III族氮化物多波长LED阵列的制作方法

电气元件制品的制造及其应用技术iii族氮化物多波长led阵列技术领域1.本公开的实施例总体上涉及发光二极管（led）器件阵列及其制造方法。更特别地，实施例涉及在晶片上包括iii族氮化物层的发光二极管器件阵列，其提供包括隧道结的microled。背景技术：2.发光二极管（led）是一种半导体光源，当电流流过它时，其发射可见光。发光二极管组合了p型半导体和n型半导体。led通常使用iii族化合物半导体。iii族化合物半导体在比使用其他半导体的器件更高的温度下提供稳定的操作。iii族化合物通常形成在由蓝宝石或碳化硅（sic）形成的衬底上。3.各种新兴显示器应用——包括可穿戴设备、头戴式显示器和大面积显示器——需要由高密度microled（µled或uled）阵列组成的小型化芯片，其横向尺寸低至小于100µm×100µm。microled（uled）的直径或宽度通常为约50µm或更小，其用于通过紧密排列包含红色、蓝色和绿色波长的microled来制造彩色显示器。通常，两种方法被用于组装由单个microled管芯构成的显示器。第一种是拾取和放置方法，其包括拾取每个单独的蓝色、绿色和红色波长microled并且然后将每个单独的蓝色、绿色和红色波长microled对准并附接到背板上，接着将背板电连接到驱动器集成电路。由于每个microled的尺寸小，这种组装顺序是慢的，并且容易产生制造误差。此外，随着管芯尺寸的减小以满足显示器不断增加的分辨率要求，越来越多数量的管芯必须在每次拾取和放置操作中被转移以填充所需尺寸的显示器。4.替代地，为避免复杂的拾取和放置传质过程，已提出各种单片制备方法来实现microled显示器。提供led器件和制造led器件的方法——其提供单片制备方法——将是合期望的。技术实现要素：5.本公开的实施例针对led阵列和制造led阵列的方法。在第一实施例中，发光二极管（led）阵列包括：第一台面，该第一台面包括顶表面、至少一个第一led、和第一隧道结，至少一个第一led包括第一p型层、第一n型层和第一颜色有源区，第一隧道结在第一led上，第一台面的顶表面包括第一隧道结上的第二n型层；相邻台面，包括顶表面、第一led、第二led，第二led包括第二n型层、第二p型层和第二颜色有源区；相邻台面的第二led上的第二隧道结，以及相邻台面的第二隧道结上的第三n型层；分隔第一台面和相邻台面的第一沟槽；以及在第一台面的第二n型层上和相邻台面的顶表面上的阳极触点。led阵列还包括tft驱动器，该tft驱动器包括具有第二电极和连接到vdd线的第一电极的驱动晶体管、连接到驱动晶体管的第二电极的电容器、和连接到选择晶体管的第一电极，并且选择晶体管具有第一电极和第二电极，选择晶体管的第二电极连接到数据线，其中所述选择晶体管被配置为由选择线控制，其中所述驱动晶体管的第二电极连接到所述阳极触点之一在第二实施例中，对第一实施例进行了修改，使得相邻台面的顶表面包括第三n型层。6.在第三实施例中，第一实施例还包括：在相邻台面的n型层上的第三颜色有源区，且相邻台面包括包含第三p型层的顶表面；第三台面，包括第一led、第二led、第二隧道结、和第二隧道结上的第三n型层；分隔相邻台面和第三台面的第二沟槽；在第一沟槽中并且与相邻台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化；在第二沟槽中并且与第三台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化，以及在第一沟槽中与相邻台面的第一颜色有源区、第二颜色有源区和第三颜色有源区电接触的阴极金属化；和第三台面的第三n型层上的阳极接触。7.在第四实施例中，第三实施例包括以下特征：相邻台面的第三p型层为非蚀刻p型层。在第五实施例中，修改第三或第四实施例，其中第一颜色有源区是蓝色有源区，并且第二颜色有源区是绿色有源区。在第六实施例中，修改第三或第四实施例，其中第一颜色有源区是蓝色有源区，第二颜色有源区是绿色有源区，并且第三颜色有源区是红色有源区。8.在第七实施例中，对第一至第六实施例中的任一实施例进行了修改，使得第一p型层、第二p型层、第一n型层和第二n型层包含iii族氮化物材料。在第八实施例中，第七实施例包括以下特征：iii族氮化物材料包括gan。在第九实施例中，第三至第六实施例中的任何一个包括以下特征：第一p型层、第二p型层、第三p型层、第一n型层、第一n型层、第二n型层和第三n型层包括iii族氮化物材料。在第十实施例，第九实施例使得iii族氮化物材料包括gan。9.在第十一实施例中，第一至第十实施例中的任一实施例包括以下特征：第一台面具有侧壁并且相邻台面具有侧壁，并且第一台面侧壁和相邻台面侧壁与其上形成有台面的衬底的顶表面形成在从60度至小于90度的范围内的角度。10.本公开的另一方面涉及一种电子系统，并且在第十二实施例中，电子系统包括第一至第十一实施例中任一实施例的led阵列和配置为向一个或多个阳极触点提供独立电压的驱动器电路。在第十三实施例中，第十二实施例包括以下特征：其中电子系统选自由基于led的灯具、发光条、发光片、光学显示器、和microled显示器组成的组。11.另一方面涉及制造led阵列的方法。在第十四实施例中，一种方法包括：形成第一台面，该第一台面包括顶表面、至少一个第一led、和第一隧道结，至少一个第一led包括第一p型层、第一n型层和第一颜色有源区，第一隧道结在第一led上，该顶表面包括第一隧道结上的第二n型层；形成相邻台面，该相邻台面包括第一led、第二led，第二led包括第二n型层、第二p型层和第二颜色有源区；在相邻台面的第二led上形成第二隧道结，并在相邻台面p型层的第二隧道结上形成第三n型层；形成分隔第一台面和相邻台面的第一沟槽；以及在第一台面的第二n型层上和相邻台面的第三n型层上形成阳极接触。12.在第十五实施例中，第十四实施例还包括形成包含第三n型层的相邻台面的顶表面。在第十六实施例中，第十四或第十五实施例还包括在相邻台面的n型层上形成第三颜色有源区，并且相邻台面包括包含第三p型层的顶表面；形成第三台面，该第三台面包括顶表面、第一led、第二led、第二隧道结，并且包括第二隧道结上的第三n型层；和第三颜色有源区，第三台面的顶表面包括第三n型层；形成分隔相邻台面和第三台面的第二沟槽；在第一沟槽中形成阴极金属化，其与相邻台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触；在第二沟槽中形成与第三台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化，并且在第一沟槽中形成与第二相邻台面的第一颜色有源区、第二颜色有源区和第三颜色有源区电接触的n型金属化，以及在第一沟槽中形成与第三颜色有源区电接触的阴极金属化；以及在第三台面的第三n型层上形成阳极接触。该方法还包括形成tft驱动器，该tft驱动器包括具有第二电极和连接到vdd线的第一电极的驱动晶体管、连接到驱动晶体管的第二电极的电容器、和连接到选择晶体管的第一电极，并且选择晶体管具有第一电极和第二电极，选择晶体管的第二电极连接到数据线，其中所述选择晶体管被配置为由选择线控制，其中所述驱动晶体管的第二电极连接到所述阳极触点之一。13.在第十七实施例中，第十六实施例使得其中第一led、第二led和第三led中的每一个包含外延沉积的iii族氮化物材料。在第十八实施例中，第一led、第二led和第三led形成在衬底上。在第十九实施例中，第十八实施例使得第一沟槽和第二沟槽通过蚀刻沟槽形成，以形成第一台面、相邻台面和第三台面。在第二十实施例中，第十八或第十九实施例使得iii族氮化物材料包括gan。附图说明14.为便于详细理解本公开的上面列举的特征，可以参考实施例对上文简要概述的本公开进行更特定的描述，这些实施例中的一些在所附附图中说明。然而，要注意的是，所附附图仅示出了本公开的典型实施例，并因此不应被认为限制其范围，因为本公开可以容许其他等效的实施例。如本文所描述的实施例是通过示例而非限制的方式在附图的各图中示出的，在附图中，类似的附图标记指示相似的元件。15.图1示出了根据一个或多个实施例的包括多个量子阱的红色、绿色和蓝色led器件的截面视图；图2示出了在图1的led器件上形成的牺牲层和蚀刻掩模；图3示出了图2的器件在蚀刻工艺后提供三个台面以形成led阵列；图4示出了图3中led阵列的三个台面上的共形电介质层；图5示出了在图4器件的电介质层中蚀刻开口后的图4的led阵列；图6示出了在开口中沉积阴极金属化后图5的led阵列；图7示出了导电金属电沉积后图6的led阵列；图8a示出了阳极形成后包括第一台面和第二台面的led阵列；图8b示出了p接触形成后图7的led阵列；图9示出了连接至背板的图7的led阵列；图10示出了根据实施例的包括配置成发射两种或更多种颜色的led阵列的电子设备的俯视图；图11示出了图10的分区a；图12示出了根据实施例的包括led阵列和一个或多个tft驱动器的电子设备的侧视图；图13说明了包括led阵列和tft驱动器的电子设备的实施例；以及图14示出了图13的分区b。具体实施方式16.在描述本公开的几个示例性实施例之前，应理解本公开不限于以下描述中阐述的构造或工艺步骤的细节。本公开能够有其他实施例，并且能够以各种方式实践或执行。17.根据一个或多个实施例，如本文中使用的术语“衬底”是指一种中间的或最终的、具有表面或表面的一部分的、工艺在其上进行的结构。另外，在一些实施例中，提及衬底也仅指衬底的一部分，除非上下文清楚地以其他方式指示。此外，根据一些实施例，提及在衬底上沉积包括在裸衬底上沉积，或者在其上沉积或形成有一个或多个层、膜、特征或材料的衬底上沉积。18.在一个或多个实施例中，“衬底”意味着在制备工艺期间在其之上进行膜加工的任何衬底或衬底上形成的材料表面。在示例性实施例中，取决于应用，在其上进行加工的衬底表面包括诸如以下的材料：硅、氧化硅、绝缘体上硅（soi）、应变硅、非晶硅、掺杂硅、掺杂碳的氧化硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石、和任何其他合适的材料（诸如金属、金属氮化物、iii族-氮化物（例如gan、aln、inn、和其他合金）、金属合金、和其他导电材料）。衬底包括而不限于发光二极管（led）器件。在一些实施例中，衬底暴露于预处理工艺以抛光、蚀刻、还原、氧化、羟基化、退火、uv固化、电子束固化、和/或烘焙衬底表面。除了直接在衬底本身的表面上的膜加工之外，在一些实施例中，所公开的膜加工步骤中的任何一个也在衬底上形成的底层上进行，并且术语“衬底表面”旨在包括如上下文指示的这种底层。因此，例如，在膜/层或部分膜/层已经沉积到衬底表面上的场合，新沉积的膜/层的暴露表面成为衬底表面。19.在本公开中，术语“晶片”和“衬底”将可互换使用。因此，如本文所用，晶片用作形成本文所述led器件的衬底。20.本文所述实施例描述了led器件阵列和形成led器件阵列（或led阵列）的方法。特别地，本公开描述了led器件和制造从单个晶片发射多种颜色或波长的led器件的方法。发射多种颜色或波长的led器件的位置和尺寸通过在形成led器件的材料的外延沉积之后调整光刻步骤和蚀刻深度来控制。在一些实施例中，发射多种颜色或波长的相邻led使用共同的n型电接触。在一些实施例中，可以通过使用不需要移除衬底的工艺来形成led。本公开的一个或多个实施例可以用于制备microled显示器。21.在一个或多个实施例中，通过利用led器件及其制造方法，在单个晶片上集成发射不同波长的两个或更多个有源区，提供了不太复杂的microled制造工艺。根据一个或多个实施例描述的器件和方法利用iii族氮化物材料，例如alingan材料体系中的材料，其可以被制造以形成蓝色、绿色和红色led。本文所述的实施例提供了一种多色器件（诸如芯片），其可以用于microled显示器中。在一个或多个实施例中，在单个外延生长过程中堆叠多个层，并且该多个层被配置为以不同的波长发射。提供了被配置成使得不同波长的发射器之间的相应发射强度比可以改变的器件。22.根据一个或多个实施例，器件和方法提供多量子阱（mqw），其配置为在单个有源区内——即在一个p-n结的p层和n层之间——发射红光、绿光和蓝光。在一个或多个实施例中，在同一led器件中形成不同波长的两个或更多个像素，其包括同一外延晶片上的几个p-n结。通过使用如本文进一步描述的多个步骤蚀刻台面，实施例提供了到每个p-n结的独立电接触的形成。根据一个或多个实施例，不同波长的一个或多个发射器层被嵌入具有单独电流路径的单独p-n结中，因此波长和辐射被独立控制。23.图3示出了led阵列的示例性实施例，其配置为在同一晶片上发射彼此相邻的两种或更多种不同颜色。几个p-n结和有源区堆叠在彼此的顶部上，在一些实施例中，它们通过外延生长顺序制成，其中通过生长后蚀刻移除不必要的层。在一个或多个实施例中，提供了利用干法蚀刻来打开用于接触掩埋层的沟槽的方法。然而，已经发现，干法蚀刻工艺对外延层的iii族氮化物晶体结构引入了原子级损伤，这将p型层的导电类型改变为n型层。24.由于干法蚀刻期间的这种导电类型转换，不可能获得与已通过干法蚀刻暴露的掩埋p型氮化物表面的低电阻欧姆接触。因此，在图3中所示类型的led阵列109中，通过干法蚀刻处理导致对p-gan表面的损伤，与干法蚀刻的p-gan表面的非欧姆接触导致蓝色和绿色有源区的正向电压损失为一伏或更高。即使电压损失对于器件制造商来说是可接受的，p-gan层也必须生长得比最佳厚度厚得多，以便在控制蚀刻速率时提供足够的误差容限，从而确保蚀刻停止在p-gan层中。25.根据一个或多个实施例，通过将隧道结纳入外延层中，实现了图3中所示的功能，但不会出现试图与蚀刻p-gan表面进行电接触的困难。在特定实施例中，电接触被制作到n型gan层，其可以生长到相当高的厚度，而不会损坏有源区或引起光吸收损失。本文描述的光刻和蚀刻方法的实施例允许制造被配置成在同一晶片上的相邻位置发射不同颜色的led。在不需要移除衬底的情况下，对一组不同的led颜色进行共同的n型电接触。26.根据一个或多个实施例，提供了led阵列及其制造工艺，与现有方法相比，可减少为制造microled显示器的源管芯而必须制造的独立外延配方的数量。外延配方数量的减少降低了led阵列制造的外延制造阶段的成本和复杂性。现有方法需要产生单独的蓝色、绿色和红色外延配方。在一个或多个实施例中，填充显示器所需的拾取和放置操作的数量减少了，因为像素阵列可以一起传送，而不是一次只传送一个像素。更少的拾取和放置操作将导致显示器组装阶段的成本和产量的提高。在一些实施例中，完全消除了对拾取和放置操作的需要，并且实施例代之以允许像素在显示器上的整个晶片级转移，因为每个晶片可以包含所有三种所需的颜色（红色、蓝色和绿色）。在这样的实施例中，整个处理过的晶片或它的一大块可以直接结合到显示器中。根据一个或多个实施例，避免了必须制作到蚀刻的p-gan表面的欧姆电接触的问题，使得更低的工作电压和更高的壁塞（wall-plug）效率成为可能。在一些实施例中，由于隧道结中的所有蚀刻接触都制成n-gan层，其可以生长得比p-gan层厚得多，同时保持高的led效率，所以放松了对蚀刻速率控制的限制。27.因此，一个或多个实施例提供了基于iii族氮化物的led，诸如基于gan的led晶片，其包含被配置为发射不同颜色的两个或更多个独立有源区，所述有源区按顺序生长并通过隧道结连接。实施例提供了多级台面蚀刻工艺，该工艺允许对每个单独的有源区进行独立的电接触，从而在同一晶片上产生彼此非常接近的两种或三种不同颜色的led。一个或多个实施例包括制作到蚀刻台面的侧壁的n型电接触，而不是制作到平面的n型iii族氮化物（例如gan）表面的接触。从与衬底侧相对的晶片侧制成的公共n接触可以用于红色、绿色和蓝色led台面的整个阵列。28.本公开的一个方面涉及制造led阵列的方法。首先参考图1，通过在衬底101上形成多个iii族氮化物层来制造led器件100，以在包括颜色有源区的衬底上形成多个led。颜色有源区包括第一颜色有源区124、第二颜色有源区114和第三颜色有源区104。虽然堆叠不同颜色有源区的任何顺序都在本公开的范围内，但是在具体实施例中，对于朝向形成这些层的衬底101发射的器件，最短发射波长的颜色有源区是在形成两个或更多个颜色有源区的顺序中生长的第一颜色有源区。因此，在一个或多个实施例中，第一颜色有源区124首先形成在衬底上，并且是蓝色有源区；并然后形成第二颜色有源区114，其是绿色有源区；并然后形成第三颜色有源区104，其是红色有源区。第一颜色有源区124是蓝色，第二颜色有源区114是绿色，并且第三颜色有源区104是红色的这种顺序避免了来自蓝色有源区124的发射被更长波长的颜色有源区内部吸收。29.因此，根据某些特定实施例，led器件100包括第一led，第一led包括形成于衬底上的第一n型层126、形成于第一n型层126上的第一p型层122，以及位于第一n型层126与第一p型层122之间的第一颜色有源区124。在一个或多个实施例中，第一颜色有源区124是蓝色有源区。在所示的实施例中，在第一led上——特别是在第一p型层122上——有第一隧道结120。隧道结是一种允许电子在反向偏压下从p型层的价带隧穿到n型层的导带的结构。p型层和n型层彼此邻接的位置被称为p/n结。当电子隧穿时，在p型层中留下空穴，从而在两个区域中都产生载流子。因此，在类似二极管的电子器件中，只有小的漏电流在反向偏压中流动，大的电流可以在反向偏压中跨隧道结传输（carried）。隧道结包括p/n隧道结处导带和价带的特定排列。这可以通过使用非常高的掺杂（例如，在p++/n++结中）来实现。此外，iii族氮化物材料具有固有的极化，其在不同合金组分之间的异质界面处产生电场。该极化场也可以用于实现隧穿的能带对准。30.仍参照图1，led器件100还包括第二led，第二led包括第一隧道结120上的第二n型层116、形成在第二n型层116上的第二p型层112、以及第二n型层116和第二p型层112之间的第二颜色有源区114。在一个或多个实施例中，第二颜色有源区114是绿色有源区。在所示的实施例中，在第二led上——特别是在第二p型层112上——有第二隧道结110。led器件100还包括第三led，该第三led包括形成在第二隧道结110上的第三n型层106、形成在第三n型层106上的第三p型层102、以及在第三n型层106和第三颜色有源区之间的第三颜色有源区104。在一个或多个实施例中，第三颜色有源区104是绿色有源区。31.衬底101可以为本领域技术人员已知的任何衬底，其被配置为用于iii族氮化物led器件的形成。在一个或多个实施例中，衬底包括蓝宝石、碳化硅、二氧化硅（si）、石英、氧化镁（mgo）、氧化锌（zno）、尖晶石等中的一种或多种。在特定实施例中，衬底101包括蓝宝石。在一个或多个实施例中，在衬底101的顶表面101t上形成led之前，衬底101没有被图案化。因此，在一些实施例中，衬底101没有被图案化，并且可以被认为是平坦的或基本平坦的。在其他实施例中，衬底101是图案化衬底。32.在一个或多个实施例中，第一led、第二led和第三led中的每一个的n型层和p型层各自包含iii族氮化物材料层。在一些实施例中，iii族氮化物材料包括镓（ga）、铝（al）和铟（in）中的一种或多种。因此，在一些实施例中，各个led的n型层和p型层包括氮化镓（gan）、氮化铝（aln）、氮化铟（inn）、氮化镓铝（gaaln）、氮化镓铟（gainn）、氮化铝镓（algan）、氮化铝铟（alinn）、氮化铟镓（ingan）、氮化铟铝（inaln）等中的一种或多种。在特定实施例中，相应led的n型层和p型层包括n型掺杂和p型掺杂的gan。33.在一个或多个实施例中，通过溅射沉积、原子层沉积（ald）、化学气相沉积（cvd）、物理气相沉积（pvd）、等离子体增强原子层沉积（peald）、和等离子体增强化学气相沉积（pecvd）中的一种或多种来沉积形成第一led、第二led和第三led的iii族氮化物材料层。34.如本文所用的“溅射沉积”是指通过溅射进行薄膜沉积的物理气相沉积（pvd）方法。在溅射沉积中，例如iii族氮化物的材料从作为源的靶喷射到衬底上。该技术基于对源材料（靶）的离子轰击。由于纯物理过程，即靶材料的溅射，离子轰击产生蒸汽。35.根据本文的一些实施例，“原子层沉积”（ald）或“循环沉积”是指用于在衬底表面沉积薄膜的气相技术。ald工艺包括将衬底表面或衬底的一部分暴露于交替的前驱体，即两种或更多种反应性化合物，以在衬底表面上沉积一层材料。当衬底暴露于交替的前驱体时，前驱体被顺序或同时引入。将前驱体引入处理腔的反应区，并将衬底或衬底的一部分单独暴露于前驱体。36.根据一些实施例，本文所用的“化学气相沉积”是指通过化学物质在衬底表面上的分解从气相沉积材料薄膜的过程。在cvd中，衬底表面同时或基本上同时暴露于前驱体和/或共试剂。如本文所用，“基本上同时”是指前驱体的大部分暴露并流或存在重叠。37.根据一些实施例，本文所用的“等离子体增强原子层沉积（peald）”是指在衬底上沉积薄膜的技术。在相对于热ald工艺的peald工艺的一些示例中，材料可以由相同的化学前驱体形成，但是以更高的沉积速率和更低的温度。一般来说，peald工艺将反应气体和反应等离子体顺序引入到腔中具有衬底的工艺腔中。第一反应气体在处理腔中被脉冲，并被吸附到衬底表面上。此后，反应物等离子体被脉冲到处理腔中，并与第一反应物气体反应以形成沉积材料，例如衬底上的薄膜。类似于热ald工艺，可以在每种反应物的输送之间进行吹扫步骤。38.根据一个或多个实施例，本文所用的“等离子体增强化学气相沉积（pecvd）”是指在衬底上沉积薄膜的技术。在pecvd工艺中，将气相或液相的源材料——诸如气相iii族氮化物材料或液相iii族氮化物材料的蒸汽——引入到pecvd腔中，所述气相或液相iii族氮化物材料已经被夹带在载气中。等离子体引发的气体也被引入腔内。腔中等离子体的产生产生了受激的自由基。被激发的自由基化学键合到位于腔内的衬底表面，在其上形成期望的膜。39.在一个或多个实施例中，将形成led阵列的led器件100通过将衬底101置于金属有机气相外延（movpe）反应器中以使led器件层外延生长而制造。第一n型层126包括一层或多层包含不同组分和掺杂浓度的半导体材料。在特定实施例中，第一n型层126通过生长iii族氮化物（例如，n-gan）的外延层来形成。第一p型层122包括一层或多层包含不同组分和掺杂浓度的半导体材料。在特定实施例中，第一p型层122通过生长iii族氮化物（例如，p-gan）的外延层来形成。在使用中，使电流流过第一颜色有源区124中的p-n结，并且第一颜色有源区124产生部分由材料的带隙能量确定的第一波长的光。在一些实施例中，包括第一n型层126、第一p型层122和第一颜色有源区124的第一led包括一个或多个量子阱。在一个或多个实施例中，第一颜色有源区124被配置成发射蓝光。40.在特定实施例中，在完成包含蓝色led的p-gan层的第一p型层122的形成后，接着修改外延生长条件以生长第一隧道结120。然后形成第二led，第二led包括第二n型层116、第二p型层112、和在第二n型层116和第二p型层112之间的第二颜色有源区114。通过生长iii族氮化物（例如n-gan）的外延层来形成第二n型层116。第二p型层112包括一层或多层包含不同组分和掺杂浓度的半导体材料。在特定实施例中，第二p型层112通过生长iii族氮化物（例如p-gan）的外延层来形成。在使用中，使电流流过第二颜色有源区114中的p-n结，并且第二颜色有源区114产生部分由材料的带隙能量确定的第二波长的光。在一些实施例中，包括第二n型层116、第二p型层112、和第二颜色有源区114的第二led包括一个或多个量子阱。在一个或多个实施例中，第二颜色有源区114被配置成发射绿光。根据一些实施例，第二led的形成包括改变第二n型层116的厚度和/或生长条件。41.在特定实施例中，在完成包含绿色led的p-gan层的第二p型层112的形成后，接着修改外延生长条件以生长第二隧道结110。然后形成第三led，第三led包括第三n型层106、第三p型层102、以及在第三n型层106和第三p型层102之间的第三颜色有源区104。第三n型层106通过生长iii族氮化物（例如n-gan）的外延层来形成。第三p型层102包括一层或多层包含不同组分和掺杂浓度的半导体材料。在特定实施例中，第三p型层102通过生长iii族氮化物（例如p-gan）的外延层来形成。在使用中，使电流流过第三颜色有源区104中的p-n结，并且第三颜色有源区104产生部分由材料的带隙能量确定的第三波长的光。在一些实施例中，包括第三n型层106、第三p型层102和第三颜色有源区104的第三led包括一个或多个量子阱。在一个或多个实施例中，第三颜色有源区104被配置成发射红光。根据一些实施例，第三led的形成包括改变第三n型层106的厚度和/或生长条件。42.本公开不限于第一隧道结120和第二隧道结110或led颜色有源区的任何特定外延设计。根据一个或多个实施例，在第一led、第二led和第三led的外延生长之后，利用一系列光刻和干法蚀刻工艺来形成led阵列109，如图2-图8所示。光刻和干法蚀刻工艺的最终结果是具有不同高度的台面阵列，如图8所示。特定发射颜色不需要的量子阱和p-n结在一些台面中被蚀刻掉，这导致台面具有不同的高度。43.根据实施例，可以在光刻和干法蚀刻工艺中使用多种选项，如将在下文所讨论的。图2-8中已经省略了常规的处理步骤，诸如光刻胶曝光、显影、剥离和清洗步骤。在蚀刻工艺的一个实施例中，第一牺牲层125a在第三p型层102的一部分上被图案化，其中期望具有最大高度的台面，如图2所示。第二牺牲层125b由第三类型p型层102的一部分图案化，其中相邻台面的高度大于第一台面的高度。第一牺牲层125a的高度大于第二牺牲层125b的高度。44.在形成第一牺牲层125a和第二牺牲层125b后，在未被第一牺牲层125a和第二牺牲层125覆盖的第三p型层102上以及第一牺牲层125a和第二牺牲层上沉积蚀刻掩模层127，如图2所示。在所示的实施例中，形成蚀刻掩模层127的材料和形成第一牺牲层125a和第二牺牲层125b的材料都不受干法蚀刻化学物质的影响。因此，对于足够长以蚀刻穿过蚀刻掩模层127和/或牺牲层的蚀刻时间，蚀刻到外延晶片中的深度取决于蚀刻掩模层和牺牲层的厚度。然后，可以利用牺牲层的厚度以及牺牲层、蚀刻掩模层、以及第一led、第二led和第三led的外延形成层之间的蚀刻速率的差异，通过单个干法蚀刻步骤获得具有不同高度的相邻台面，以控制每个台面的高度。第一台面103具有由h表示的第一高度，相邻台面105具有第二高度，并且第三台面107具有第三高度。在所示的实施例中，第一台面103的第一高度h小于相邻台面105的第二高度和第三台面107的第三高度。相邻台面105的第二高度大于第三台面107的第三高度。因此，第一台面103是三个台面中最短的。第一沟槽111分隔第一台面103和相邻台面105，并且第二沟槽113分隔相邻台面105和第三台面107。第一台面103具有侧壁103s，相邻台面105具有侧壁105s，并且第三台面107具有侧壁107s。在一个或多个实施例中，侧壁103s、105s和107s相对于衬底的顶表面101t成角度。第一台面103的侧壁103s、相邻台面105的侧壁105s和第三台面107的侧壁107s各自与衬底101的顶表面101t形成从75度到小于90度的范围内的角度“a”。45.在将参照图8a讨论的一些实施例中，有第一台面103和相邻台面105。因此，在这样的实施例中，在制造工艺期间，仅利用第一牺牲层，并且仅形成第一沟槽。46.在第一沟槽111和第二沟槽113处，蚀刻过程实际上停止在衬底101处，因为在用于蚀刻iii族氮化物外延层的条件下，衬底几乎不受蚀刻影响。在一个或多个实施例中，蚀刻掩模层127、第一牺牲层125a和第二牺牲层125b由相同的材料或不同的材料构成。光刻胶或电介质材料（诸如二氧化硅和氮化硅）可以用作掩模和蚀刻工艺的合适的蚀刻掩模材料。47.在蚀刻工艺的替代实施例中，分别具有不同高度的第一台面103、相邻台面105和第三台面107在单独的干法蚀刻步骤中进行处理。在第一蚀刻步骤中，产生相同高度的台面。停止第一蚀刻步骤，并且重新掩蔽一些台面，以防止它们的高度在随后的蚀刻步骤中减小。掩模层在工艺期间没有被完全蚀刻，并且在一些实施例中包括不受蚀刻化学物质影响的材料。该替代实施例显示出比前一段中描述的实施例更慢的制造产量，但是显示出对参数（诸如掩模和牺牲层厚度以及蚀刻速率选择性）的不太严格的控制。48.在图3中所示的台面蚀刻工艺和合适的清洗步骤结束后，通过横向扩散氢穿过掩埋p型层的蚀刻侧壁，实现掩埋p型层的激活。根据一个或多个实施例，台面在台面蚀刻之后而不是在工艺的早期退火，因为台面之间的空间允许氢从p型层横向扩散和逸出的有效路径。退火可以类似于传统led的退火，或者可以使用更高的温度和/或更长的时间。49.现参考图4，在p型层活化退火后，使用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积或溅射等方法，在台面及其侧壁上沉积电介质层130（例如二氧化硅）的共形涂层。电介质层130使金属触点彼此隔离将在后面的工艺步骤中制备。50.如本文所用，术语“电介质”是指可以被施加的电场极化的电绝缘体材料。在一个或多个实施例中，电介质层包括但不限于氧化物，例如氧化硅（sio2）、氧化铝（al2o3）；氮化物，例如氮化硅（si3n4）。在一个或多个实施例中，电介质层包括氮化硅（si3n4）。在一个或多个实施例中，电介质层包括氧化硅（sio2）。在一些实施例中，电介质层组分相对于理想化学式是非化学计量的。例如，在一些实施例中，电介质层包括但不限于氧化物（例如，氧化硅、氧化铝）、氮化物（例如，氮化硅（sin））、碳氧化物（例如，碳氧化硅（sioc））和氮氧化物（例如，碳氮氧化硅（sinco））。51.在一个或多个实施例中，电介质层130通过溅射沉积、原子层沉积（ald）、化学气相沉积（cvd）、物理气相沉积（pvd）、等离子体增强原子层沉积（peald）和等离子体增强化学气相沉积（pecvd）中的一种或多种沉积。52.现参考图5，随后，台面的各部分用抗蚀剂（resist）掩蔽，并在电介质层130中干法蚀刻开口。如图5中所示，电介质层130仅覆盖相邻台面105的第三p型层102处的相邻台面105的侧壁105s和相邻台面105的第三颜色有源区104（红色有源区）。在第三台面107上，电介质层130仅在第三n型层106、第二隧道结110、第二p型层112和第二颜色有源区114（绿色有源区）处的侧壁107s上延伸。在第一台面103上，电介质层130仅覆盖第二n型层116、第一隧道结120、第一p型层122和第一颜色有源区124（蓝色有源区）处的侧壁103s。53.现参考图6，阴极金属化层132沉积于图5中所示干法蚀刻步骤留下的开放区域。在一个或多个实施例中，阴极金属化层132包括含铝金属层，并且通过物理气相沉积来沉积，并且如图6所示被图案化。n接触金属化层132覆盖第一台面103和相邻台面105的n型层126上的侧壁。n接触金属化层132延伸到并覆盖相邻台面105的第三n型层106的侧壁。n接触金属化层132延伸到并覆盖第三台面107的侧壁至第二n型层116。54.现参考图7，相邻台面之间的第一沟槽111和第二沟槽113使用金属（诸如铜）的溶液电沉积——其使用之前沉积的含铝金属作为种子层——来部分地充填。如果需要，电沉积的金属可以在随后的处理步骤中使用化学-机械平面化来平面化。55.现参考图8b，清洁后，再次掩蔽led阵列109，并对阳极金属化触点的一组开口进行图案化，并在电介质层130中蚀刻另一组开口。然后，包括导电金属（诸如银）的阳极金属化触点被图案化成开口，如图8b中所示。可选地，如果期望将不同的接触金属用于第一台面103上的第三p型层102（红色led）上的电极接触和第三台面107的蓝色led和相邻台面105的绿色led的n-gan隧道结接触上的p型金属化触点136，则可以在单独的光刻和沉积步骤中执行图8b中所示的图案化。56.在图8b中，绿色led第三台面107的阴极金属化层132也接触第三台面107中的蓝色led层，并且红色led第一台面103的阴极金属化层132也接触该台面中的绿色和蓝色led层。然而，这种接触不妨碍共享公共阴极的相邻led的独立操作。典型应用中的偏压不会超过4v，这不足以将空穴注入到最靠近阳极的有源区之外，即使阴极金属接触外延结构中更深的层。图8b中的虚线箭头150示出了小于4v的典型偏压的电流路径。57.本公开的另一方面涉及图8a和图8b中所示的led阵列。在图8a所示的第一实施例中，led阵列109a包括第一台面103，该第一台面103包括顶表面103t、至少一个第一led、和第一隧道结120，至少一个第一led包括第一p型层122、第一n型层126和第一颜色有源区124，第一隧道结120在第一led的p型层122上，第一台面103的顶表面103t包括在第一隧道结120上的第二n型层116。仍然参考图8a，存在相邻台面105，该相邻台面105包括顶表面105t、第一led、第二led，第二led包括第二n型层116、第二p型层112和第二颜色有源区114。在相邻台面105的第二led上有第二隧道结110，在相邻台面105的第二隧道结110上有第三n型层106。存在将第一台面103和相邻台面105分隔的第一沟槽111。存在处于第一沟槽111中并且与相邻台面105的第一颜色有源区124和第二颜色有源区114电接触的阴极金属化134。在第一台面103的第二n型层116上和相邻台面105的第三n型层106上有阳极金属化触点136。在图8a所示的实施例中，相邻台面105的顶表面105t包括第三n型层106。58.因此，图8中所示的led阵列109a包括由第一台面103形成的单色（蓝色）led和由相邻台面105形成的双色led。59.图8b示出了led阵列109b的另一个实施例，其包括第一台面103，该第一台面103包括顶表面103t、至少一个第一led、和第一隧道结120，至少一个第一led包括第一p型层122、第一n型层126和第一颜色有源区124，第一隧道结120在第一led的p型层122上，第一台面103的顶表面103t包括第一隧道结120上的第二n型层116。相邻台面105包括顶表面105t、第一led、第二led，第二led包括第二n型层116、第二p型层112和第二颜色有源区114。在相邻台面105的第二led上（即在p型层112上）有第二隧道结110，并且在相邻台面105的第二隧道结110上有第三n型层106。存在将第一台面103和相邻台面105分隔的第一沟槽111。存在处于第一沟槽111中并且与相邻台面104的第一颜色有源区124和第二颜色有源区114电接触的n型金属化134。在第一台面的第二n型层上和相邻台面105的顶表面105t上有p型金属化触点136。60.图8b中所示的led阵列109b还包括位于相邻台面105的n型层106上的第三颜色有源区104，并且相邻台面包括包含第三p型层102的顶表面105t。led阵列109b还包括第三台面107，其包括第一led、第二led、第二隧道结110、和第二隧道结110上的第三n型层106。有第二沟槽113将相邻台面105和第三台面107分隔。存在处于第二沟槽113中并且与第三台面107的第一颜色有源区124和第二颜色有源区114电接触的阴极金属化134，并且在第一沟槽111中存在与相邻台面105的第一颜色有源区124、第二颜色有源区114和第三颜色有源区104电接触的阴极金属化134。此外，在第三台面107的第三n型层106上有阳极金属化触点136。61.在一些实施例中，相邻台面105的第三p型层102为非蚀刻p型层。在一些实施例中，第一颜色有源区124是蓝色有源区，并且第二颜色有源区114是绿色有源区。在一些实施例中，第一颜色有源区124是蓝色有源区，第二颜色有源区114是绿色有源区，并且第三颜色有源区104是红色有源区。62.在向结构的衬底侧发射光的实施例中，台面的高度按照发射波长增加的顺序增加（本例中为红色》绿色》蓝色）。63.现参考图9，所示的电子系统或器件200包括图8的led阵列109，以及配置为向第一台面103、相邻台面105和第三台面的一个或多个阳极触点136提供独立电压的驱动器电路。这可以通过背板190来实现，诸如通过金属192（诸如金属焊料凸块）连接到阳极触点136的cmos背板190。在一个或多个实施例中，电子系统选自由基于led的灯具、发光条、发光片、光学显示器、和microled显示器组成的组。64.现参考图10至图15，所示的包括薄膜晶体管（tft）驱动电路的电子设备800包括集成有一个或多个tft驱动器850的led阵列809。在一个或多个实施例中，包括一个或多个tft驱动器850的tft驱动电路与本文描述的led阵列的任何实施例结合。65.图10示出了配置为发射两种或更多种颜色的led阵列809的局部俯视图。图10的局部俯视图示出了led阵列809，其包括具有多个行和多个列的tft矩阵栅格802的分区。在所示的实施例中，栅格802的分区具有三行和三列，总共九个单元，每行三个单元布置在led的蓝色（854b）列、红色（854r）列和绿色（854g）列的图案中，以提供多个行（顶行855a、中间行855b和底行855c）。每个单元包括电连接到阳极金属化触点836（在图12-图14的截面中示出）的电极触点853，阳极金属化触点836设置在本文描述的任何实施例的led的台面上。每个单元的每个电极触点853被n型材料852（例如，n型gan）包围。66.栅格802还包括平行于每个行855a、855b、855c延伸的至少多条选择线856，以及垂直于每个行延伸的多条vdd线858和多条数据线860。多条vdd线858和多条数据线860沉积在选择线856上方的至少一层上，如下面进一步详细描述的。在一个或多个实施例中，多条vdd线858中的每一条为每个led提供高于阈值“接通”电压的恒定电压。显示器的每一行有一条选择线856，并且每一显示列有一条vdd线858，但都连接到一个公共的外部电源。对于连接到（每个显示列上的）外部cmos列驱动器的每个列驱动器，有一条数据线860。led公共阴极连接到设备（诸如显示器）外部的地。67.图11示出了一个或多个tft驱动器850的示意图，如图10中虚线所描绘的分区a所指示。为了清楚起见，绝缘体材料没有画出。如图所示，每个tft驱动器850包括至少两个晶体管、一个电容器、一条选择线856、一条vdd线858和一条数据线860。vdd线858连接到驱动晶体管865的第一电极868，驱动晶体管865被配置为器件的栅极。驱动晶体管865连接到电容器864，电容器864又连接到选择晶体管863的第一电极867。选择晶体管863的第二电极869连接到数据线860。驱动晶体管865的第二电极866连接到给led供电的每个台面的阳极金属化触点836（图12-图14中所示）。68.根据一个或多个实施例，vdd线858配置为源极，其提供高于每个led接通阈值的恒定电源电压；并且选择线856配置为漏极。数据线860被配置为将电容器864充电到期望的电压，且选择线856被配置为断开驱动晶体管865。在操作中，vdd线858提供恒定的电源电压。到选择线856的循环电压断开选择晶体管863，并且到数据线860的电压对电容器864充电。通过每个led的电流由存储在电容器864内的电压控制。在一个或多个实施例中，示例性电压是3.5v。69.图12示出了与图8b中所示led阵列相似的led阵列809，其包括第一台面803，该第一台面803包括顶表面803t、至少一个第一led、和第一隧道结820，至少一个第一led包括第一p型层822、第一n型层826和第一颜色有源区824，第一隧道结820在第一led的p型层822上，第一台面803的顶表面803t包括第一隧道结820上的第二n型层816。相邻台面805包括顶表面805t、第一led、第二led，第二led包括第二n型层816、第二p型层812和第二颜色有源区814。在相邻台面805的第二led上——即在p型层812上——有第二隧道结810，并且在相邻台面805的第二隧道结810上有第三n型层806。存在将第一台面803和相邻台面805分隔的第一沟槽。存在处于第一沟槽中并且与相邻台面804的第一颜色有源区824和第二颜色有源区814电接触的n型金属化834。在第一台面的第二n型层上和相邻台面805的顶表面805t上有阳极金属化触点836。公共接地电极847沉积在第一和第二沟槽上方，并与阴极金属化834接触。70.使用等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积或溅射等方法，在台面及其侧壁上沉积电介质层830（例如二氧化硅）的共形涂层。电介质层830使金属触点彼此隔离将在后面的工艺步骤中制备。平面化材料（planarization material）845（在一些实施例中包括电介质材料）沉积在电介质层830、台面和公共接地电极847上方。电接触延伸穿过平面化材料845，其将第一台面803、相邻台面805和第三台面807的p型金属化触点836连接到一个或多个tft驱动器850的驱动晶体管865的第二电极866，从而为led供电。71.图13和图14示出了包括一个或多个tft驱动器850的堆叠层，其中图14更详细地示出了堆叠层，如图13中虚线b中所指示。为了便于参考，led的图12的所有细节在图13和图14中没有重复。将领会，图12所示的电容器864在图13和图14中所示的截面视图中不可见。沉积在平面化材料845上的是tft下部电介质层870，在一些实施例中，tft下部电介质层870用作选择晶体管863的电容器和栅极的绝缘体。还有下层（lower level）tft金属化层872，其包括第一部分872a、第二部分872b和第三部分872c。在一些实施例中，下部tft金属化层872的这些第一、第二和第三部分用作选择晶体管863的栅极和驱动晶体管865的源极和漏极。如图13和图14中所示，选择晶体管863包括tft下部电介质层870上的半导体材料863s。驱动晶体管865包括在下部tft金属化层872的第二部分872b和第三部分872c上的半导体材料865s。存在上层（upper level）tft金属化层877，其包括第一部分877a、第二部分877b和第三部分877c，在一些实施例中，它们分别用作选择晶体管的栅极和驱动晶体管865的源极和漏极。在驱动晶体管865的半导体材料865s上有tft上部电介质层879，其在一些实施例中用作驱动晶体管865的栅极的绝缘体。还有上层tft金属化层881，其包括第一部分881a、第二部分881b和第三部分881c，在一些实施例中，它们分别用作选择晶体管863的源极（881a）和漏极（881b）以及驱动晶体管865的栅极（881c）。虽然未在图13和图14的截面中示出，但是下部金属化层的第三部分872c连接到电容器864的底部，并且下部金属化层的第一部分872a连接到选择线856。电子设备800包括led阵列809和驱动器电路，该驱动器电路被配置为向第一台面803、相邻台面805和第三台面807的阳极金属化触点836中的一个或多个提供独立的电压。这可以通过根据一个或多个实施例在本文示出和描述的tft电路来实现。在一个或多个实施例中，电子设备800选自由基于led的灯具、发光条、发光片、光学显示器、和microled显示器组成的组。72.根据本文提供的实施例，cmos栅极和列驱动器获取视频输入信号，并将视频输入信号转换为数据线上的电压，数据线对led进行编程，以发射产生图像所需的光水平。在本文描述的实施例中，设备800的操作被划分在“程序”和“显示”周期之间。在“编程”周期中，到选择线的电压断开沿指定行的选择晶体管，并且到数据线的电压以期望的电压对列上的每个电容器充电。在一个或多个实施例中，设备800的编程一次进行一行。在“显示”周期中，通过每个led的电流由“编程”周期中存储在电容器上的电压控制。73.根据实施例，晶体管为非晶硅n沟道晶体管。源极接触和漏极接触可以是单独沉积的具有高n型（磷）掺杂的非晶硅膜。非源极和漏极半导体区域是具有弱p型导电性的非晶si。在一些实施例中，施加的栅极电压将栅极下的p型材料反转为n型，从而在横向方向上接通电流。在一些实施例中，电介质材料是通过等离子体增强化学气相沉积制备的sinx，这也是用于沉积非晶si的方法。一些实施例的金属通常是cr或mo，并通过电子束蒸发或溅射来沉积。74.在一个或多个实施例中，可以用于制备tft的半导体材料——其加工温度适用于led晶片——包括非晶硅、激光结晶多晶硅、非晶导电氧化物（诸如铟镓锌氧化物）、或ii-vi族化合物（诸如cds）。一般来说，tft可以是n沟道或p沟道，但非晶si晶体管总是n沟道（由于空穴迁移率低）。在一些实施例中，多晶硅可以允许tft的更小的物理尺寸，从而允许更小的像素间距。此外，多晶硅具有更好的长期可靠性，并且可以提高显示器的电效率。75.本公开的较简单实施例包括外延生长序列，其特征仅在于一个隧道结（而非两个隧道结）、和仅两种颜色（而非三种颜色）的有源区。虽然附图示出了衬底保持附接在成品器件中的架构，但是在一些实施例中，可以应用激光剥离或其他外延膜分离工艺，使得衬底在成品器件中被移除。可以在移除衬底之后应用光电化学蚀刻来使暴露的gan表面粗糙化并提高光提取效率。实施例76.以下列出了各种实施例。将理解，根据本发明的范围，下面列出的实施例可以与所有方面和其他实施例相组合。77.实施例（a）。一种发光二极管（led）阵列，包括：第一台面，该第一台面包括顶表面、至少一个第一led、和第一隧道结，至少一个第一led包括第一p型层、第一n型层和第一颜色有源区，第一隧道结在第一led上，第一台面的顶表面包括在第一隧道结上的第二n型层；相邻台面，该相邻台面包括顶表面、第一led、第二led，第二led包括第二n型层、第二p型层和第二颜色有源区；相邻台面的第二led上的第二隧道结，以及相邻台面的第二隧道结上的第三n型层；以及分隔第一台面和相邻台面的第一沟槽；在第一台面的第二n型层上和相邻台面的顶表面上的阳极金属化触点。78.实施例（b）。根据实施例（a）所述的led阵列，还包括薄膜晶体管（tft）驱动器，其包括具有第二电极和连接到vdd线的第一电极的驱动晶体管、连接到驱动晶体管的第二电极的电容器、和连接到选择晶体管的第一电极，并且选择晶体管具有第一电极和第二电极，选择晶体管的第二电极连接到数据线，其中选择晶体管被配置为由选择线控制，其中驱动晶体管的第二电极连接到阳极金属化触点之一。79.实施例（c）。根据实施例（a）或实施例（b）所述的led阵列，其中相邻台面的顶表面包括第三n型层。80.实施例（d）。根据实施例（a）至（c）中任一实施例所述的led阵列，还包括：在相邻台面的n型层上的第三颜色有源区，并且相邻台面包括包含第三p型层的顶表面；第三台面，包括第一led、第二led、第二隧道结、和第二隧道结上的第三n型层；分隔相邻台面和第三台面的第二沟槽；在第一沟槽中并且与相邻台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化；在第二沟槽中并且与第三台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化，以及在第一沟槽中与相邻台面的第一颜色有源区、第二颜色有源区和第三颜色有源区电接触的阴极金属化；和第三台面的第三n型层上的阳极金属化触点。81.实施例（e）。根据实施例（d）所述的led阵列，其中相邻台面的第三p型层是非蚀刻p型层。82.实施例（f）。根据实施例（d）所述的led阵列，其中所述第一颜色有源区是蓝色有源区，并且所述第二颜色有源区是绿色有源区。83.实施例（g）。根据实施例（d）所述的led阵列，其中所述第一颜色有源区是蓝色有源区，所述第二颜色有源区是绿色有源区，并且所述第三颜色有源区是红色有源区。84.实施例（h）。根据实施例（a）至（g）中任一项所述的led阵列，其中所述第一p型层、所述第二p型层、所述第一n型层和所述第二n型层包括iii族氮化物材料。85.实施例（i）。根据实施例（h）所述的led阵列，其中所述iii族氮化物材料包括gan。86.实施例（j）。根据实施例（d）所述的led阵列，其中第一p型层、第二p型层、第三p型层、第一n型层、第一n型层、第二n型层和第三n型层包括iii族氮化物材料。87.实施例（k）。根据实施例（j）所述的led阵列，其中所述iii族氮化物材料包括gan。88.实施例（l）。根据实施例（a）至（k）中任一项所述的led阵列，其中所述第一台面具有侧壁并且所述相邻台面具有侧壁，并且第一台面侧壁和相邻台面侧壁与其上形成有台面的衬底的顶表面形成在从60度至小于90度的范围内的角度。89.实施例（m）。一种电子系统，包括：实施例（b）所述的led阵列；以及被配置为向一个或多个阳极触点提供独立电压的驱动器电路。90.实施例（n）。根据实施例（m）所述的电子系统，其中所述电子系统选自由基于led的灯具、发光条、发光片、光学显示器、和microled显示器组成的组。91.实施例（o）。一种制造led阵列的方法，该方法包括：形成第一台面，该第一台面包括顶表面、至少一个第一led、和第一隧道结，至少一个第一led包括第一p型层、第一n型层和第一颜色有源区，第一隧道结在第一led上，顶表面包括在第一隧道结上的第二n型层；形成相邻台面，该相邻台面包括第一led、第二led，第二led包括第二n型层、第二p型层和第二颜色有源区；在相邻台面的第二led上形成第二隧道结，并在相邻台面p型层的第二隧道结上形成第三n型层；形成分隔第一台面和相邻台面的第一沟槽；以及在第一台面的第二n型层上和相邻台面的第三n型层上形成阳极金属化触点。92.实施例（p）。根据实施例（o）的方法，还包括形成薄膜晶体管（tft）驱动器，该薄膜晶体管驱动器包括具有第二电极和连接到vdd线的第一电极的驱动晶体管、连接到驱动晶体管的第二电极的电容器、和连接到选择晶体管的第一电极，并且选择晶体管具有第一电极和第二电极，选择晶体管的第二电极连接到数据线，其中选择晶体管被配置为由选择线控制，其中驱动晶体管的第二电极连接到阳极金属化触点之一。93.实施例（q）。根据实施例（o）或实施例（p）的方法，还包括形成包含第三n型层的相邻台面的顶表面。94.实施例（r）。根据实施例（o）至（q）中任一实施例所述的方法，还包括：在相邻台面的n型层上形成第三颜色有源区，并且相邻台面包括包含第三p型层的顶表面；形成第三台面，该第三台面包括顶表面、第一led、第二led、第二隧道结，并且包括第二隧道结上的第三n型层；和第三颜色有源区，第三台面的顶表面包括第三n型层；形成分隔相邻台面和第三台面的第二沟槽；在第一沟槽中形成阴极金属化，其与相邻台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触；在第二沟槽中形成与第三台面的第一颜色有源区和第二颜色有源区电接触的阴极金属化，并且在第一沟槽中形成与第二相邻台面的第一颜色有源区、第二颜色有源区和第三颜色有源区电接触的阴极金属化，并且在第一沟槽中形成与第三颜色有源区电接触的n型金属化；以及在第三台面的第三n型层上形成阳极金属化触点。95.实施例（s）。根据实施例（r）所述的方法，其中第一led、第二led和第三led中的每一个包括外延沉积的iii族氮化物材料。96.实施例（t）。根据实施例（s）所述的方法，其中第一led、第二led和第三led形成在衬底上，并且其中第一沟槽和第二沟槽通过蚀刻沟槽形成，以形成第一台面、相邻台面和第三台面。97.在描述本文所讨论的材料和方法的上下文中（尤其是在以下权利要求的上下文中），术语“一”和“一个”和“该”以及类似指称的使用应被解释为涵盖单数和复数两者，除非本文中以其他方式指示或者与上下文明显矛盾。除非本文中以其他方式指示，否则本文中值的范围的叙述仅旨在用作单独提及落入该范围内的每个单独值的速记方法，并且每个单独数值都被结合到本说明书中，如同其在本文中被单独叙述一样。除非本文中以其他方式指示或与上下文以其他方式明显矛盾，否则本文描述的所有方法都可以以任何合适的顺序执行。本文提供的任何和所有示例或示例性语言（例如，“诸如”）的使用仅旨在更好地阐明材料和方法，并且除非以其他方式要求保护，否则不对范围构成限制。本说明书中的任何语言都不应该被解释为指示任何未要求保护的元件对于实践所公开的材料和方法是必不可少的。98.遍及本说明书，提及术语第一、第二、第三等可以在本文中用来描述各种元件，并且这些元件不应该被这些术语所限制。这些术语可以用于区分一个元件与另一个元件。99.遍及本说明书，提及层、区域或衬底在另一个元件“上”或延伸到另一个元件“上”，意味着它可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在中间元件。当一个元件被称为“直接在”另一个元件上或“直接延伸到”另一个元件上时，可能没有中间元件的存在。此外，当一个元件被称为“连接”或“耦合”到另一个元件时，它可以直接连接或耦合到另一个元件和/或经由一个或多个中间元件连接或耦合到另一个元件。当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦合”到另一个元件时，在该元件和另一个元件之间没有中间元件的存在。将理解，除了各图中描绘的任何取向之外，这些术语旨在涵盖元件的不同取向。100.诸如“下方”、“上方”、“上边”、“下边”、“水平”或“垂直”的相对术语在本文中可以用于描述一个元件、层或区域相对于如各图中所图示的另一个元件、层或区域的关系。将理解，除了各图中描绘的取向之外，这些术语旨在涵盖器件的不同取向。101.遍及本说明书，提及“一个实施例”、“某些实施例”、“一个或多个实施例”或“实施例”意味着结合实施例描述的特定特征、结构、材料或特性包含在本公开的至少一个实施例中。因此，诸如“在一个或多个实施例中”、“在某些实施例中”、“在一个实施例中”或“在一实施例中”之类的短语在遍及本说明书各处的出现不一定指代本公开的同一实施例。在一个或多个实施例中，特定的特征、结构、材料或特性以任何合适的方式组合。102.尽管已经参考特定实施例描述了本公开，但是应理解，这些实施例仅仅是本公开的原理和应用的说明。对于本领域技术人员来说，将清楚的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，可以对本公开的方法和装置进行各种修改和变化。因此，意图是本公开包括在所附权利要求及其等同物的范围内的修改和变化。









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