一种隐埋电阻金属箔及印制板的制作方法

其他产品的制造及其应用技术1.本实用新型属于印制板生产制造技术领域，尤其涉及一种隐埋电阻金属箔及印制板。背景技术：2.随着电子产品小型化的发展趋势，对电子产品的封装密度和体积提出了更高的要求，而将电阻等无源器件隐埋到印制板中是一种减小电子产品尺寸的有效手段。现有的带隐埋电阻的印制板一般包括电阻层和铜箔层，其中，铜箔层直接采用成品的铜筒，通常将铜箔与电阻层相压合，从而应用于制造带隐埋电阻的印制板。3.目前，隐埋电阻的制作通常设置有支撑体，如果支撑体外涂覆有胶，胶直接与电阻层接触，电阻层可能存在有针孔，但即使针孔足够细微，胶也可能渗入针孔内，影响电阻层的性能。同时，当埋阻金属箔蚀刻形成电阻线路时，导电层形成导电端，电阻层直接裸露在外，也容易导致电阻层受损。此外，现有的隐埋电阻存在层间热应力，并且易受环境干扰。4.cn214014636u公开了一种埋阻金属箔及印制板，所述埋阻金属箔包括调节层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述调节层设于电阻层的一面，导电层设于电阻层的另一面，所述电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在-10％～10％的范围内。该埋阻金属箔通过设置调节层，有效确保了电阻层粗糙度的均匀性。5.cn214014626u公开了一种埋阻金属箔，所述埋阻金属箔包括载体层、剥离层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述剥离层设在所述载体层的一面上，所述电阻层设于剥离层和所述导电层之间，且所述导电层镀设于所述电阻层远离所述载体层的一面上。该埋阻金属箔避免了铜箔与电阻层相压合导致的电阻层表面粗糙度不均匀的问题。6.cn214627497u公开了一种埋阻金属箔，其包括阻隔层和埋阻金属箔本体，所述埋阻金属箔本体包括电阻层和导电层，所述阻隔层设于所述电阻层和所述导电层之间，导电层镀设于阻隔层远离所述电阻层的一面上，电阻层上任意一处的预设单位面积内的阻值公差在-10％～10％的范围内。通过在电阻层与导电层之间设置阻隔层，当埋阻金属箔蚀刻形成电阻线路后，导电层形成导电端，电阻层与导电层之间的阻隔层避免电阻层直接裸露在外。7.上述文献均有效改善了埋阻金属箔的性能，但是并未考虑到载体层与电阻层在高温条件下容易相互扩散，剥离困难，以及载体层表面的胶液容易渗入导电层针孔，影响电阻层性能的问题；也未考虑到现有隐埋电阻存在层间热应力，并且易受环境干扰的问题。因此，急需开发一种新型隐埋电阻金属箔来解决上述问题。技术实现要素：8.针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种隐埋电阻金属箔及印制板，有效解决了载体层与电阻层在高温条件下容易相互扩散，剥离困难，以及载体层涂覆的胶液容易渗入导电层针孔，影响电阻层性能的问题，并且能够降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。此外，本实用新型提供的隐埋电阻金属箔有效避免了电阻层裸露在外，容易受损的现象。9.为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：10.第一方面，本实用新型提供了一种隐埋电阻金属箔，所述隐埋电阻金属箔包括载体层，在所述载体层的表面依次层叠有第一阻隔层、电阻层、第二阻隔层和导电层，所述第一阻隔层包括由所述载体层的表面依次层叠的氮化硅层、氮化铝层和氧化铝层。11.本实用新型中，在载体层和电阻层之间设置有第一阻隔层，有效避免了载体层与电阻层在高温压合条件下容易发生相互扩散，导致载体层与电阻层粘结而难以剥离，进而将载体层从电阻层上剥离时，电阻层上出现较多的针孔，进一步加剧电阻层的电阻阻值方向性的问题；并且将载体层从电阻层上剥离时，第一阻隔层能够留在电阻层上，能够防止电阻层氧化。本实用新型在电阻层和导电层之间增设第二阻隔层，对电阻层形成保护，避免导电层形成导电端后，电阻层直接裸露在外。此外，载体层包括聚酰亚胺层或聚对苯二甲酸乙二醇酯层等。12.同时，本实用新型中，第一阻隔层包括由载体层的表面依次层叠的氮化硅层、氮化铝层和氧化铝层，氮化硅层、氮化铝层和氧化铝层的热匹配系数不同，可以达到不同层间热应力逐级过渡的效果，降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。13.本实用新型提供的隐埋电阻金属箔，有效解决了载体层与电阻层在高温条件下容易相互扩散，剥离困难，以及载体层涂覆的胶液容易渗入导电层针孔，影响电阻层性能的问题，并且能够降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。此外，本实用新型提供的隐埋电阻金属箔有效避免了电阻层裸露在外，容易受损的现象。14.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述第一阻隔层中氮化硅层、氮化铝层和氧化铝层的厚度分别独立的为50～150nm，例如可以是50nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或150nm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。15.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述第二阻隔层包括氮化硅层、氮化铝层或氧化铝层中的任意一种或至少两种的组合。16.本实用新型中，第二阻隔层可以是氮化硅层，可以是氮化铝层，也可以是氧化铝层，第二阻隔层还可以是由电阻层表面依次层叠的氮化硅层和氮化铝层，也可以是是由电阻层表面依次层叠的氮化硅层和氧化铝层，也可以是由电阻层表面依次层叠的氮化铝层或氧化铝层，还可以是由电阻层表面依次层叠的氮化硅层、氮化铝层和氧化铝层。此外，第二阻隔层的厚度可以与第一阻隔层相同，也可以不同，第二阻隔层中各层的厚度也可以与第一阻隔层中各层的厚度相同，也可以不同，根据实际的工艺需要和条件进行选择即可。17.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述电阻层包括镍、铬、铂、钯或钛中的任意一种，或者所述电阻层包括镍、铬、铂、钯、钛、磷或硅中至少两种组合的合金。18.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述载体层和第一阻隔层之间还设置有介质层。19.本实用新型中，介质层为剥离层或剥离剂，介质层的设置可以使得载体层不容易脱落，并且在后续使用隐埋电阻金属箔时，也能很好地将载体层与电阻层剥离，即保证载体层和电阻层之间具有良好的剥离强度。20.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述介质层的厚度为10～100埃，例如可以是10埃、20埃、30埃、40埃、50埃、60埃、70埃、80埃、90埃或100埃，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。21.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述导电层的厚度为2～20μm，例如可以是2μm、4μm、6μm、8μm、10μm、12μm、14μm、16μm、18μm或20μm，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。22.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述导电层的电导率为所述电阻层的导电率的2～1000倍，例如可以是2倍、100倍、200倍、300倍、400倍、500倍、600倍、700倍、800倍、900倍或1000倍，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。23.作为本实用新型一种优选的技术方案，所述导电层包括铝、铜或金中的任意一种或至少两种的组合。24.本实用新型中，采用化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀或混合镀中的任意一种或至少两种的组合将导电层镀设于第二阻隔层的表面，无需采用成品的铜箔与电阻层相压合的方式形成埋阻金属箔，因此有效地避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层相压合而导致电阻层表面粗糙度不均匀，进而造成电阻层各个方向的单位面积的阻值不同的问题。25.需要说明的是，本实用新型中所采用的材料均为本领域的已知材料。26.第二方面，本实用新型提供了一种印制板，所述印制板包括第一方面所述的隐埋电阻金属箔。27.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：28.本实用新型提供的隐埋电阻金属箔具有较高精度，有效解决了载体层与电阻层在高温条件下容易相互扩散，剥离困难，以及载体层涂覆的胶液容易渗入导电层针孔，影响电阻层性能的问题，并且能够降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。此外，本实用新型提供的隐埋电阻金属箔有效避免了电阻层裸露在外，容易受损的现象。附图说明29.图1为本实用新型一个具体实施方式中提供的一种隐埋电阻金属箔的结构示意图。30.图2为本实用新型一个具体实施方式中提供的隐埋电阻金属箔中第一阻隔层的结构示意图。31.图3为本实用新型一个具体实施方式中提供的一种带介质层的隐埋电阻金属箔的结构示意图。32.其中，1-载体层；2-第一阻隔层；3-电阻层；4-第二阻隔层；5-导电层；6-氮化硅层；7-氮化铝层；8-氧化铝层；9-介质层。具体实施方式33.需要理解的是，在本实用新型的描述中，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。34.需要说明的是，在本实用新型的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。35.下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本实用新型的技术方案。36.在一个具体实施方式中，本实用新型提供了一种隐埋电阻金属箔，如图1所示，所述隐埋电阻金属箔包括载体层1，在所述载体层1的表面依次层叠有第一阻隔层2、电阻层3、第二阻隔层4和导电层5，如图2所示，所述第一阻隔层2包括由所述载体层1的表面依次层叠的氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8。37.本实用新型中，在载体层1和电阻层3之间设置有第一阻隔层2，有效避免了载体层1与电阻层3在高温压合条件下容易发生相互扩散，导致载体层1与电阻层3粘结而难以剥离，进而将载体层1从电阻层3上剥离时，电阻层3上出现较多的针孔，进一步加剧电阻层3的电阻阻值方向性的问题；并且将载体层1从电阻层3上剥离时，第一阻隔层2能够留在电阻层3上，能够防止电阻层3氧化。此外，本实用新型在电阻层3和导电层5之间增设第二阻隔层4，对电阻层3形成保护，避免导电层5形成导电端后，电阻层3直接裸露在外。38.同时，本实用新型中，第一阻隔层2包括由载体层1的表面依次层叠的氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8，氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8的热匹配系数不同，可以达到不同层间热应力逐级过渡的效果，降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。39.本实用新型提供的隐埋电阻金属箔，有效解决了载体层1与电阻层3在高温条件下容易相互扩散，剥离困难，以及载体层1涂覆的胶液容易渗入导电层5针孔，影响电阻层3性能的问题，并且能够降低隐埋电阻技术箔层间热应力，提高其抗环境干扰能力。此外，本实用新型提供的隐埋电阻金属箔有效避免了电阻层3裸露在外，容易受损的现象。40.进一步地，所述第一阻隔层2中氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8的厚度分别独立的为50～150nm。41.进一步地，所述第二阻隔层4包括氮化硅层6、氮化铝层7或氧化铝层8中的任意一种或至少两种的组合。42.本实用新型中，第二阻隔层4可以是氮化硅层6，可以是氮化铝层7，也可以是氧化铝层8，第二阻隔层4还可以是由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6和氮化铝层7，也可以是是由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6和氧化铝层8，也可以是由电阻层3表面依次层叠的氮化铝层7或氧化铝层8，还可以是由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8。此外，第二阻隔层4的厚度可以与第一阻隔层2相同，也可以不同，第二阻隔层4中各层的厚度也可以与第一阻隔层2中各层的厚度相同，也可以不同。43.进一步地，所述电阻层3包括镍、铬、铂、钯或钛中的任意一种，或者所述电阻层3包括镍、铬、铂、钯、钛、磷或硅中至少两种组合的合金。44.进一步地，如图3所示，所述载体层1和第一阻隔层2之间还设置有介质层9。45.本实用新型中，介质层9为剥离层或剥离剂，介质层9的设置可以使得载体层1不容易脱落，并且在后续使用隐埋电阻金属箔时，也能很好地将载体层1与电阻层3剥离，即保证载体层1和电阻层3之间具有良好的剥离强度。46.进一步地，所述介质层9的厚度为10～100埃。47.进一步地，所述导电层5的厚度为2～20μm；所述导电层5的电导率为所述电阻层3的导电率的2～1000倍；所述导电层5包括铝、铜或金中的任意一种或至少两种的组合。48.本实用新型中，采用化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀或混合镀中的任意一种或至少两种的组合将导电层5镀设于第二阻隔层4的表面，无需采用成品的铜箔与电阻层3相压合的方式形成埋阻金属箔，因此有效地避免了现有技术中由于表面粗糙度不均匀的铜箔直接与电阻层3相压合而导致电阻层3表面粗糙度不均匀，进而造成电阻层3各个方向的单位面积的阻值不同的问题。49.在另一具体实施方式中，本实用新型提供了一种印制板，所述印制板包括上述具体实施方式中提供的所述的隐埋电阻金属箔。50.实施例151.本实施例提供了一种隐埋电阻金属箔，所述隐埋电阻金属箔包括载体层1，在载体层1的表面依次层叠有介质层9、第一阻隔层2、电阻层3、第二阻隔层4和导电层5，其中，载体层1为聚酰亚胺层；介质层9为厚度是50埃的剥离层；第一阻隔层2为由载体层1的表面依次层叠的氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8，氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8的厚度均为100nm；电阻层3为镍层；第二阻隔层4为由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6、氮化铝层7和氧化铝层8；导电层5为厚度是10μm的铝层，导电层5的导电率为电阻层3导电率的500倍。52.实施例253.本实施例提供了一种隐埋电阻金属箔，所述隐埋电阻金属箔包括载体层1，在载体层1的表面依次层叠有介质层9、第一阻隔层2、电阻层3、第二阻隔层4和导电层5，其中，载体层1为聚对苯二甲酸乙二醇酯层；介质层9为厚度是10埃的剥离层；第一阻隔层2为由载体层1的表面依次层叠的厚度为50nm的氮化硅层6、厚度为150nm的氮化铝层7和厚度为50nm氧化铝层8；电阻层3为铬层；第二阻隔层4为由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6和氮化铝层7；导电层5为厚度是2μm的铜层，导电层5的导电率为电阻层3导电率的2倍。54.实施例355.本实施例提供了一种隐埋电阻金属箔，所述隐埋电阻金属箔包括载体层1，在载体层1的表面依次层叠有介质层9、第一阻隔层2、电阻层3、第二阻隔层4和导电层5，其中，载体层1为聚对苯二甲酸乙二醇酯层；介质层9为厚度是100埃的剥离层；第一阻隔层2为由载体层1的表面依次层叠的厚度为150nm的氮化硅层6、厚度为50nm的氮化铝层7和厚度为150nm氧化铝层8；电阻层3为镍磷合金层；第二阻隔层4为由电阻层3表面依次层叠的氮化硅层6；导电层5为厚度是20μm的金层，导电层5的导电率为电阻层3导电率的1000倍。56.申请人声明，以上所述仅为本实用新型的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本实用新型的保护范围和公开范围之内。









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