存储装置及其操作方法与流程

信息存储应用技术1.本发明属于存储技术领域，涉及一种存储装置及其操作方法。背景技术：2.以目前而言，对于存储容量需求愈来愈高。故而，三层单元(triple-level cells，tlc)、四层单元(quad-level cells，qlc)与五层单元(penta-level cells，qlc)等闪存已被发展出，可增加存储密度。3.然而，在进行编程时，可能会遇到编程电荷水平扩散或垂直扩散(spread)，特别是高阈值电压情况下。在短程(short term)(短于毫秒)情况下，快速电荷水平移动所导致的“下限(lower bound，lb)阈值电压扩散”必需加以控制。在长程(long term)(长于毫秒)情况下，由于电荷水平移动所导致的保持电荷损失(retention charge loss)也必需抑制。技术实现要素：4.本发明有关于一种存储装置及其操作方法，能有效抑制电荷水平移动所导致的阈值电压扩散与保持电荷损失。5.根据本公开的一实例，提出一种存储装置的操作方法，该存储装置包括多条字线，该存储装置的操作方法包括：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。6.根据本公开的一实例，提出一种存储装置，包括：一控制器；以及一存储阵列，耦接至该控制器，该存储阵列包括多条字线。该控制器架构成：对这些字线执行一预充操作，在一第一回合中，对这些字线的一第一被选字线群组施加一被选字线电压且对这些字线的一第一未选字线群组施加一未选字线电压，在一第二回合中，对这些字线的一第二被选字线群组施加该被选字线电压且对这些字线的一第二未选字线群组施加该未选字线电压，其中，该第一被选字线群组不同于该第二被选字线群组且该第一未选字线群组不同于该第二未选字线群组；对这些字线执行一擦除操作；以及对这些字线执行一编程操作。7.为了对本发明之上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下。附图说明8.图1a绘示根据本公开一实施例的存储装置的功能方框图。9.图1b绘示根据本公开一实施例的存储阵列的示意图。10.图2绘示根据本公开一实施例的存储装置的操作方法流程图。11.图3a显示根据本公开一实施例的电压波形图。12.图3b显示根据本公开另一实施例的电压波形图。13.图4a与图4b显示根据本公开第一实施例的预充操作回合示意图。14.图5a与图5b显示根据本公开第二实施例的预充操作回合示意图。15.图6a至图6d显示根据本公开第三实施例的预充操作回合示意图。16.图7a显示根据本公开一实施例与现有技术的短期阈值电压(vt)扩散比较图。17.图7b显示出阈值电压(vt)宽度缩小比例。18.图8a显示根据本公开一实施例与现有技术的高温长期阈值电压扩散比较图。19.图8b显示出下限(low bound)阈值电压保持损失。20.【符号说明】21.100：存储装置22.110：控制器23.120：存储阵列24.bl：位线25.ssl：串选择线26.gsl：整体选择线27.dwl_inner：内冗余字线28.dwl_outer：外冗余字线29.wl1～wln：字线30.210～230：步骤31.l7a1～l7g1、l7a2～l7g2：曲线32.l8a1～l8g1、l8a2～l8g2、l8a3～l8g3、l81～l82：曲线具体实施方式33.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。34.本说明书的技术用语参照本技术领域的习惯用语，如本说明书对部分用语有加以说明或定义，该部分用语的解释以本说明书的说明或定义为准。本公开的各个实施例分别具有一个或多个技术特征。在可能实施的前提下，本技术领域技术人员可选择性地实施任一实施例中部分或全部的技术特征，或者选择性地将这些实施例中部分或全部的技术特征加以组合。35.请参照图1a，其绘示根据本公开一实施例的存储装置100的功能方框图。存储装置100包括：控制器110与存储阵列120。控制器110耦接至存储阵列120。控制器110控制存储阵列120的操作，例如但不受限于，预充(pre-filling)操作、擦除(erase)操作、编程(programming)操作等。36.请参照图1b，其绘示根据本公开一实施例的存储阵列120的示意图。存储阵列120包括：多个位线bl、串选择线ssl、整体选择线gsl、多条内冗余字线dwl_inner、多条外冗余字线dwl_outer与多条字线wl1～wln(n为正整数)。37.请参照图2，其绘示根据本公开一实施例的存储装置的操作方法流程图。在步骤210中，执行预充操作。在步骤220中，执行擦除操作。在步骤230中，执行编程操作。在本公开一可能实施例中，擦除操作与编程操作的细节在此可不特别限定。底下将说明本公开实施例执行预充操作的细节。38.图3a显示根据本公开一实施例的电压波形图。图3b显示根据本公开另一实施例的电压波形图。在图3a与图3b中，vswl代表施加至至少一被选字线的被选字线电压，vbl代表施加至这些位字线的位线电压，vuwl代表施加至至少一未选字线的未选字线电压，vdwl_outer代表施加至这些外冗余字线dwl_outer的外冗余字线电压，vdwl_inner代表施加至这些内冗余字线dwl_inner的内冗余字线电压，vssl代表施加至该串选择线的串选择线电压，vgsl代表施加至该整体选择线的整体选择线电压。39.在本公开实施例中，每一预充操作回合(loop)包括4个阶段：关闭(off)阶段(t0a与t0b)、第一预导通(pre-on)阶段(t1a与t1b)、第二预导通(pre-on)阶段(t2a与t2b)与预充(pre-filling)阶段(t3a与t3b)。40.现请参考图3a。41.在关闭阶段t0a中，所有电压皆为逻辑低电平(例如但不受限于为0v)。42.在第一预导通阶段t1a中，位线电压vbl转态至逻辑高电平，以预导通位线bl。至于被选字线电压vswl，未选字线电压vuwl，外冗余字线电压vdwl_outer，内冗余字线电压vdwl_inner，串选择线电压vssl与整体选择线电压vgsl则维持逻辑低电平。故而，第一预导通阶段t1a亦可称为位线预导通阶段以预导通位线。43.在第二预导通阶段t2a中，被选字线电压vswl转态至第一被选字线电压vswl1；位线电压vbl维持于逻辑高电平；未选字线电压vuwl转态至逻辑高电平；外冗余字线电压vdwl_outer转态至逻辑高电平；内冗余字线电压vdwl_inner转态至逻辑高电平；以及串选择线电压vssl与整体选择线电压vgsl保持逻辑低电平。故而，第二预导通阶段t2a亦可称为未选字线预导通阶段以预导通未选字线。44.在预充阶段t3a中，被选字线电压vswl由第一被选字线电压vswl1升高至第二被选字线电压vswl2(例如但不受限于，第二被选字线电压vswl2等于vgpgm)；位线电压vbl维持于逻辑高电平；未选字线电压vuwl维持于逻辑高电平；外冗余字线电压vdwl_outer维持于逻辑高电平；内冗余字线电压vdwl_inner维持于逻辑高电平；以及串选择线电压vssl与整体选择线电压vgsl保持逻辑低电平。45.在本公开一可能实施例中，以图3a而言，位线电压vbl的逻辑高电平可为电源vcc的值或更高，电源vcc的值落于1.2v～3.3v之间，而位线电压vbl的逻辑高电平可为1v～4v；第一被选字线电压vswl1大于0v但小于第二被选字线电压vswl2(亦即0＜vswl1＜vswl2)；第二被选字线电压vswl2为编程电压(通常介于15v～25v)之间；未选字线电压vuwl的逻辑高电平则约为编程电压与一第一既定电压(如15v)之间的一差值，所以，未选字线电压vuwl的逻辑高电平介于0v～10v之间；内冗余字线电压vdwl_inner的逻辑高电平则为大于等于存储单元的最高阈值值与一第二既定电压(例如但不受限于，为1.5v)的总和，存储单元的最高阈值值通常为5v～6v之间，所以，内冗余字线电压vdwl_inner的逻辑高电平大于等于6.5v；外冗余字线电压vdwl_oute的逻辑高电平则小于内冗余字线电压vdwl_inner的逻辑高电平与一第三既定电压(例如但不受限于，2v)的差值，所以，外冗余字线电压vdwl_outer的逻辑高电平小于4.5v(例如是介于2v～4.5v之间)。46.现请参考图3b。基本上，关闭阶段t0b与第一预导通阶段t1b相同或相似于关闭阶段t0a与第一预导通阶段t1a，故其细节在此省略。47.在第二预导通阶段t2b中，被选字线电压vswl维持于逻辑低电平；位线电压vbl维持于逻辑高电平；未选字线电压vuwl转态至第一未选字线电压vuwl1；外冗余字线电压vdwl_outer转态至逻辑高电平；内冗余字线电压vdwl_inner转态至逻辑高电平；以及串选择线电压vssl与整体选择线电压vgsl保持逻辑低电平。故而，第二预导通阶段t2b亦可称为未选字线预导通阶段。48.在预充阶段t3b中，被选字线电压vswl转态至逻辑高电平；位线电压vbl维持于逻辑高电平；未选字线电压vuwl由第一未选字线电压vuwl1升高至第二未选字线电压vuwl2；外冗余字线电压vdwl_outer维持于逻辑高电平；内冗余字线电压vdwl_inner维持于逻辑高电平；以及串选择线电压vssl与整体选择线电压vgsl保持逻辑低电平。其中，第二预导通阶段t2b与预充阶段t3b有部分重叠。49.在本公开一可能实施例中，以图3b而言，位线电压vbl的逻辑高电平、内冗余字线电压vdwl_inner的逻辑高电平与外冗余字线电压vdwl_outer的逻辑高电平可相同于图3a。在图3b中，被选字线电压vswl的逻辑高电平可相同编程电压(通常介于15v～25v之间)；第一未选字线电压vuwl1大于0v但小于第二未选字线电压vuwl2(亦即，0＜vuwl1＜vuwl2)；第二未选字线电压vuwl2则可相同于编程电压(通常介于15v～25v之间)与该第一既定电压(例如是15v)之间的一差值(介于0v～10v之间)。50.现将说明本公开实施例的预充操作细节。在进行每一预充操作回合时，从这些字线wl1～wln中选出一个或多目标字线以当成被选字线群组，至于其余的字线则当成未选字线群组。故而，被选字线电压vswl乃是施加至被选字线群组，而未选字线电压vuwl乃是施加至未选字线群组。51.现将说明如何选择“被选字线群组”与“未选字线群组”。52.第一实施例：53.在本公开第一实施例中，将字线wl1～wln分为“奇数字线群组”与“偶数字线群组”。亦即，在第一实施例中，“奇数字线群组”包括：字线wl1、wl3、…、wl(n-1)。“偶数字线群组”包括：字线wl2、wl4、…、wln(当n为正偶整数时)。54.图4a与图4b显示根据本公开第一实施例的预充操作回合示意图。为方便说明，在第一预充操作回合中，将“奇数字线群组”选择为“被选字线群组”而“偶数字线群组”选择为“未选字线群组”，如图4a所示；以及，在第二预充操作回合中，将“偶数字线群组”选择为“被选字线群组”而“奇数字线群组”选择为“未选字线群组”，如图4b所示。当知本公开并不受限于此。55.也就是说，在第一实施例中，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“奇数字线群组”(包括：字线wl1、wl3、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“偶数字线群组”(包括：字线wl2、wl4、…)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“偶数字线群组”(包括：字线wl2、wl4、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“奇数字线群组”(包括：字线wl1、wl3、…)。56.当然本公开并不受限于此，在第一实施例的可能变形例中，在第一预充操作回合中，将“偶数字线群组”选择为“被选字线群组”而“奇数字线群组”选择为“未选字线群组”；以及，在第二预充操作回合中，将“奇数字线群组”选择为“被选字线群组”而“偶数字线群组”选择为“未选字线群组”。此亦在本公开精神范围内。57.由上述可知，在第一实施例中，二回合即可完成预充操作。58.第二实施例59.在本公开第二实施例中，将字线wl1～wln分为“第一字线群组”与“第二字线群组”。“第一字线群组”包括多个“第一字线子群组”，各“第一字线子群组”包括相邻的连续i条(i为正整数)字线，而“第二字线群组”包括多个“第二字线子群组”，各“第二字线子群组”包括相邻的连续j条(j为正整数)字线。其中，这些“第一字线子群组”与这些“第二字线子群组”彼此交错。60.在第二实施例中，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第一字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第二字线群组”。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”。当然本公开并不受限于此。61.为方便了解，底下举几个实例用以解释第二实施例。62.图5a与图5b显示根据本公开第二实施例的预充操作回合示意图。请参考图5a与图5b。以i＝2而j＝1为例做说明。在字线wl1～wln中，字线wl1与wl2属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl3属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一；字线wl4与wl5属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl6属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一，其余可依此类推。所以，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“第一字线群组”(字线wl1、wl2、wl4、wl5、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“第二字线群组”(字线wl3、wl6、…)，如图5a所示。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”，如图5b所示。当然本公开并不受限于此。63.或者是，在本公开第二实施例中，以i＝2而j＝2为例做说明。在字线wl1～wln中，字线wl1与wl2属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl3与wl4属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一；字线wl5与wl6属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl7与wl8属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一，其余可依此类推。所以，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“第一字线群组”(字线wl1、wl2、wl5、wl6、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“第二字线群组”(字线wl3、wl4、wl7、wl8、…)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”。当然本公开并不受限于此。64.或者是，在本公开第二实施例中，以i＝3而j＝1为例做说明。在字线wl1～wln中，字线wl1～wl3属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl4属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一；字线wl5～wl7属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl8属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一，其余可依此类推。所以，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“第一字线群组”(字线wl1～wl3、wl5～wl7、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“第二字线群组”(字线wl4、wl8、…)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”。当然本公开并不受限于此。65.或者是，在本公开第二实施例中，以i＝3而j＝2为例做说明。在字线wl1～wln中，字线wl1～wl3属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl4与wl5属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一；字线wl6～wl8属于“第一字线群组”的“第一字线子群组”之一；字线wl9与wl10属于“第二字线群组”的“第二字线子群组”之一，其余可依此类推。所以，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“第一字线群组”(字线wl1～wl3、wl6～wl8、…)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“第二字线群组”(字线wl4、wl5、wl9、wl10、…)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”。当然本公开并不受限于此。66.在本公开第二实施例的可能变形例中，在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第二字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第一字线群组”。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“第一字线群组”而未选字线电压vuwl乃是施加至“第二字线群组”。此亦在本公开精神范围内。67.由上述可知，在第二实施例中，两个回合即可完成预充操作。68.第三实施例69.将字线wl1～wln分为“被选字线群组”与“未选字线群组”，“被选字线群组”包括相邻的连续k条(k为正整数)字线，而“未选字线群组”包括其余的(n-k)条字线，而且，每一回合选择不同的被选字线。70.为方便了解，底下以k＝2为例做说明，但当知本公开并不受限于此。图6a至图6d显示根据本公开第三实施例的预充操作回合示意图。请参照图6a至图6d。于第三实施例中，第一回合中，选择字线wl1～wl2为“被选字线群组”，而其余字线wl3～wln为“未选字线群组”；第二回合中，选择字线wl3～wl4为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl2、wl5～wln)为“未选字线群组”。第三回合中，选择字线wl5～wl6为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl4、wl7～wln)为“未选字线群组”。第(n/2)回合中，选择字线wl(n-1)～wln为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl(n-2))为“未选字线群组”。在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“被选字线群组”(字线wl1～wl2)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“未选字线群组”(字线wl3～wln)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl3～wl4)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl2、wl5～wln)。接着，在第三预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl5～wl6)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl4、wl7～wln)。依此类推。在第(n/2)预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl(n-1)～wln)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl(n-2))。当然本公开并不受限于此。71.又或者是，于第三实施例的可能变形例中(k＝3)，第一回合中，选择字线wl1～wl3为“被选字线群组”，而其余字线wl4～wln为“未选字线群组”；第二回合中，选择字线wl4～wl6为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl3、wl7～wln)为“未选字线群组”。第三回合中，选择字线wl7～wl9为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl6、wl10～wln)为“未选字线群组”。第(n/3)回合中，选择字线wl(n-2)～wln为“被选字线群组”，而其余字线(wl1～wl(n-3))为“未选字线群组”。在第一预充操作回合中，被选字线电压vswl(如图3a或图3b)乃是施加至“被选字线群组”(字线wl1～wl3)而未选字线电压vuwl(如图3a或图3b)乃是施加至“未选字线群组”(字线wl4～wln)。接着，在第二预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl4～wl6)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl3、wl7～wln)。接着，在第三预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl7～wl9)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl6、wl10～wln)。依此类推。在第(n/3)预充操作回合中，被选字线电压vswl乃是施加至“被选字线群组”(wl(n-2)～wln)而未选字线电压vuwl乃是施加至“未选字线群组”(wl1～wl(n-3))。72.现请参考图7a，其显示根据本公开一实施例与现有技术的短期阈值电压(vt)扩散比较图。在图7a中，曲线l7a1～l7g1代表应用本公开一实施例的存储装置分别在状态a(a state)至状态g(g state)下的短期阈值电压(vt)分布曲线；曲线l7a2～l7g2代表现有存储装置(未应用本公开实施例)分别在状态a至状态g下的短期阈值电压分布曲线。73.现请参考图7b，其显示出阈值电压(vt)宽度缩小比例，其中，横轴的a至g分别代表状态a至状态g，而纵轴则代表在状态a至状态g下的阈值电压宽度缩小比例，阈值电压宽度缩小比例乃是定义为，分别在状态a至状态g下，“应用本公开一实施例的存储装置的短期阈值电压分布宽度”对“现有存储装置(未应用本公开实施例)的短期阈值电压分布宽度”的比例。例如，在状态a下，“应用本公开一实施例的存储装置的短期阈值电压分布宽度”介于为0.45v～0.7v，而“现有存储装置(未应用本公开实施例)的短期阈值电压分布宽度”为0.5v～1v，故而，阈值电压宽度缩小比例为0.7～0.9。74.由图7a与图7b可以看出，本公开一实施例的确可以有效使得短期阈值电压(vt)分布变窄(窄化程度可以达到10％以上)。75.现请参考图8a，其显示根据本公开一实施例与现有技术的高温长期阈值电压扩散比较图。在图8a中，曲线l8a1～l8g1代表应用本公开一实施例的存储装置分别在状态a(a state)至状态g(g state)下的高温长期阈值电压分布曲线(高温长期是指，在进行编程后，放置一段长时期后，在高温环境下所测量到的阈值电压分布曲线)；曲线l8a2～l8g2代表现有存储装置(未应用本公开实施例)分别在状态a至状态g下的高温长期阈值电压分布曲线；曲线l8a3～l8g3代表现有存储装置(未应用本公开实施例)分别在状态a至状态g下的阈值电压分布曲线(编程后立即测试所得)。76.现请参考图8b，其显示出下限(low bound)阈值电压保持损失，其中，横轴的a至g分别代表状态a至状态g。77.曲线l81代表，将曲线l8a1～l8g1减去曲线l8a3～l8g3后所得的数值，而曲线l82代表，将曲线l8a2～l8g2减去曲线l8a3～l8g3后所得的数值。将曲线l81在状态a至状态g的数值加总可得到约-2.7v，而将曲线l82在状态a至状态g的数值加总可得到约-3.6v。故而，本公开实施例可以得到的改善约为0.9v(-2.7v-3.6v＝0.9v)。78.由图8a与图8b可以看出，本公开一实施例的确可以有效使得高温长期阈值电压(vt)分布变窄。79.在本公开实施例中，利用所施加的被选字线电压与未选字线，可以大幅提升通道电平，进而利用所产生的热载流子(hot carrier)来填满空间区域(space region)。进而，被载流子填满的空间区域可抑制由于电荷快速水平所导致的阈值电压扩散，进而使得阈值电压分布变窄。甚至，被载流子填满的空间区域可减少长期电荷水平移动，进而改变电荷保持损失。80.在本公开实施例中，一个回合的操作时间约为数百个μs，故而，本公开实施例比现有技术(需要数毫秒(ms))的操作时间快上约10倍左右。81.本公开实施例可应用于三维(3d)闪存，例如，垂直通道(vertical channel)型三维闪存，垂直栅极(vertical gate)型三维闪存，电荷俘获(charge trapping)型三维闪存，浮接栅(floating gate)型三维闪存。82.综上所述，虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域具有公知常识的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的改动与润饰。因此，本发明的保护范围当以权利要求所界定的范围为准。83.以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。









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