述中，参照下面的附图描述本发明的各方面，其中：图1图示出根据各方面的光子集成电路的示意图；图2图示出根据各方面的光检测和测距系统；图3图示出根据各方面的光检测和测距系统；图4图示出根据各方面的光检测和测距系统；图5图示出根据各方面的操作光检测和测距系统的方法的流程图；以及图6图示出根据各个方面的具有集成于其中的光检测和测距系统的交通工具的示意图。具体实施方式8.以下详细描述中对附图进行参考，附图通过图示的方式示出了可在其中实施本发明的具体细节和方面。9.在本技术中使用词“示例性”来意指“充当示例、实例或说明”。在本技术中被描述为“示例性”的任何方面或设计不一定被解释为相对于其它方面或设计为优选的或有优势的。10.图1图示出根据各方面的光子集成电路(pic)100的示意图。光子集成电路100可包括半导体光子衬底102，该半导体光子衬底102具有集成于其中的至少一个光接收输入端104和至少一个分光器106，用以将在至少一个光接收输入端104处接收到的光120分支118到第一光路140-1和第二光路140-2。11.光子集成电路100可以包括进一步的光路140-n，其中n是有理数。换句话说，光子集成电路100可包括像第一光路140-1和第二光路140-2那样配置的相等或类似的多个光路140-n。因此，作为示例，可以提供并行操作的多个(》10个)垂直光通道。因此，可以启用高(》1m像素/秒)的整体数据速率或有效数据速率。增加垂直分辨率元素的pic通道的数量(或通过使用更少或更小的pic来降低成本)是容易扩展的。在硅pic上实现的相干lidar将(唯一地)实现客户对自主交通工具应用所要求的高性能和价格。12.半导体光子衬底102可以由半导体材料(例如硅)制成。例如，至少对于多个光路而言，半导体光子衬底102可以是共同的衬底。术语“在其中集成的”可以理解为由衬底的材料形成，并且因此，可以与其中元件在衬底的顶部上形成、被布置在衬底的顶部上或被定位在衬底的顶部上的情况不同。13.光子集成电路100在第一光路140-1中可包括：至少一个第一放大器结构108，用于对第一光路140-1中的(例如直接或间接来自至少一个分光器106的)光118进行放大以提供第一经放大的光116；至少一个第一光输出端114，用于输出来自至少一个第一放大器结构108的第一经放大的光116；以及至少一个第一光电检测器112，用于接收来自光子集成电路100外部的光122。至少一个第一光电检测器112可被定位在至少一个第一光输出端114附近，例如被集成在共同的半导体光子衬底102中。光子集成电路100在第二光路140-2中可包括：至少一个第二放大器结构108，用于对第二光路140-2中的(例如直接或间接来自至少一个分光器106的)光118进行放大以提供第二经放大的光116；至少一个第二光输出端114，用于输出来自至少一个第二放大器结构108的第二经放大的光116；以及至少一个第二光电检测器112，用于接收来自光子集成电路100外部的光122。至少一个第二光电检测器112可被定位在至少一个第二光输出端114附近，例如被集成在共同的半导体光子衬底102中。14.在各个方面，“定位在……附近”可以解释为形成在同一(共同)半导体光子衬底102中或形成在同一(共同)半导体光子衬底102上。15.至少一个第一光输出端114和至少一个第一光电检测器112可被布置在光子集成电路100的同一侧。替代地或另外，至少一个第二光输出端114和至少一个第二光电检测器112可被布置在光子集成电路100的同一侧。16.至少一个第一光电检测器112可以包括第一光电二极管。替代地或另外，至少一个第二光电检测器112可以包括第二光电二极管。17.光子集成电路100在第一光路140-1中可包括至少一个第一波导结构124。替代地或另外，第二光路140-2可包括至少一个第二波导结构124。波导结构124可以是条形线或微条形线的形式。然而，波导结构124也可以是平面波导。波导结构124可以被配置成用于将从耦合至输入端104的光源发出的电磁辐射引导至输出端114。波导结构124可以由半导体光子衬底102的材料形成。在第一光路140-1中，光子集成电路可包括至少一个第一波导结构124，并且在第二光路140-2中可包括可被光学隔离的至少一个第二波导结构124。第一波导结构124和第二波导结构124可以彼此光学隔离。至少一个第一波导结构124可由半导体光子衬底102形成。替代地或另外，至少一个第二波导结构124可以由半导体光子衬底102形成。18.光子集成电路100在第一光路140-1中可包括至少一个分光器110，用以将从至少一个光接收输入端104接收到的光116分支到至少一个第一光电检测器112和第一光输出端114。替代地或另外，第二光路140-2中可包括至少一个分光器110，用以将从至少一个光接收输入端104接收到的光116分支到至少一个第二光电检测器112和第二光输出端114。19.光接收输入端104可以包括光学耦合器，该光学耦合器被配置成将半导体光子衬底外部的电磁辐射源(例如外部电磁辐射源)与至少一个分光器光学互连。20.第一光路140-1的至少一个第一光电检测器112和/或第二光路140-2的至少一个第二光电检测器112是单独光电检测器112。不同光路的光电检测器112可以彼此光学隔离和/或可以是彼此独立可寻址的。换句话说，不同光路的光电检测器112可被配置成用于彼此独立地检测来自pic 100外部的光。21.光子集成电路100在第一光路140-1中可包括至少一个经平衡的光电检测器对(在图4中图示出)。替代地或另外，第二光路140-2可包括至少一个经平衡的光电检测器对。光电检测器对可用于降低电子噪声对检测到的信号的影响。22.第一放大器结构108可包括半导体光放大器108(soa)和/或第二放大器结构108可以包括半导体光放大器108(soa)。23.在各个方面中，光子集成电路100可以包括(不同的光路的)共同的半导体光子衬底102上的多个波导结构124，以及在同一半导体光子衬底102上的多个光电检测器112。多个波导结构124中的每个波导结构124可以耦合至多个光电检测器112中的至少一个光电检测器112，使得耦合至不同波导结构124的光电检测器112可以是彼此独立可寻址的。换句话说，多个光路140-n的光电检测器112可以是单独的光电检测器112。24.至少一个分光器106可被配置成用于将在至少一个光接收输入端104处接收到的光分支到多个光路140-n。在多个光路140-n中的每个光路中，光子集成电路100可包括：至少一个放大器结构108，用于将光路中的光进行放大以提供经放大的光116；至少一个光输出端114，用于输出来自光子集成电路100的经放大的光116；以及至少一个光电检测器112，用于接收来自光子集成电路100外部的光122，该至少一个光电检测器112被定位在至少一个光输出端114附近。25.在各方面，光子集成电路100可包括半导体光子衬底102，该半导体光子衬底102具有集成于其中的至少一个光接收输入端104；至少一个分光器106，用于将在至少一个光接收输入端104处接收到的光118分支到多个波导结构124。半导体光子衬底102进一步具有集成于其中的多个光电检测器112。多个波导结构124中的每个波导结构124均耦合至多个光电检测器112中的至少一个光电检测器。半导体光子衬底102进一步具有集成于其中的、光学地耦合至多个波导结构124的至少一个光输出结构。该光输出结构被配置成用于将来自多个波导结构124的光122输出到光子集成电路100外部。连接至波导结构124中的至少一个波导结构的每个光电检测器112通过波导结构124和光输出结构接收来自光子集成电路100外部的光。光输出结构可以包括多个光输出端114。26.图2图示出根据各方面的光检测和测距系统200的示意图。光检测和测距系统200可包括如上所述的例如具有多个波导结构124的光子集成电路100；以及多个光学光电检测器112；其中多个波导结构124中的每个波导结构124可被配置成用于输出来自光子集成电路100的光116，并且其中光学光电检测器112中的每个光学光电检测器可被配置成用于接收来自光子集成电路100外部的光122，光电检测器112被定位在相关联的光输出端114附近。27.光检测和测距系统200可以包括电磁辐射源202(也表示为光源202)，电磁辐射源202向pic 100的输入端104提供电磁辐射120。光源202可以被形成或被集成在半导体光子衬底102中。替代地，光源202可以在pic 100外部，但光学地耦合至输入端104。光源202可以被配置成用于发射不同频率的电磁辐射。以此方式，通过在pic 100/pic 100的波导结构124中使用空间上平行的光通道的波长复用，减轻了由于波动的目标和tof限制引起的不利影响，由此使得能够实现具有高光学分辨率、高数据速率、和长距离检测的相干lidar。以下更详细地描述光源202。28.光检测和测距系统200可以进一步包括光栅结构206，该光栅结构206被光学地布置成用于将来自多个波导结构124的/来自pic 100的输出端114的光引导至光检测和测距系统200外部以及将来自光检测和测距系统200外部的光引导至多个光学光电检测器112。通过使用多(m)波长激光源202和衍射光栅作为光栅结构206，对于给定的pic 100而言，lidar通道的数量可以增加m倍，以实现所期望的高数量(》100)的垂直分辨率元素或像素。因此，实现了高性能的相干lidar系统200。29.电磁辐射(例如可见光、红外辐射、太赫兹辐射或微波辐射)可以通过光栅结构206和/或透镜结构204(例如同时)被发射到目标210的不同部分，如下文更详细地描述。以此方式，pic 100的输出端114发出的光116对目标的不同部分(不是同一个像素)和/或不同目标同时进行采样。因此，从目标210反射并由不同光路140-1/2/n的光电检测器122检测到的光122包含同时与目标的不同部分(不是同一个像素)和/或不同目标相关的信息。换句话说，来自多个光路140-n的光由光栅206发射到空间的不同方向。光122从目标210处被反射回，并且在与光122之前被发射的光路相同的光路上从目标210接收。以此方式，所发射的光116与目标210的信息之间的映射被实现。作为示例，光检测和测距系统200的采样率以及由此的分辨率可以被增加，同时至少维持或减少噪声影响。30.换句话说，光检测和测距系统200可包括光子集成电路100，该光子集成电路100具有半导体光子衬底102，该半导体光子衬底102具有集成于其中的至少一个光接收输入端104；至少一个分光器110，用于将在至少一个光接收输入端104处接收到的光分支到多个光路140-n和多个光路140-n。在多个光路140-n中的每个光路中，光子集成电路100可包括：至少一个放大器结构108，用于将光路中的光118进行放大以提供经放大的光116；至少一个光输出端114，用于输出来自光子集成电路100的经放大的光116；以及至少一个光电检测器112，用于检测和/或接收来自光子集成电路100外部的光122。接收自光子集成电路100外部的光122可以通过输出端114传递到光电检测器112。至少一个光电检测器112可被定位在至少一个光输出端114附近，被定位例如在同一衬底上、由同一衬底形成或集成在同一衬底中。在多个光路140-n的每个光路中，光子集成电路100可被配置成用于将来自光路的光输出到光子集成电路100外部，并且光学光电检测器112中的每一个可以被配置成用于检测和/或接收来自光子集成电路100外部的光122。光检测和测距系统200可以进一步包括光栅结构206，该光栅结构206被光学地布置成用于将来自多个波导结构124的输出端的光引导至光检测和测距系统200外部以及将来自光检测和测距系统200外部的光引导至多个光学光电检测器112。31.在各个方面，至少一个光接收输入104可以光学地耦合至多个光路140-n的多个波导结构124。至少一个光源202可耦合到至少一个光接收输入端104。至少一个光源202可被配置成用于向多个波导结构124提供相干电磁辐射120，例如可见光光谱、红外光谱、太赫兹光谱和/或微波光谱中的激光辐射。光源202可以被配置成用作连续波(cw)激光器(例如对于其中输入到输入端104的光116的频率被扫描或被线性调频(chirp)的调频连续波(fmcw)lidar而言)和/或脉冲激光器(例如对于tof lidar而言)操作。然而，光源202也可以是cw激光器，例如以脉冲模式操作的cw激光二极管，例如准cw(qcw)激光器。32.在各个方面中，pic可包括控制器212，控制器212被配置成用于控制各种电子组件。作为示例，控制器212可以是专用集成电路(asic)。控制器212可以由半导体光子衬底102形成、被集成在半导体光子衬底102中或安装到半导体光子衬底102上。然而，在各个方面中，控制器212也可以位于pic 100外部。33.在各个方面中，光检测和测距系统200的控制器212(参见图1作为示例)可被配置成用于控制光源202以通过光子集成电路100的第一光路140-1向光检测和测距系统200外部发射第一电磁辐射(也表示为第一波长或波长带的光)，以及通过光子集成电路100的第二光路140-2向光检测和测距系统200外部发射第二电磁辐射(也表示为第一波长或波长带的光)。控制器212可进一步被配置成使得第一光电检测器112检测通过光子集成电路100的第一光路140-1接收自光检测和测距系统200外部的第一所接收的电磁辐射122，并且第二光电检测器112检测通过光子集成电路100的第二光路140-2接收自光检测和测距系统200外部的第二电磁辐射122。34.控制器212可进一步被配置成用于确定第一电磁辐射116的频率与第一所接收的电磁辐射122的频率之间的频率差，并且用于确定第二电磁辐射116的频率与第二所接收的电磁辐射122的频率之间的频率差。35.控制器212可进一步被配置成用于确定第一电磁辐射116的发射时序与第一所接收的电磁辐射122的检测时序之间的时间差，并且用于确定第二电磁辐射116的发射时序与所接收的电磁辐射122的检测时序之间的时间差。36.控制器212可进一步被配置成用于控制光源202，使得光源202同时发射第一电磁辐射和第二电磁辐射。第一电磁辐射和第二电磁辐射可具有相同的频率。替代地，第一电磁辐射可以具有第一频率，并且第二电磁辐射可以具有与第一频率不同的第二频率。37.控制器212可进一步被配置成用于控制光源202，使得光源202通过光子集成电路100的第一光路140-1向光检测和测距系统200外部发射第三电磁辐射和/或通过光子集成电路100的第二光路140-2向光检测和测距系统200外部发射第四电磁辐射；以及用于控制第一光电检测器112以检测通过光子集成电路100的第一光路140-1接收自光检测和测距系统200外部的第三所接收的电磁辐射并且用于控制第二光电检测器112以检测通过光子集成电路100的第二光路140-2接收自光检测和测距系统200外部的第四电磁辐射；其中，第一电磁辐射和第三电磁辐射可以彼此不同和/或第二电磁辐射和第四电磁辐射可以彼此不同。38.图3图示出根据各方面的光检测和测距系统200在操作期间的示意图。在各个方面中，至少一个光源202可以被配置成用于发射至少第一波长带120-a(也被表示为第一波长)的电磁辐射120，并且用于发射至少第二波长带120-b(也被表示为第二波长)的电磁辐射120。第一波长带120-a可以与第二波长带120-b不同。作为示例，第一波长带120-a和第二波长带120-b可以不重叠。39.在各个方面中，至少一个光源202可以包括至少第一激光二极管和第二激光二极管，第一激光二极管被配置成用于发射第一波长带120-a的电磁辐射120，第二激光二极管被配置成用于发射第二波长带120-b的电磁辐射120。替代地或附加地，至少一个光源202可以是单个光电二极管，例如具有可调谐光谱的激光二极管和/或发射不同波长带的光，例如发射第一波长带120-a和第二波长带120-b的电磁辐射120。40.光检测和测距系统200可进一步包括被布置在光栅结构206与光子集成电路100之间的光路中的会聚透镜204。会聚透镜204可被配置成用于通过光栅结构206将光子集成电路100的多个光路140-n的光引导至光检测和测距系统200外部的不同方向(θ1、θ2、θn)。换句话说，会聚透镜204可被配置成和/或可以被提供成使得来自第一光路140-1和第二光路140-2和/或多个光路140-n的输出端114的光在(平面)光栅结构206上具有不同的倾斜角度。然而，会聚透镜204和光栅结构206的功能也可以在各个方面中被集成在单个光学元件中。两个元件204、206的目的可以是将来自光路的输出端114的平行光同时发射到空间中的不同方向，并且接收并检测与光116之前被发射的光路相同的光路的光电检测器中从目标210被反射回的光122。光栅结构206可被配置成用于以第一角度(图3中的θa)引导或重定向第一波长120-a的电磁辐射，并以第二角度(图5中的θb)引导或重定向第二波长120-b的电磁辐射。因此，第一、第二或第n个光路140-1/2/n(参见图1)的所发射的光116-1/2/n或所接收的光122-1/2/n可以取决于光的波长(频率)120-a/120b而从空间中的不同方向发射和接收(在图3中由θ1/2/na/b表示)。作为示例，具有第一光路(140-1)的第一波长120-a的光116-1、122-1可以通过θ1a的角度从光栅结构206引导(例如衍射)至自由空间中的目标上，而具有第n个光路(140-n)的第一波长120-a的光116-n、122-n可以通过θna的角度从光栅结构206引导(例如衍射)至自由空间中的目标。在此，θ1a和θna可以是不同的。41.在图3中，光检测和测距系统200以线性方式被图示出，其中透镜204被图示为会聚透镜204，并且光栅结构206被图示为折射光栅。然而，pic或至少pic的输出端114、透镜204和光栅结构206可以作为堆栈中的层垂直地布置在彼此上方。作为示例，光栅结构206可以被配置为衍射光栅。42.在各个方面中，第一波长120-a的光和第二波长120-b的光可以同时被发射(例如，光路可以被复用)或连续地被发射。作为示例，在等待第一波长122-1的光在光电检测器处被接收的时间段内，第二波长120-b的光可能被发射。43.在各个方面中，使用由多个光路140-n发射到空间θ1/2/n中的不同方向的(相同波长的)光和/或使用被发射到空间θa/b中的不同方向的不同波长的光可以实现在同一时刻对目标的不同部分或自由空间进行扫描、感测或采样，并且因此，允许增加光检测和测距系统200的分辨率。44.图4图示出根据各方面的光检测和测距系统200的示意图。具有pic100的光检测和测距系统200可以根据上述方面来形成。光检测和测距系统200可以进一步包括光栅结构206与光检测和测距系统200外部之间的光路中的扫描镜404。光检测和测距可以进一步包括在光栅结构206与扫描镜404和/或光检测和测距系统200外部之间的光路中的四分之一波片402。45.如图4中进一步所图示，光检测和测距系统200可以包括多个光源(也被表示为(相干)电磁辐射源)，每个光源被配置成用于发射具有与其他光源的波长/频率不同的波长/频率的电磁辐射。替代地或另外，光检测和测距系统200可以包括被配置成用于发射不同/多个波长/频率的电磁辐射的一个或多个光源。单个光源的多个波长/频率中的波长/频率可以由光学滤波器(例如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器或陷波滤波器)来选择。46.在图4中进一步图示出的是从至少一个输入端104到多个输出端114的光路的分支。分支可以通过多个光放大器(例如soa)、多个分光器和多个波导结构(在图4中被图示为实线)来实现。47.在图4中进一步图示出的是在光路中分别使用经平衡的光电检测器对作为光电检测器112。48.在图4中进一步图示出的是使用通过输出端114发射的光的一部分分别作为光路中的光电检测器112的输入信号。在此，输入信号可被用作局部振荡器(lo)，以用于确定经发射的光与所接收的光之间的差异。这样，在每个光路的所接收的光中可以单独地考虑所发射的光的时间波动。49.图5图示出根据各个方面的操作光检测和测距系统200的方法500的流程图。方法500可包括：通过光子集成电路100的第一光路140-1向光检测和测距系统200外部发射第一电磁辐射(502)，并且通过光子集成电路100的第二光路140-2向光检测和测距系统200外部发射第二电磁辐射(504)；以及由第一光电检测器112检测通过光子集成电路100的第一光路140-1接收自光检测和测距系统200外部的第一所接收的电磁辐射(506)并且由第二光电检测器112检测通过光子集成电路100的第二光路140-2接收自光检测和测距系统200外部的第二电磁辐射(508)。50.方法500可包括用于确定第一电磁辐射的频率与第一所接收的电磁辐射的频率之间的频率差，以及用于确定第二电磁辐射的频率与第二所接收的电磁辐射的频率之间的频率差。51.方法500可包括用于确定第一电磁辐射的发射时序与第一所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差，以及用于确定第二电磁辐射的发射时序与所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差。52.方法500可包括用于同时发射第一电磁辐射和第二电磁辐射。53.第一电磁辐射和第二电磁辐射具有相同的频率。54.第一电磁辐射可以具有第一频率，并且第二电磁辐射可以具有与第一频率不同的第二频率。55.方法500可包括用于通过光子集成电路100的第一光路140-1向光检测和测距系统200外部发射第三电磁辐射和/或通过光子集成电路100的第二光路140-2向光检测和测距系统200外部发射第四电磁辐射；以及用于由第一光电检测器112检测通过光子集成电路100的第一光路140-1接收自光检测和测距系统200外部的第三所接收的电磁辐射以及用于由第二光电检测器112检测通过光子集成电路100的第二光路140-2接收自光检测和测距系统200外部的第四电磁辐射；其中，第一电磁辐射和第三电磁辐射可以彼此不同和/或第二电磁辐射和第四电磁辐射可以彼此不同。56.图6图示出根据各个方面的具有集成于其中的光检测和测距(lidar)系统200的交通工具600的示意图。交通工具600可以是无人驾驶交通工具，例如，无人驾驶飞行器或无人驾驶汽车。该交通工具600可以是自主交通工具。在此，lidar系统200可用于控制交通工具的行进方向。替代地或附加地，交通工具可能需要驾驶员来控制交通工具600的行进方向。在此，lidar系统200可以是驾驶助手。作为示例，lidar系统200可以被配置成用于障碍物检测，例如，确定交通工具600外部的障碍物(目标210)的距离和/或方向以及相对速度。57.对于一个或多个方面而言，前述图中的一个或多个图中所阐述的组件中的至少一个组件可以被配置成用于执行下面的示例部分中所阐述的一个或多个操作、技术、过程和/或方法。例如，如上文结合前述图中的一个或多个图描述的基带电路可以被配置成用于根据下面阐述的示例中的一个或多个示例进行操作。对于另一个示例而言，如上文结合前述图中的一个或多个图所描述的与ue、基站、网络元件等相关联的电路可以被配置成用于根据下面在示例部分中阐述的示例中的一个或多个示例进行操作。58.示例59.本文阐述的示例是说明性的而不是穷尽性的。60.示例1是一种光子集成电路，包括半导体光子衬底，该半导体光子衬底具有集成于其中的至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路；其中，光子集成电路在第一光路中包括：至少一个第一放大器结构，用于对第一光路中的光进行放大以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自至少一个第一放大器结构的第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第一光电检测器被定位在至少一个第一光输出端附近；其中，光子集成电路在第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对第二光路中的光进行放大以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自至少一个第二放大器结构的第二经放大的光；以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，该至少一个第二光电检测器被定位在至少一个第二光输出端附近。61.在示例2中，示例1的主题可任选地包括，半导体光子衬底由半导体材料制成。62.在示例3中，示例1或2的主题可任选地包括，半导体光子衬底由硅制成。63.在示例4中，示例1至3中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一光输出端和至少一个第一光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上；和/或可任选地包括，至少一个第二光输出端和至少一个第二光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上。64.在示例5中，示例1至4中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一光电检测器包括第一光电二极管；和/或可任选地包括，至少一个第二光电检测器包括第二光电二极管。65.在示例6中，示例1至5中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构；和/或可任选地包括，光子集成电路在第二光路中包括至少一个第二波导结构。66.在示例7中，示例1至6中任一项的主题可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第一光电检测器和第一光输出端；和/或可任选地包括，光子集成电路在第二光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第二光电检测器和第二光输出端。67.在示例8中，示例1至7中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构，并且光子集成电路在第二光路中包括光学隔离的至少一个第二波导结构。68.在示例9中，示例8的主题可任选地包括，第一波导结构和第二波导结构彼此光学隔离。69.在示例10中，示例8或9中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一波导结构由半导体光子衬底形成；和/或可任选地包括，至少一个第二波导结构由半导体光子衬底形成。70.在示例11中，示例1至10中任一项的主题可任选地包括，光接收输入端包括光耦合器，该光耦合器被配置成用于将半导体光子衬底外部的电磁辐射源与至少一个分光器光学互连。71.在示例12中，示例1至11中任一项的主题可任选地包括，第一光路的至少一个第一光电检测器和/或第二光路的至少一个第二光电检测器是单独的光电检测器。72.在示例13中，示例1至12中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对；和/或可任选地包括，光子集成电路在第二光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对。73.在示例14中，示例1至13中任一项的主题可任选地包括，第一放大器结构包括半导体光放大器和/或可任选地包括，第二放大器结构包括半导体光放大器。74.在示例15中，示例1至14中任一项的主题可任选地包括在共同的半导体光子衬底上的多个波导结构，以及在同一半导体光子衬底上的多个光电检测器，其中多个波导结构中的每个波导结构耦合至多个光电检测器中的至少一个光电检测器，使得耦合至不同波导结构的光电检测器是彼此独立可寻址的。75.在示例16中，示例1至15中任一项的主题可任选地包括，至少一个分光器，该至少一个分光器被配置成用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到多个光路，其中多个光路中的每个光路包括至少一个放大器结构，用于对光路中的光进行放大以提供经放大的光；至少一个光输出端，用于输出来自光子集成电路的经放大的光；以及至少一个光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，该至少一个光电检测器被定位在该至少一个光输出端附近。76.在示例17中，示例1至16中任一项的主题可任选地包括多个光路的光电检测器是单独的光电检测器。77.在示例18中，示例1至17中任一项的主题任选地包括至少一个电磁辐射源，该至少一个电磁辐射源耦合至至少一个光接收输入端并且被配置成用于发射某一频率或频带的电磁辐射。78.在示例19中，示例1至17中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源被配置成用于发射至少一个相干电磁辐射。79.在示例20中，示例18或19中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源被形成或被集成在半导体光子衬底中。80.在示例21中，示例18或19中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源是在半导体光子衬底外部。81.在示例22中，示例18至21中任一项的主题可任选地包括至少另一电磁辐射源，该至少另一电磁辐射源耦合至至少一个光接收输入端并且被配置成用于发射另一频率或另一频带的另一电磁辐射。82.在示例23中，示例18至22中任一项的主题任选地包括，电磁辐射源被配置成用于发射至少第一频率或第一频带和第二频率或第二频带的电磁辐射。83.在示例24中，示例23的主题可任选地包括，第一波长或波长带与第二波长或波长带不重叠。84.示例25是一种光检测和测距系统，包括半导体光子衬底，该半导体光子衬底具有集成于其中的以下各项：至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路。第一光路包括：至少一个第一放大器结构，用于对第一光路中的光进行放大，以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自至少一个第一放大器结构的第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第一光电检测器被定位在至少一个第一光输出端附近。光子集成电路在第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对第二光路中的光进行放大，以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自至少一个第二放大器结构的第二经放大的光；以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第二光电检测器被定位在至少一个第二光输出端附近。光检测和测距系统进一步包括至少一个电磁辐射源，该电磁辐射源耦合至至少一个光接收输入端并被配置成用于发射电磁辐射；以及光栅结构，该光栅结构被光学地布置成用于将来自多个光路的输出端的光引导至光检测和测距系统外部并且将来自光检测和测距系统外部的光引导至多个光学光电检测器。85.在示例26中，示例25的主题可任选地包括，电磁辐射源被配置成用作连续波激光器和/或脉冲激光器操作。86.在示例27中，示例25或26的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源被配置成用于发射至少第一波长带和与第一波长带不同的第二波长带的电磁辐射。87.在示例28中，示例25至27中任一项的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源至少包括被配置成用于发射第一波长带的电磁辐射的第一激光二极管和被配置成用于发射第二波长带的电磁辐射的第二激光二极管。88.在示例29中，示例25至28中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源被形成或被集成在半导体光子衬底中。89.在示例30中，示例25至28中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源是在半导体光子衬底外部。90.在示例31中，示例25至30中任一项的主题可任选地进一步包括至少另一电磁辐射源，该至少另一电磁辐射源耦合至至少一光接收输入端并且被配置成用于发射另一频率或另一频带的另一电磁辐射。91.在示例32中，示例25至31中任一项的主题任选地进一步包括，电磁辐射源被配置成用于发射至少第一频率或第一频带和第二频率或第二频带的电磁辐射。92.在示例33中，示例32的主题可任选地包括，第一波长或波长带与第二波长或波长带不重叠。93.在示例34中，示例25到33中的任一项的主题可任选地包括，该光栅结构是衍射光栅或折射光栅。94.在示例35中，示例25至34中任一项的主题可任选地进一步包括会聚透镜，该会聚透镜被布置在光栅结构与光子集成电路之间的第一光路和第二光路中。95.在示例36中，示例35的主题可任选地包括，会聚透镜被配置成用于通过光栅结构将光子集成电路的第一光路和第二光路的光引导至光检测和测距系统外部的不同方向。96.在示例37中，示例25至36中任一项的主题可任选地包括，该半导体光子衬底由半导体材料制成。97.在示例38中，示例25至37中任一项的主题可任选地包括，该半导体光子衬底由硅制成。98.在示例39中，示例25至38中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一光输出端和至少一个第一光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上；和/或可任选地包括，至少一个第二光输出端和至少一个第二光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上。99.在示例40中，示例25至39中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一光电检测器包括第一光电二极管；和/或至少一个第二光电检测器包括第二光电二极管。100.在示例41中，示例25至40中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个第二波导结构。101.在示例42中，示例25至41中任一项的主题可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第一光电检测器和第一光输出端；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第二光电检测器和第二光输出端。102.在示例43中，示例25至42中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构，并且光子集成电路在第二光路中包括光学隔离的至少一个第二波导结构。103.在示例44中，示例43的主题可任选地包括，第一波导结构和第二波导结构彼此光学隔离。104.在示例45中，示例25至44中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一波导结构由半导体光子衬底形成；和/或至少一个第二波导结构由半导体光子衬底形成。105.在示例46中，示例25至45中任一项的主题可任选地包括，光接收输入端包括光耦合器，该光耦合器被配置成用于将半导体光子衬底外部的电磁辐射源与至少一个分光器光学互连。106.在示例47中，示例25至46中任一项的主题可任选地包括，第一光路的至少一个第一光电检测器和/或第二光路的至少一个第二光电检测器是单独的光电检测器。107.在示例48中，示例25至47中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对。108.在示例49中，示例25至48中任一项的主题可任选地包括，第一放大器结构包括半导体光放大器和/或第二放大器结构包括半导体光放大器。109.在示例50中，示例25至49中任一项的主题可任选地包括第一光路和第二光路的光电检测器是单独的光电检测器。110.在示例51中，示例25至50中任一项的主题可任选地进一步包括在光栅结构与光检测和测距系统外部之间的光路中的扫描镜。111.在示例52中，示例25至51中任一项的主题可任选地进一步包括在光栅结构与扫描镜之间的光路中的四分之一波片。112.在示例53中，示例25至52中任一项的主题可任选地进一步包括控制器，该控制器被配置成用于控制电磁辐射源以：通过光子集成电路的第一光路向光检测和测距系统外部发射第一电磁辐射并且通过光子集成电路的第二光路向光检测和测距系统外部发射第二电磁辐射；并且控制第一光电检测器以检测通过光子集成电路的第一光路接收自光检测和测距系统外部的第一所接收的电磁辐射，以及113.控制第二光电检测器以检测通过光子集成电路的第二光路接收自光检测和测距系统外部的第二电磁辐射。114.在示例54中，示例53的主题，控制器可任选地进一步被配置成用于确定第一电磁辐射的频率与第一所接收的电磁辐射的频率之间的频率差，并且确定第二电磁辐射的频率和第二所接收的电磁辐射的频率之间的频率差。115.在示例55中，示例53或54中任一项的主题，控制器可任选地进一步被配置成用于确定第一电磁辐射的发射时序与第一所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差，以及确定第二电磁辐射的发射时序与所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差。116.在示例56中，示例53至55中任一项的主题可任选地进一步包括，控制器进一步被配置成用于控制电磁辐射源以同时发射第一电磁辐射和第二电磁辐射。117.在示例57中，示例53至56中任一项的主题可任选地包括，第一电磁辐射和第二电磁辐射具有相同的频率。118.在示例58中，示例53至56中任一项的主题可任选地包括，第一电磁辐射具有第一频率，并且第二电磁辐射具有与第一频率不同的第二频率。119.在示例59中，示例25至58中任一项的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源被配置成用于发射至少第一频率或第一频带的第一电磁辐射，并且：可任选地包括该至少一个电磁辐射源进一步被配置成用于发射第二频率或第二频带的第二电磁辐射，或者进一步包括第二电磁辐射源，该第二电磁辐射源耦合到至少一个光接收输入端的，并被配置成用于发射第二频率或第二频带的第二电磁辐射；进一步包括控制器，该控制器被配置成用于控制(多个)电磁辐射源通过光子集成电路的第一光路和/或第二光路向光检测和测距系统外部发射第一电磁辐射并且通过光子集成电路的第一光路和/或第二光路向光检测和测距系统外部发射第二电磁辐射；以及被配置成用于控制第一光电检测器和/或第二光电检测器以检测通过光子集成电路的第一光路和第二光路接收自光检测和测距系统外部的第一所接收的电磁辐射和/或第二所接收的电磁辐射。120.在示例60中，示例44至50中任一项的主题可任选地包括，光检测和测距系统是lidar系统。121.示例61是一种包括光检测和测距(lidar)系统的交通工具。光检测和测距(lidar)系统包括半导体光子衬底，该半导体光子衬底具有集成于其中的以下各项：至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路。第一光路包括：至少一个第一放大器结构，用于对第一光路中的光进行放大，以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自至少一个第一放大器结构的第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第一光电检测器被定位在至少一个第一光输出端附近。光子集成电路在第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对第二光路中的光进行放大，以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自至少一个第二放大器结构的第二经放大的光；以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第二光电检测器被定位在至少一个第二光输出端附近。光检测和测距系统进一步包括至少一个电磁辐射源，该电磁辐射源耦合至至少一个光接收输入端并被配置成用于发射电磁辐射；以及光栅结构，该光栅结构被光学地布置成用于将来自多个光路的输出端的光引导至光检测和测距系统外部并且将来自光检测和测距系统外部的光引导至多个光学光电检测器。122.在示例62中，示例61的主题可任选地包括，交通工具是无人驾驶交通工具。123.在示例63中，示例61或62的主题可任选地包括，交通工具是无人驾驶飞行器。124.在示例63中，示例61或62的主题可任选地包括，交通工具是汽车。125.在示例64中，示例61至63中任一项的主题可任选地包括该交通工具为自主交通工具。126.在示例65中，示例61至63中任一项的主题可任选地包括，lidar系统被配置成用于交通工具外部的障碍物检测。127.在示例66中，示例61至65中任一项的主题可任选地包括，电磁辐射源被配置成用作连续波激光器和/或脉冲激光器操作。128.在示例67中，示例61至66的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源被配置成用于发射至少第一波长带和与第一波长带不同的第二波长带的电磁辐射。129.在示例68中，示例61至67中任一项的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源至少包括被配置成用于发射第一波长带的电磁辐射的第一激光二极管和被配置成用于发射第二波长带的电磁辐射的第二激光二极管。130.在示例69中，示例61至68中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源被形成或被集成在半导体光子衬底中。131.在示例70中，示例61至68中任一项的主题可任选地包括该电磁辐射源是在半导体光子衬底外部。132.在示例71中，示例61至70中任一项的主题，进一步包括至少另一电磁辐射源，该至少另一电磁辐射源耦合至至少一光接收输入端并且被配置成用于发射另一频率或另一频带的另一电磁辐射。133.在示例72中，示例61至71中任一项的主题进一步包括可任选地包括，电磁辐射源被配置成用于发射至少第一频率或第一频带和第二频率或第二频带的电磁辐射。134.在示例73中，示例72的主题可任选地包括，第一波长或波长带与第二波长或波长带不重叠。135.在示例74中，示例61到73中的任一项的主题可任选地包括，该光栅结构是衍射光栅或折射光栅。136.在示例75中，示例61至74中任一项的主题可任选地进一步包括会聚透镜，该会聚透镜被布置在光栅结构与光子集成电路之间的第一光路和第二光路中。137.在示例76中，示例75的主题可任选地包括，会聚透镜被配置成用于通过光栅结构将光子集成电路的第一光路和第二光路的光引导至光检测和测距系统外部的不同方向。138.在示例77中，示例61至76中任一项的主题可任选地包括，该半导体光子衬底由半导体材料制成。139.在示例78中，示例61至77中任一项的主题可任选地包括，该半导体光子衬底由硅制成。140.在示例79中，示例61至78的主题可任选地包括，至少一个第一光输出端和至少一个第一光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上；和/或可任选地包括，至少一个第二光输出端和至少一个第二光电检测器被布置在光子集成电路的同一侧上。141.在示例80中，示例61至79中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一光电检测器包括第一光电二极管；和/或至少一个第二光电检测器包括第二光电二极管。142.在示例81中，示例61至80中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个第二波导结构。143.在示例82中，示例61至81中任一项的主题可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第一光电检测器和第一光输出端；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个分光器，用于将从至少一个光接收输入端接收到的光分支到至少一个第二光电检测器和第二光输出端。144.在示例83中，示例61至82中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个第一波导结构，并且光子集成电路在第二光路中包括光学隔离的至少一个第二波导结构。145.在示例84中，示例83的主题可任选地包括，第一波导结构和第二波导结构彼此光学隔离。146.在示例85中，示例61至84中任一项的主题可任选地包括，至少一个第一波导结构由半导体光子衬底形成；和/或至少一个第二波导结构由半导体光子衬底形成。147.在示例86中，示例61至85中任一项的主题可任选地包括，光接收输入端包括光耦合器，该光耦合器被配置成用于将半导体光子衬底外部的电磁辐射源与至少一个分光器光学互连。148.在示例87中，示例61至86中任一项的主题可任选地包括，第一光路的至少一个第一光电检测器和/或第二光路的至少一个第二光电检测器是单独的光电检测器。149.在示例88中，示例61至87中任一项的主题，可任选地包括，光子集成电路在第一光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对；和/或光子集成电路在第二光路中包括至少一个经平衡的光电检测器对。150.在示例89中，示例61至88中任一项的主题可任选地包括，第一放大器结构包括半导体光放大器和/或第二放大器结构包括半导体光放大器。151.在示例90中，示例61至89中任一项的主题可任选地包括第一光路和第二光路的光电检测器是单独的光电检测器。152.在示例91中，示例61至90中任一项的主题可任选地进一步包括在光栅结构与光检测和测距系统外部之间的光路中的扫描镜。153.在示例92中，示例61至91中任一项的主题可任选地进一步包括在光栅结构与扫描镜之间的光路中的四分之一波片。154.在示例93中，示例61至92中任一项的主题进一步包括控制器，该控制器被配置成用于控制电磁辐射源以：通过光子集成电路的第一光路向光检测和测距系统外部发射第一电磁辐射并且通过光子集成电路的第二光路向光检测和测距系统外部发射第二电磁辐射；以及控制第一光电检测器以检测通过光子集成电路的第一光路接收自光检测和测距系统外部的第一所接收的电磁辐射，并且控制第一光电检测器以检测通过光子集成电路的第一光路从光检测和测距系统外部接收的第一电磁辐射，以及控制第二光电检测器以检测通过光子集成电路的第二光路接收自光检测和测距系统外部的第二电磁辐射。155.在示例94中，示例93的主题可任选地包括，控制器进一步被配置成用于确定第一电磁辐射的频率与第一所接收的电磁辐射的频率之间的频率差，以及确定第二电磁辐射的频率和第二所接收的电磁辐射的频率之间的频率差。156.在示例95中，示例93或94中任一项的主题可任选地包括，控制器进一步被配置成用于确定第一电磁辐射的发射时序与第一所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差，以及确定第二电磁辐射的发射时序与所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差。157.在示例96中，示例93至95中任一项的主题可任选地包括，控制器进一步被配置成用于控制电磁辐射源以同时发射第一电磁辐射和第二电磁辐射。158.在示例97中，示例93至96中任一项的主题可任选地包括，第一电磁辐射和第二电磁辐射具有相同的频率。159.在示例98中，示例93至96中任一项的主题可任选地包括，第一电磁辐射具有第一频率，并且第二电磁辐射具有与第一频率不同的第二频率。160.在示例99中，示例61至98中任一项的主题可任选地包括，至少一个电磁辐射源被配置成用于发射至少第一频率或第一频带的第一电磁辐射，并且：可任选地包括该至少一个电磁辐射源进一步被配置成用于发射第二频率或第二频带的第二电磁辐射，或者进一步包括第二电磁辐射源，该第二电磁辐射源耦合到至少一个光接收输入端的，并被配置成用于发射第二频率或第二频带的第二电磁辐射；进一步包括控制器，该控制器被配置成用于控制(多个)电磁辐射源通过光子集成电路的第一光路和/或第二光路向光检测和测距系统外部发射第一电磁辐射并且通过光子集成电路的第一光路和/或第二光路向光检测和测距系统外部发射第二电磁辐射；并且被配置成用于控制第一光电检测器和/或第二光电检测器以检测通过光子集成电路的第一光路和第二光路接收自光检测和测距系统外部的第一所接收的电磁辐射和/或第二所接收的电磁辐射。161.示例100是一种用于操作光检测和测距系统的方法。光检测和测距系统包括半导体光子衬底，该半导体光子衬底具有集成于其中的以下各项：至少一个光接收输入端；至少一个分光器，用于将在至少一个光接收输入端处接收到的光分支到第一光路和第二光路。第一光路包括：至少一个第一放大器结构，用于对第一光路中的光进行放大，以提供第一经放大的光；至少一个第一光输出端，用于输出来自至少一个第一放大器结构的第一经放大的光；以及至少一个第一光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第一光电检测器被定位在至少一个第一光输出端附近。光子集成电路在第二光路中包括：至少一个第二放大器结构，用于对第二光路中的光进行放大，以提供第二经放大的光；至少一个第二光输出端，用于输出来自至少一个第二放大器结构的第二经放大的光；以及至少一个第二光电检测器，用于接收来自光子集成电路外部的光，至少一个第二光电检测器被定位在至少一个第二光输出端附近。光检测和测距系统进一步包括至少一个电磁辐射源，该电磁辐射源耦合至至少一个光接收输入端并被配置成用于发射电磁辐射；以及光栅结构，该光栅结构被光学地布置成用于将来自多个光路的输出端的光引导至光检测和测距系统外部并且将来自光检测和测距系统外部的光引导至多个光学光电检测器。该方法包括通过光子集成电路的第一光路向光检测和测距系统外部发射第一电磁辐射，并且通过光子集成电路的第二光路向光检测和测距系统外部发射第二电磁辐射；以及由第一光电检测器检测通过光子集成电路的第一光路接收自光检测和测距系统外部的第一所接收的电磁辐射，并且由第二光电检测器检测通过光子集成电路的第二光路接收自光检测和测距系统外部的第二电磁辐射。162.在示例101中，示例100的主题可任选地进一步包括确定第一电磁辐射的频率与第一所接收的电磁辐射的频率之间的频率差，以及确定第二电磁辐射的频率和第二所接收的电磁辐射的频率之间的频率差。163.在示例102中，示例100的主题可任选地进一步包括164.确定第一电磁辐射的发射时序与第一所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差，以及确定第二电磁辐射的发射时序与所接收的电磁辐射的检测时序之间的时间差。165.在示例103中，示例100至102中任一项的主题可任选地进一步包括同时发射第一电磁辐射和第二电磁辐射。166.在示例104中，示例100至103中任一项的主题可任选地进一步包括可任选地包括第一电磁辐射和第二电磁辐射具有相同的频率。167.在示例105中，示例100至104中任一项的主题可任选地进一步包括可任选地包括，第一电磁辐射具有第一频率，并且第二电磁辐射具有与第一频率不同的第二频率。168.示例106中，示例100至105中任一项的主题可任选地进一步包括：通过光子集成电路的第一光路向光检测和测距系统外部发射第三电磁辐射和/或通过光子集成电路的第二光路向光检测和测距系统外部发射第四电磁辐射；以及由第一光电检测器检测通过光子集成电路的第一光路接收自光检测和测距系统外部的第三所接收的电磁辐射并且用于由第二光电检测器检测通过光子集成电路的第二光路接收自光检测和测距系统外部的第四电磁辐射；其中，第一电磁辐射和第三电磁辐射彼此不同和/或第二电磁辐射和第四电磁辐射彼此不同。169.除非以其他方式明确陈述，否则上述示例中的任一示例可与任何其他示例(或示例的组合)组合。一个或多个实现方式的前述描述提供了说明和描述，但并不旨在是穷举的且不旨在将各方面的范围限制于所公开的精确形式。根据以上教导，修改和变型是可能的，或者可从各方面的实施获取。除非以其他方式明确陈述，否则上述示例中的任一示例可与任何其他示例(或示例的组合)组合。一个或多个实现方式的前述描述提供了说明和描述，但并不旨在是穷举的且不旨在将各方面的范围限制于所公开的精确形式。根据以上教导，修改和变型是可能的，或者可从各方面的实施获取。170.虽然已经参照具体方面具体地示出和描述了本发明，但本领域技术人员应当理解，可对本发明作出形式上和细节上的各种变化而不背离如所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。因此，本发明的范围由所附权利要求表示并且因此旨在涵盖落在权利要求的等效含义和范围内的所有变化。









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