表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板的制作方法

电解或电泳工艺的制造及其应用技术1.本发明涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板。背景技术：2.覆铜积层板被广泛用于可挠性印刷配线板等各种用途中。该可挠性印刷配线板通过以下方法制造：对覆铜积层板的铜箔进行蚀刻而形成导体图案(亦称为“配线图案”)，并利用焊料将电子零件连接安装于导体图案上。3.近年来，于电脑、移动终端等电子机器中，随着通信的高速化及大容量化，电气信号的高频化不断发展，需要一种能够应对这种趋势的可挠性印刷配线板。尤其是电气信号的频率越高则信号功率的损耗(衰减)越大，越容易变得无法读取数据，因此要求降低信号功率的损耗。4.电子线路中的信号功率损耗(传输损耗)主要可分为两种。一种是导体损耗，即由铜箔所导致的损耗，另一种是介电损耗，即由树脂基材所导致的损耗。5.导体损耗于高频区域具有集肤效应，并且电流具有流经导体表面的特性，因此如果铜箔表面粗糙，则意味着会导致电流沿着复杂的路径流动。因此，为了减少高频信号的导体损耗，理想的是降低铜箔的表面粗糙度。以下，于本说明书中仅记载为“传输损耗”及“导体损耗”时，主要是指“高频信号的传输损耗”及“高频信号的导体损耗”。6.另一方面，由于介电损耗取决于树脂基材的种类，理想的是于流通高频信号的电路基板中使用由低介电常数材料(例如液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺)形成的树脂基材。又，介电损耗还受使铜箔与树脂基材之间粘合的粘合剂影响，因此理想的是不使用粘合剂地使铜箔与树脂基材之间粘合。7.对此，为了不使用粘合剂地使铜箔与树脂基材之间粘合，提出于铜箔的至少一面形成表面处理层的方法。例如，于专利文献1中提出一种于铜箔上设置由粗化粒子形成的粗化处理层，并于最表层形成硅烷偶联处理层的方法。8.背景技术文献9.专利文献10.专利文献1：日本特开2012-112009号公报。技术实现要素：11.[发明所欲解决的课题][0012]粗化处理层虽然可通过粗化粒子的锚定效应提高铜箔与树脂基材间的粘合性，但存在因集肤效应而加大导体损耗的情形，因此理想的是减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子。另一方面，若减少电沉积于铜箔表面的粗化粒子，粗化粒子的锚定效应便会降低，从而无法充分获得铜箔与树脂基材的粘合性。尤其是相较于以往的树脂基材而言，由液晶聚合物、低介电常数聚酰亚胺等低介电常数材料形成的树脂基材难以与铜箔粘合，故期望开发出提高铜箔与树脂基材间的粘合性的方法。[0013]又，硅烷偶联处理层虽然具有提高铜箔与树脂基材间的粘合性的效果，但根据其种类有时提高粘合性的效果并不充分。[0014]本发明的实施方案是为了解决如上所述的问题而完成的，其目的在于提供一种表面处理铜箔，其可提高与树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材的粘合性。[0015]又，本发明的实施方案的目的在于提供一种覆铜积层板，其树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的粘合性优异。[0016]进而，本发明的实施方案的目的在于提供一种印刷配线板，其树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与电路图案之间的粘合性优异。[0017][解决课题的技术手段][0018]本发明人为了解决上述问题而对表面处理铜箔进行了潜心研究，其结果发现于表面处理层的表面粗糙度的各种指标中，将突出谷部与中心部分离的负载面积率smr2与表面处理铜箔与树脂基材间的粘合性密切相关，基于以上见解，通过将smr2控制在特定范围内，可提高表面处理铜箔与树脂基材间的粘合性，从而完成本发明的实施方案。[0019]即，本发明的实施方案涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层，将上述表面处理层的突出谷部与中心部分离的负载面积率smr2为91～96％。[0020]又，本发明的实施方案涉及一种覆铜积层板，其具备上述表面处理铜箔及与上述表面处理铜箔的表面处理层粘合的树脂基材。[0021]进而，本发明的实施方案涉及一种印刷配线板，其具备对上述覆铜积层板的上述表面处理铜箔进行蚀刻所形成的电路图案。[0022][发明的效果][0023]根据本发明的实施方案，可提供一种表面处理铜箔，其能够提高与树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材的粘合性。[0024]又，根据本发明的实施方案，可提供一种覆铜积层板，其树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的粘合性优异。[0025]进而，根据本发明的实施方案，可提供一种印刷配线板，其树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与电路图案之间的粘合性优异。附图说明[0026][图1]是于铜箔的一面具有粗化处理层的表面处理铜箔的截面示意图。[0027][图2]是实施例1及比较例1的表面处理铜箔的表面处理层的sem照片。具体实施方式[0028]以下，对本发明的优选的实施方案具体地进行说明，但本发明并不受这些限定地解释，可于不脱离本发明的主旨的范围内，基于本领域技术人员的知识而进行各种变更、改良等。以下的实施方案中所揭示的多个构成要素可通过适当地组合而形成各种发明。例如，可从以下的实施方案所示的全部构成要素中删除几个构成要素。[0029]本发明的实施方案的表面处理铜箔具有铜箔及形成于铜箔的至少一面的表面处理层。即，表面处理铜箔的表面处理层可仅形成于铜箔的一面，亦可形成于铜箔的两面。又，于表面处理层形成于铜箔的两面的情形时，表面处理层的种类可相同，亦可不同。[0030]将表面处理层的突出谷部与中心部分离的负载面积率smr2为91～96％。[0031]此处，将突出谷部与中心部分离的负载面积率smr2表示位于中心部下方的突出谷部的比率，突出谷部的比率越小则smr2的值越大。smr2依据iso 25178进行测定。于表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材的情形时，表面处理层的突出谷部的比率越大，则形成表面处理层的粒子(例如粗化粒子)较小的部分越多和/或无该粒子的部分的面积越大，因此无法充分发挥锚定效应。对此，通过将表面处理层的smr2设为91％以上(减少突出谷部的比率)，可提高锚定效应。其结果，表面处理铜箔与树脂基材的粘合力变高。另一方面，通过将表面处理层的smr2设为96％以下，可抑制由集肤效应所导致的传输损耗的增大。[0032]将表面处理层的突出峰部与中心部分离的负载面积率smr1优选为16～28％。[0033]此处，将突出峰部与中心部分离的负载面积率smr1表示位于中心部上方的突出峰部的比率，突出峰部的比率越大则smr1的值越大。smr1依据iso 25178进行测定。于表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材的情形时，若表面处理层的突出峰部的比率较小，则树脂基材从表面处理层剥离时的力(以下称为“剥离力”)会集中于中心部的表面。对此，通过将表面处理层的smr1设为16％以上(增大突出峰部的比率)，由于突出峰部的存在而能够容易使剥离力朝向突出峰部的高度方向分散。其结果，表面处理铜箔与树脂基材的粘合力变高。另一方面，通过将表面处理层的smr1设为28％以下，可抑制由集肤效应所导致的传输损耗的增大。[0034]表面处理层的突出峰部高度spk优选为1.2～2.5μm。[0035]此处，突出峰部高度spk依据iso 25178进行测定。于表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材的情形时，若表面处理层的突出峰部较低，则剥离力便会集中于中心部的表面。对此，通过将表面处理层的spk设为1.2μm以上(使突出峰部变高)，由于突出峰部的存在而能够容易使剥离力朝向突出峰部的高度方向分散。其结果，表面处理铜箔与树脂基材的粘合力变高。另一方面，通过将表面处理层的spk设为2.5μm以下，可抑制由集肤效应所导致的传输损耗的增大。[0036]于表面处理层中，表面处理层的中心部的水平差sk优选为1.0～2.0μm。[0037]此处，表面处理层的中心部的水平差sk表示除去突出峰部与突出谷部的部分(中心部)的高度差异的程度，依据iso 25178进行测定。于表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材的情形时，若中心部的高度差异较小，则中心部变为大致平面状，剥离力集中于其上表面。对此，通过将表面处理层的sk设为1.0μm以上(增大中心部的高度差异)，使中心部的上表面为凸凹面状，从而能够容易使剥离力朝向中心部的高度方向分散。其结果，表面处理铜箔与树脂基材的粘合力变高。另一方面，通过将表面处理层的sk设为2.0μm以下，可抑制由集肤效应所导致的传输损耗的增大。[0038]对表面处理层的种类并无特别限定，可使用本技术领域中公知的各种表面处理层。[0039]作为表面处理层的例子，可列举：粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层、硅烷偶联处理层等。这些层可单独使用或将2种以上组合使用。其中，就与树脂基材的粘合性的观点而言，表面处理层优选为具有粗化处理层。[0040]又，于表面处理层具有选自耐热处理层、防锈处理层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层中的1种以上层的情形时，这些层优选为设置于粗化处理层上。[0041]此处，作为一例子，将于铜箔的一面具有粗化处理层的表面处理铜箔的截面示意图示于图1。[0042]如图1所示，形成于铜箔10的一面的粗化处理层包含：一次粗化粒子20、覆盖一次粗化粒子20的覆盖镀覆层30、及形成于覆盖镀覆层30上的二次粗化粒子40。优选地，由覆盖镀覆层30覆盖的一次粗化粒子20为大致球状，并且二次粗化粒子40以树枝状扩展的方式形成。若为此种结构，则容易将表面处理层的smr2、smr1、spk及sk控制在上述范围内。[0043]作为一次粗化粒子20，并无特别限定，可由选自铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌中的元素或包含2种以上的元素的合金形成。其中一次粗化粒子20优选为由铜或铜合金形成，尤其优选为由铜形成。[0044]作为覆盖镀覆层30，并无特别限定，可由铜、银、金、镍、钴、锌等形成。[0045]作为二次粗化粒子40，并无特别限定，可由选自镍、钴、铜、锌中的金属或包含2种以上金属的合金形成。其中二次粗化粒子40优选为由铜合金形成，尤其优选为由cu-co-ni合金形成。[0046]粗化处理层可通过电镀形成。其条件并无特别限定，可根据所使用的电镀装置进行调整，典型条件如下所示。[0047](一次粗化粒子20的形成条件r1)[0048]镀覆液组成：5～15g/l的cu、40～100g/l的硫酸[0049]镀覆液温度：20～50℃[0050]电镀条件：电流密度30～60a/dm2、库仑量40～100as/dm2。[0051](覆盖镀覆层30的形成条件r2)[0052]镀覆液组成：10～30g/l的cu、70～130g/l的硫酸[0053]镀覆液温度：30～60℃[0054]电镀条件：电流密度4.8～15a/dm2，库仑量10～35as/dm2。[0055](二次粗化粒子40的形成条件y)[0056]镀覆液组成：10～20g/l的cu、5～15g/l的co、5～15g/l的ni[0057]ph：2～3[0058]镀覆液温度：30～40℃[0059]电镀条件：电流密度15～45a/dm2，库仑量15～55as/dm2。[0060]一次粗化粒子20的形成条件r1中，库仑量越小越会抑制一次粗化粒子20于z方向(垂直于铜箔10的方向)上的生长。又，覆盖镀覆层30的形成条件r2中，库仑量越大则层越会于xyz方向上均匀且较厚地生长。因此，通过将库仑量(r1)/库仑量(r2)控制在6.0以下，优选为控制在4.0以下，可将由覆盖镀覆层30覆盖的一次粗化粒子20的形状控制为大致球状～大致半球状的形状。并且，将由覆盖镀覆层30覆盖的一次粗化粒子20控制为大致球状～大致半球状的形状，然后形成二次粗化粒子40，由此变得容易将二次粗化粒子40以呈树枝状扩展的方式形成于覆盖镀覆层30上。[0061]再者，若库仑量(r1)/库仑量(r2)超过6.0，则一次粗化粒子20于z方向上的生长变大，因此由覆盖镀覆层30覆盖的一次粗化粒子20的形状成为大致椭球～大致半椭球的形状。因此，形成于覆盖镀覆层30上的二次粗化粒子40变得难以呈树枝状扩展。[0062]作为耐热处理层及防锈处理层，并无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。再者，耐热处理层有时亦会发挥作为防锈处理层的功能，因此亦可形成具有耐热处理层及防锈处理层两种功能的一个层作为耐热处理层及防锈处理层。[0063]作为耐热处理层和/或防锈处理层，可为包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽中的1种以上元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)的层。其中优选地，耐热处理层和/或防锈处理层为ni-zn层或zn层。尤其是若为ni含量少于zn含量的ni-zn层、或不含ni的zn层，则可并不较大程度地降低耐热效果及防锈效果地降低导体损耗，因此是优选的。[0064]耐热处理层及防锈处理层可通过电镀形成。其条件并无特别限定，可根据所使用的电镀装置调整，使用普通电镀装置形成耐热处理层(ni-zn层)时的条件如下所示。[0065]镀覆液组成：1～30g/l的ni、1～30g/l的zn[0066]镀覆液ph：2～5[0067]镀覆液温度：30～50℃[0068]电镀条件：电流密度1～10a/dm2，时间0.1～5秒。[0069]作为铬酸盐处理层，并无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。[0070]此处，本说明书中的所谓“铬酸盐处理层”是指由包含铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体所形成的层。铬酸盐处理层可为包含钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷、钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形态)的层。作为铬酸盐处理层的例子，可列举：经铬酸酐或重铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层、经包含铬酸酐或重铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层等。[0071]铬酸盐处理层可通过浸渍铬酸盐处理、电解铬酸盐处理等公知的方法形成。这些条件并无特别限定，例如形成通常的浸渍铬酸盐处理层时的条件如下所示。[0072]铬酸盐液组成：1～10g/l的k2cr2o7、0.01～10g/l的zn[0073]铬酸盐液ph：2～5[0074]铬酸盐液温度：30～55℃。[0075]作为硅烷偶联处理层，并无特别限定，可由本技术领域中公知的材料形成。[0076]此处，本说明书中的“硅烷偶联处理层”是指由硅烷偶联剂形成的层。[0077]作为硅烷偶联剂，并无特别限定，可使用本技术领域中公知的硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂的例子，可列举：氨基系硅烷偶联剂、环氧系硅烷偶联剂、巯基系硅烷偶联剂、甲基丙烯酰氧基系硅烷偶联剂、乙烯基系硅烷偶联剂、咪唑系硅烷偶联剂、三嗪系硅烷偶联剂等。其中，优选为氨基系硅烷偶联剂、环氧系硅烷偶联剂。上述硅烷偶联剂可单独使用或将2种以上组合使用。[0078]作为代表性的硅烷偶联处理层的形成方法，可列举通过涂布n-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业股份有限公司制造的kbm603)的1.2体积％水溶液(ph：10)并使其干燥而形成硅烷偶联处理层的方法。[0079]作为铜箔，并无特别限定，可为电解铜箔或压延铜箔中的任一种。电解铜箔通常通过使铜从硫酸铜镀浴电解析出于钛鼓或不锈钢鼓上而制造，具有形成于鼓侧的平坦的s面(磨光面)、及形成于与s面相反侧的m面(磨砂面)。通常情况下，电解铜箔的m面具有凹凸，因此于电解铜箔的m面形成表面处理层，使该表面处理层与树脂基材粘合，由此可提高表面处理层与树脂基材的粘合性。[0080]作为铜箔的材料，并无特别限定，于铜箔为压延铜箔的情形时，可使用通常作为印刷配线板的电路图案而使用的精铜(jis h3100合金编号c1100)、无氧铜(jis h3100合金编号c1020或jis h3510合金编号c1011)等高纯度的铜。又，例如亦可使用如含sn的铜、含ag的铜、添加有cr、zr或mg等的铜合金、添加有ni及si等的卡逊系铜合金等铜合金。再者，本说明书中的“铜箔”亦包括铜合金箔的概念。[0081]铜箔的厚度并无特别限定，例如可设为1～1000μm、或1～500μm、或1～300μm、或3～100μm、或5～70μm、或6～35μm、或9～18μm。[0082]具有上述构成的表面处理铜箔可依据本技术领域中公知的方法制造。此处，表面处理层的smr2、smr1、spk及sk可通过调整表面处理层的形成条件、尤其是上述粗化处理层的形成条件等而进行控制。[0083]本发明的实施方案的表面处理铜箔将使表面处理层的突出谷部与中心部分离的负载面积率smr2控制在91～96％，因此于表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材的情形时，可提高锚定效应。因此，该表面处理铜箔可提高与树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材的粘合性。[0084]本发明的实施方案的覆铜积层板具备上述表面处理铜箔及与上述表面处理铜箔的表面处理层粘合的树脂基材。该覆铜积层板可通过于上述表面处理铜箔的表面处理层粘合树脂基材而制造。[0085]作为树脂基材，并无特别限定，可使用本技术领域中公知的树脂基材。作为树脂基材的例子，可列举：纸基材酚系树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃不织布复合基材环氧树脂、玻璃布基材环氧树脂、聚酯膜、聚酰亚胺膜、液晶聚合物、氟树脂等。[0086]作为表面处理铜箔与树脂基材的粘合方法，并无特别限定，可依据本技术领域中公知的方法进行。例如，使表面处理铜箔与树脂基材积层并进行热压接合即可。[0087]如上所示地制造的覆铜积层板可用于制造印刷配线板。[0088]本发明的实施方案的覆铜积层板使用上述表面处理铜箔，因此可提高与树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材的粘合性。[0089]本发明的实施方案的印刷配线板具备对上述覆铜积层板的表面处理铜箔进行蚀刻所形成的电路图案。该印刷配线板可通过对上述覆铜积层板的表面处理铜箔进行蚀刻形成电路图案而制造。作为电路图案的形成方法，并无特别限定，可使用减成法、半加成法等公知的方法。其中，电路图案的形成方法优选为减成法。[0090]于通过减成法制造印刷配线板的情形时，优选为以如下方式进行。首先，对覆铜积层板的表面处理铜箔的表面涂布抗蚀剂，进行曝光及显影而形成特定抗蚀图案。其次，通过蚀刻将未形成抗蚀图案的部分(不需要的部分)的表面处理铜箔去除而形成电路图案。最后，去除表面处理铜箔上的抗蚀图案。[0091]再者，该减成法中的各种条件并无特别限定，可依据本技术领域中公知的条件进行。[0092]本发明的实施方案的印刷配线板使用上述覆铜积层板，故树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与电路图案之间的粘合性优异。[0093][实施例][0094]以下，通过实施例对本发明的实施方案进一步具体地进行说明，但本发明并不受这些实施例任何限定。[0095](实施例1)[0096]准备压延铜箔a(再结晶化后的杨氏模量为120gpa、厚度为12μm)，对其中一面进行脱脂及酸洗后，形成粗化处理层作为表面处理层，由此获得表面处理铜箔。粗化处理层的形成条件如下所示。[0097]《一次粗化粒子的形成条件r1》[0098]镀覆液组成：11g/l的cu、50g/l的硫酸[0099]镀覆液温度：25℃[0100]电镀条件：电流密度35.6a/dm2、库仑量72.7as/dm2。[0101](覆盖镀覆层的形成条件r2)[0102]镀覆液组成：20g/l的cu、100g/l的硫酸[0103]镀覆液温度：50℃[0104]电镀条件：电流密度9.9a/dm2、库仑量30.3as/dm2。[0105](二次粗化粒子40的形成条件y)[0106]镀覆液组成：15.5g/l的cu、7.5g/l的co、9.5g/l的ni[0107]ph：2.4[0108]镀覆液温度：36℃[0109]电镀条件：电流密度33.1a/dm2、库仑量44.8as/dm2。[0110](实施例2～14、及比较例1)[0111]如表1所示地变更压延铜箔的种类、r1、r2及y的电流密度及库仑量中的至少一者，除此以外与实施例1同样地进行而获得表面处理铜箔。再者，于表1中，压延铜箔b为再结晶化后的杨氏模量为85gpa、厚度为12μm的压延铜箔。[0112][表1][0113][0114]对于上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔，使用扫描电子显微镜(sem)观察表面处理层的表面状态。其结果，于实施例1～14中确认到许多粗化粒子(尤其是二次粗化粒子)呈树枝状扩展的结构，相对于此，于比较例1中几乎未确认到该结构。作为代表例，将实施例1及比较例1的表面处理铜箔的表面处理层(粗化处理层)的sem照片(20000倍、倾斜40°)示于图2中。[0115]继而，对上述实施例及比较例中所获得的表面处理铜箔进行下述特性评价。[0116]《表面处理层的smr2、smr1、spk、sk》[0117]使用奥林巴斯股份有限公司制造的激光显微镜(lext ols4000)进行图像摄影。使用奥林巴斯股份有限公司制造的激光显微镜(lext ols4100)的解析软件进行所拍摄到的图像的解析。smr2、smr1、spk及sk的测定分别依据iso 25178进行。又，它们的测定结果以任意3处测得的值的平均值为测定结果。再者，测定时的温度设为23～25℃。又，激光显微镜及解析软件的主要设定条件如下所示。[0118]物镜：mplapon50xlext(倍率：50倍、数值孔径：0.95、液浸类型：空气、机械镜筒长度：∞、盖玻璃厚度：0、视野数：fn18)[0119]光学变焦倍率：1倍[0120]扫描模式：xyz高精度(高度解析度：10nm、读取数据的像素数：1024×1024)[0121]读取图像尺寸[像素数]：横257μm×纵258μm[1024×1024][0122](于横向上进行测定，因此相当于257μm的评价长度)[0123]dic：关[0124]多层：关[0125]激光强度：100[0126]偏移：0[0127]共焦水平：0[0128]光束径光阑：关[0129]图像平均：1次[0130]杂讯降低：开[0131]亮度不均修正：开[0132]光学杂讯滤波器：开[0133]截止：无(λc、λs、λf均无)[0134]滤波器：高斯滤波器[0135]杂讯去除：于测定前处理[0136]表面(斜率)修正：实施。[0137]《剥离强度》[0138]使表面处理铜箔与树脂基材[lcp：液晶聚合物树脂(羟基苯甲酸(酯)与羟基萘甲酸(酯)的共聚物)膜(可乐丽股份有限公司制造的vecstar(注册商标)ctq；厚度为50μm或100μm)]贴合后，于td方向(压延铜箔的宽度方向)上形成宽3mm的电路。继而，依据jis c6471：1995测定于td180°方向上以50mm/分钟的速度自树脂基材的表面剥离电路(表面处理铜箔)时的强度(td180°剥离强度)。进行3次测定，将其平均值作为剥离强度的结果。若剥离强度为0.50kgf/cm以上，则可以说电路(表面处理铜箔)与树脂基材的粘合性良好。[0139]再者，电路宽度的调整通过使用氯化铜蚀刻液的通常的减成蚀刻方法进行。[0140]将上述特性评价的结果示于表2中。[0141][表2][0142][0143]如表1所示，表面处理层的smr2处于特定的范围内的实施例1～14的表面处理铜箔的剥离强度较高。[0144]另一方面，表面处理层的smr2处于特定的范围外的比较例1的表面处理铜箔的剥离强度较低。[0145]根据以上结果可知：根据本发明的实施方案，可提供能够提高与树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材的粘合性的表面处理铜箔。又，根据本发明的实施方案，可提供树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与表面处理铜箔之间的粘合性优异的覆铜积层板。进而，根据本发明的实施方案，可提供树脂基材、尤其是适合高频用途的树脂基材与电路图案之间的粘合性优异的印刷配线板。









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