电气元件制品的制造及其应用技术1.本公开例如涉及一种背面照射型的固态成像装置。背景技术:2.近年来,通过接合具有不同特性和功能的晶圆、芯片等,促进了半导体装置的功能改善和功能数量的增加。在这种半导体装置中,需要将多个晶圆、芯片彼此电气连接,并且它们的对准很重要。例如,专利文献1公开了一种成像元件,其通过在对准标记和配置在对准标记背面侧的遮光层部之间设置透光层部来提高对准标记的检测精度。3.引用文献列表4.专利文献5.专利文献1:日本特开2014-157885号公报技术实现要素:6.如上所述,对于成像元件,期望准确地执行各种部件相对于传感器基板的对准。7.期望提供一种可以高精度对准的固态成像装置。8.根据本技术一个实施方案的第一固态成像装置包括第一基板、一个或多个第二基板、第一配线层、第二配线层和第一对准部。所述第一基板包括在其内埋入形成有多个光电转换部的第一半导体基板和形成在所述第一半导体基板的一个面侧的多层配线层。所述多个光电转换部包括在传感器像素中。所述一个或多个第二基板隔着所述多层配线层与所述第一基板贴合。所述第一配线层设置在所述多层配线层内并且包括以大致相同的第一间距形成的多条第一金属细线。所述第二配线层在所述多层配线层内层叠在所述第一配线层的上方并且包括在平面图中在所述多条第一金属细线之间以大致相同的第二间距形成的多条第二金属细线。所述第一对准部在所述多层配线层内形成在所述第二配线层的上方。9.根据本技术一个实施方案的第二固态成像装置包括第一基板、一个或多个第二基板、第一对准部和配线层。所述第一基板包括在其内埋入形成有多个光电转换部的第一半导体基板和形成在所述第一半导体基板的一个面侧的多层配线层。所述多个光电转换部包括在传感器像素中。所述一个或多个第二基板隔着所述多层配线层与所述第一基板贴合。所述第一对准部设置在所述多层配线层内并且由具有预定波长的检测光检测。所述配线层在所述多层配线层内形成在所述第一对准部的下方并且包括以小于所述检测光的波长的间距形成的多条金属细线。10.在根据本公开一个实施方案的第一固态成像装置中,第一配线层、第二配线层和第一对准部设置在其中第一半导体基板和多层配线层彼此层叠的第一基板的多层配线层内。所述第一半导体基板是在其内埋入形成有多个光电转换部的基板。所述多个光电转换部包括在传感器像素中。所述第一配线层包括以大致相同的第一间距形成的多条第一金属细线。所述第二配线层层叠在所述第一配线层的上方并且包括在平面图中在所述多条第一金属细线之间以大致相同的第二间距形成的多条第二金属细线。所述第一对准部在所述多层配线层内形成在所述第二配线层的上方。在根据本公开实施方案的第二固态成像装置中,第一对准部和配线层设置在多层配线层内。所述第一对准部由具有预定波长的检测光检测。所述配线层形成在所述第一对准部的下方并且包括以小于所述检测光的波长的间距形成的多条金属细线。因此,具有大致均匀的反射特性的反射区域形成在所述第一对准部的下层中。附图说明11.图1是根据本公开第一实施方案的固态成像装置的构成的示意性截面图。12.图2是示出图1所示的固态成像装置的层叠结构的示例的示意图。13.图3是示出图1所示的固态成像装置的构成例的框图。14.图4是示出图1所示的对准标记和反射区域中包括的多条金属细线的平面布局和由此获得的边缘的强度对比的示例的图。15.图5是示出根据本实施方案的对准标记和反射区域中包括的多条金属细线的平面布局的另一示例和由此获得的边缘对比度的强度的图。16.图6是示出根据本实施方案的对准标记和反射区域中包括的多条金属细线的平面布局的另一示例和由此获得的边缘对比度的强度的图。17.图7是示出反射区域的构成例的示意性截面图。18.图8是示出反射区域的另一构成例的示意性截面图。19.图9是示出反射区域的构成的对准光源波长依赖性的特性图。20.图10是示出根据本公开第二实施方案的固态成像装置的构成的示意性截面图。21.图11是说明图10所示的对准标记和反射区域的示意性平面图。22.图12a是示出图10所示的反射区域的另一构成例的示意性平面图。23.图12b是示出图10所示的反射区域的另一构成例的示意性平面图。24.图12c是示出图10所示的反射区域的另一构成例的示意性平面图。25.图12d是示出图10所示的反射区域的另一构成例的示意性平面图。26.图13是示出图1等所示的固态成像装置包括的成像系统的示意性构成的示例的图。27.图14是示出图13的成像系统中的成像过程的示例的图。28.图15是示出车辆控制系统的示意性构成的示例的框图。29.图16是辅助说明车外信息检测单元和成像单元的安装位置的示例的图。30.图17是示出内窥镜手术系统的示意性构成的示例的图。31.图18是示出摄像头和相机控制单元(ccu)的功能构成的示例的框图。具体实施方式32.以下参照附图详细说明本公开的实施方案。以下说明是本公开的具体例,但本公开不限于以下方式。另外,本公开也不限于各图中所示的各构成要素的配置、尺寸、尺寸比等。注意,按以下顺序进行说明。33.1.第一实施方案(其中对准标记的反射区域形成在两层或更多层上的示例)34.1-1.固态成像装置的概略构成35.1-2.对准标记的构成36.1-3.作用和效果37.2.第二实施方案(反射区域由以比检测光的波长短的间距图案化的多条金属细线形成的示例)。38.3.适用例39.4.应用例40.《1.第一实施方案》41.图1示意性地示出了根据本公开第一实施方案的固态成像装置(固态成像装置1)的截面构成的示例。图2是示出图1所示的固态成像装置1的层叠结构的示例的示意图。注意,图1示出了沿着图2所示的线i-i’截取的截面。固体成像装置1例如是在诸如数码相机或摄像机等电子设备中使用的cmos(互补金属氧化物半导体)图像传感器。固态成像装置1通过光学透镜系统(未示出)接收来自被写体的入射光(图像光),以像素为单位将在成像面上成像的入射光的光量转换为电气信号,并且输出电气信号作为像素信号。42.(1-1.固态成像装置的概略构成)43.固态成像装置1具有其中第一基板100和多个第二基板300(例如,四个第二基板300a、300b、300c和300d)彼此层叠的三维结构。第一基板100具有其中多个单位像素p(传感器像素)以矩阵状二维布置的像素区域100a。在多个第二基板300中形成有逻辑电路、存储器等。44.第一基板100包括第一半导体基板10和多层配线层20。第一半导体基板10具有彼此相对的第一面(前面)10a和第二面(背面)10b。多层配线层20设置在第一半导体基板10的第一面10a上。第二基板300包括第二半导体基板30和多层配线层40。第二半导体基板30具有彼此相对的第一面(前面)30a和第二面(背面)30b。多层配线层40设置在第二半导体基板30的第一面30a上。在固态成像装置1中,第一基板100和第二基板300隔着设置在第一半导体基板10的第一面10a上的多层配线层20和设置在第二半导体基板30的第一面30a上的多层配线层40彼此层叠。第一半导体基板10对应于本公开的“第一半导体基板”的具体例,第二半导体基板30对应于本公开的“第二半导体基板”的具体例。45.第一基板100例如是传感器基板。例如,用于执行光电转换的多个光电二极管(pd)11形成为埋入在第一半导体基板10中。第一半导体基板10的第一面10a设置有例如包括在像素晶体管(未示出)中的多个晶体管。在第一半导体基板10的第二面10b侧,遮光膜12设置在单位像素p之间并且从像素区域100a的周缘部到周边区域100b。另外,平坦化膜13、滤色器14、片上透镜15顺次层叠在第一半导体基板10的第二面10b侧。关于滤色器14,针对每个单位像素p设置对应于rgb的滤色器14r、14g和14b中的一个。46.多层配线层20设置有多个配线层21、22和23。多个配线层21、22和23从第一半导体基板10的第一面10a侧顺次设置在层间绝缘层24的层内。多个配线层21、22和23均包括多个配线。例如,配线层21设置有用于包括在像素晶体管中的多个晶体管的各栅极的栅极配线。配线层22还设置有例如作为多个配线层的八个配线层,即,第一层221、第二层222、第三层223、第四层224、第五层225、第六层226、第七层227和第八层228。它们从配线层21侧顺次设置。配线层23设置有适于与例如设置在配线层22的上层(例如,第七层227和第八层228)中的配线层一起将设置在下层中的配线引出到焊盘电极25的配线。例如,多个焊盘电极25在层间绝缘层24的表面上露出。例如,多个焊盘电极25用于与第二基板300a、300b、300c和300d接合。配线层21和22以及焊盘电极25例如使用铜(cu)形成。配线层23例如使用铝(al)形成。47.第二基板300(例如,第二基板300a)例如是逻辑基板,并且逻辑电路设置在第二半导体基板30的第一面30a上。逻辑电路控制读出电路并且处理从读出电路得到的像素信号。例如,如图3所示,逻辑电路包括垂直驱动电路311、列信号处理电路312、水平驱动电路313、输出电路314、控制电路315、输入/输出端子316以及水平信号线317。48.多层配线层40设置有多个配线层41、42和43。多个配线层41、42和43从第二半导体基板30的第一面30a侧顺次设置在层间绝缘层44的层内。多个配线层41、42和43均包括多个配线。例如,配线层41设置有用于包括在逻辑电路中的多个晶体管的各栅极的栅极配线。配线层42还设置有例如作为多个配线层的六个配线层,即,第一层421、第二层422、第三层423、第四层424、第五层425和第六层426。它们从配线层41侧顺次设置。例如,多个焊盘电极45在层间绝缘层44的表面上露出。多个焊盘电极45用于与第一基板100接合。配线层41与42以及焊盘电极45例如使用铜(cu)形成。配线层43例如使用铝(al)形成。49.图3是示出图1所示的固态成像装置1的构成例的框图。像素区域100a包括例如以矩阵状二维布置的多个单位像素p。例如,这些单位像素p针对各像素行设置有像素驱动线lread(具体地,行选择线和复位控制线),并且针对各像素列设置有垂直信号线lsig。像素驱动线lread适于传输用于从像素读出信号的驱动信号。像素驱动线lread的一端连接到对应于垂直驱动电路311的各行的输出端。50.垂直驱动电路311包括移位寄存器、地址解码器等。垂直驱动电路311例如是以行为单位驱动像素区域100a的各单位像素p的像素驱动部。由垂直驱动电路311选择性地扫描的从像素行的各单位像素p输出的信号通过各个垂直信号线lsig被供给到列信号处理电路312。列信号处理电路312包括针对每个垂直信号线lsig设置的放大器、水平选择开关等。51.水平驱动电路313包括移位寄存器、地址解码器等。水平驱动电路313在扫描列信号处理电路312的各水平选择开关的同时顺次驱动水平选择开关。水平驱动电路313的选择性扫描使得通过各个垂直信号线lsig传输的各像素的信号被顺次输出到水平信号线317,并且通过水平信号线317传输到例如第二半导体基板30的外部。52.输出电路314对经由水平信号线317从各列信号处理电路312顺次供给的信号执行信号处理并输出信号。例如,输出电路314在某些情况下仅执行缓冲,并且在其他情况下执行黑电平调整、列变化校正、各种数字信号处理等。53.包括垂直驱动电路311、列信号处理电路312、水平驱动电路313、水平信号线317和输出电路314的电路部分可以直接形成在第二半导体基板30上,或者可以设置在外部控制ic中。此外,电路部分可以形成在由线缆等连接的另一个基板中。54.控制电路315例如接收从第二半导体基板30的外部供给的时序、指示操作模式的数据等,并且还输出诸如固态成像装置1的内部信息等数据。控制电路315还包括生成各种时序信号的时序发生器。控制电路315基于时序发生器生成的各种时序信号对包括垂直驱动电路311、列信号处理电路312、水平驱动电路313等周边电路执行控制。55.输入/输出端子316与外部交换信号。56.(1-2.对准标记的构成)57.第一基板100与多个第二基板300(300a、300b、300c和300d)的对准例如借助于使用能够透过第二基板300的红外光作为对准光的红外光对准来执行。在本实施方案中,使用形成在两层的每一层中的多条金属细线来形成反射区域x。反射区域x基本上均匀地反射在接合第一基板100与多个第二基板300a、300b、300c和300d时用于对准的对准光。58.通常,对准标记包括反射对准光的标记(金属)和透射对准光的背景(标记以外的区域)。标记被对准光照射,并且使用透射光或反射光执行标记的边缘检测以视觉识别位置。为了提高芯片之间的对准精度,在同时视觉识别两个芯片的标记时进行布局以具有特征形状。这可以在同时识别两个芯片的标记的位置的同时高精度地接合芯片。59.在本实施方案的固态成像装置1中,一对对准标记23m和43m以及反射区域x设置在第一基板100和第二基板300的多层配线层20和40中。这对对准标记23m和43m在接合第一基板100和多个第二基板300a、300b、300c和300d时用于对准。反射区域x用作背景并且均匀地反射对准光(红外光)。60.对准标记23m和43m分别形成在第一基板100和第二基板300的接合面100s2和300s1附近。具体地,对准标记23m例如形成在包括在像素区域100a内的多层配线层20中的配线层23的层内。对准标记43m例如形成在包括在多层配线层40中的配线层43的层内的称为划线的周缘部中。对准标记23m对应于本公开的“第一对准部”,对准标记43m对应于本公开的“第二对准部”。61.反射区域x在平面图中例如形成在对准标记23m的下方。反射区域x包括形成在多个层中的多条金属细线。具体地,反射区域x包括多条金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4,它们分别设置在设有对准标记23m的配线层23的下层中所设置的配线层22的上层的两层(第七层227和第八层228)中。该两层的配线密度小于其他配线层并且配线布局的自由度更高。第七层227对应于本公开的“第一配线层”的具体例,多条金属细线227x1、227x2、227x3和227x4对应于本公开的“多条第一金属细线”。第八层228对应于本公开的“第二配线层”的具体例,多条金属细线228x1、228x2、228x3和228x4对应于本公开的“多条第二金属细线”。62.例如,如图4所示,金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4隔着层间绝缘层24以预定间距交替配置。由此,具有均匀反射特性的反射区域x形成在对准标记23m的下方。在本实施方案中,第七层227和第八层228使用铜(cu)形成,并且对准标记23m使用铝(al)形成。cu和al具有不同的光学常数并且对红外光具有不同的反射率。因此,例如,如图4所示,可以通过红外光的照射获得对准标记23m的边缘对比度,通过检测它,可以允许在例如像素区域100a内第一基板100相对于第二基板300的对准。63.上述的对准标记23m和43m以及反射区域x中包括的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4能够使用一般的配线层形成方法来形成。64.另外,在本实施方案中,通过从第二基板300的与接合面300s1相对的面300s2侧照射红外光来检测对准标记23m和43m。因此,在对准标记23m和43m的上方以及在对准标记23m与反射区域x中包括的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4之间未形成其他配线图案。这可以高精度地检测对准标记23m和43m。65.注意,对准标记23m的二维布局不限于图4所示的十字形。例如,充分的是,对位标记23m在与金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4的延伸方向交叉的方向上包括例如跨越多条金属细线227x1、227x2、227x3和228x4或多条金属细线228x1、228x2、228x3和228x4延伸的延伸部。66.此外,图4示出了金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4在平面图中无间隙地交替配置的示例,然而不限于此。充分的是,反射区域x具有大致均匀的反射特性,并且金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4周期性地交替配置。67.对准标记23m的特定二维布局以及金属细线227x1、227x2、227x3和228x4和金属细线228x1、228x2、228x3和228x4的布局的其他示例,例如可以参考图5中的布局。金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4在平面图中彼此相邻的金属细线之间具有预定间隙并且周期性地交替配置。相对于在y轴方向上延伸的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4,对准标记23m在正交方向(x轴方向)上延伸,和具有从金属配线228x2到金属配线228x3跨越设置的多个标记23m1、23m2、23m3和23m4在y轴方向上配置的形状。68.在形成反射区域x的多条金属细线之间存在间隙的情况下,对准标记23m优选具有其中允许彼此独立地测量x轴方向的错位和y轴方向的错位的二维布局。69.此外,如图5所示,跨越多个金属细线设置的标记23m1、23m2、23m3和23m4优选具有形成在金属细线上的端部。这可以获得标记23m1、23m2、23m3和23m4的端部的边缘对比度。因此,可以高精度地检测对准标记23m和43m。70.注意,在形成反射区域x的多条金属细线之间存在间隙的情况下,红外光可以从第七层227的下方反射。然而,这种反射光具有相等的间距,并且因此可以通过信号处理、图像处理等来去除。71.另外,图1、图4和图5均示出了其中反射区域x中包括的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4y在y轴方向上延伸的示例,然而不限于此。例如,如图6所示,反射区域x可以包括在x轴方向上延伸的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4。在这种情况下,例如,对准标记23m包括的多个标记23m1、23m2、23m3和23m4优选具有在y轴方向上延伸的延伸部,并且优选具有在x轴方向上配置的形状。72.另外,图1和图4~6均示出了其中反射区域x中包括的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4在一个方向上延伸示例,然而不限于此。充分的是,金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4可以如上所述地周期性地交替配置。因此,例如,它们可以形成为例如蛇形或之字形。73.此外,例如通过使用铜(cu)和例如钛(ti)的层叠结构(ti(上层)/cu(下层))来形成反射区域x中包括的金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x3和228x4,可以提高对准标记23m的边缘对比度的强度(可见性)。铜(cu)和钛(ti)的层叠结构具有不同于反射区域x中包括的金属细线(金属细线227x1、227x2、227x3和228x4以及金属细线228x1、228x2、228x2和228x4)以及第二基板300侧的对准标记(对准标记43m)的光学常数。74.对准标记的边缘对比度的强度取决于对准光的波长。对比度用作该指标。边缘对比度是来自对准标记的反射强度与来自对准标记以外的部分(背景)的反射强度之间的差异。边缘对比度的强度可以从例如约1025nm的波长获得,并且峰值在约1175nm的波长处。75.允许对准的对比度的判断基准是0.03。例如,如图7所示,在对准标记m在sio2膜1020(膜厚1000nm)内使用al(膜厚600nm)形成、si基板1010(膜厚775μm)层叠在sio2膜1020上并且从si基板1010侧施加对准光的情况下,从约1100nm的波长开始满足判断基准(0.03)。76.另一方面,如图9所示,可以理解的是,例如,在如图8所示的包括cu膜(膜厚300nm)和ti(钛)膜y(膜厚50nm)的层叠膜作为反射区域x2的情况下,将对准光的波长增加到1150nm以上可以获得与图7所示的结构相比2~3倍(约0.10)的对比度。77.(1-3.作用和效果)78.在本实施方案的固态成像装置1中,多条金属细线配置在设置于第一基板100的多层配线层20内的对准标记23m中的配线层23下层的多个配线层的每一个内。多条金属细线以大致相同的间距形成并且在平面图中交替配置。因此,具有大致均匀的反射特性的反射区域x形成在对准标记23m的下方。这在下面说明。79.如上所述,近年来,通过接合不同特性、功能等的晶圆和芯片,促进了半导体器件的功能改善和功能数量的增加。接合方法包括晶圆到晶圆、芯片到晶圆和芯片到芯片。80.由于各器件需要彼此电气连接,因此它们需要在设计规则的约束内通过错位接合。因此,接合装置利用显微镜识别设置在各器件上的对准标记的位置,对准二者的位置并执行接合。通常,对准标记配置在划线上、芯片内的非器件区域中等,并且包括反射对准光的标记(金属)和透射对准光的背景(标记以外的区域)。通过用对准光照射该标记,并且使用透射光或反射光执行标记的边缘检测以视觉识别位置。为了提高芯片之间的对准精度,如上所述,在同时视觉识别两个芯片的标记时进行布局以具有特征形状。这可以在同时识别两个芯片的标记的位置的同时高精度地接合芯片。此外,另一种方法是使用两台可见光显微镜,通过各自的显微镜检测对准标记的位置。然而,由于显微镜的差异和调整误差等该方法存在对准精度低的问题。81.顺便提及,为了进一步改善半导体器件的功能并增加其功能数量,正在推进相对于一个芯片接合多个芯片的多芯片cow(芯片on wafer,晶圆上芯片)技术。例如,已经考虑将包括控制电路芯片、存储器芯片等在内的多个芯片接合到一个cmos图像传感器的像素芯片。在以这种方式相对于一个像素芯片接合多个芯片的情况下,有时将多个芯片配置在与像素芯片的像素区域正对的各位置。通常,在像素区域中,细线包含诸如铜(cu)或铝(al)等金属。像素区域中的配线是随机的。例如,像素区域中的配线针对各自的配线层具有不同的布局。因此,难以通过反射和透射对准光来创建特征的二维光强度。即,难以在像素区域内配置对准标记,并且在接合时确保位置精度是一个问题。82.相比而言,在本实施方案中,在将要与多个第二基板300接合的第一基板100的多层配线层20内,在设置于对准标记23m中的配线层23下层的多个配线层的每一个内配置多条金属细线。多条金属细线以大致相同的间距形成并且在平面图中交替配置。具体地,多条金属细线227x1、227x2、227x3、227x4、228x1、228x2、228x3和228x4设置在配线层22中包括的多个配线层(第一层221、第二层222、第三层223、第四层224、第五层225、第六层226、第七层227和第八层228)之中的配线密度低的上层的两层(第七层227和第八层228)中,它们以大致相同的间距形成并且在平面图中交替配置。因此,具有大致均匀的反射特性的反射区域x形成在对准标记23m的下方。83.如上所述,在本实施方案的固态成像装置1中,在对准标记23m的下方,多条金属细线227x1、227x2、227x3、227x4、228x1、228x2、228x3和228x4设置在设有对准标记23m的配线层23的下层中所形成的多个配线层中,例如,在配线层22中包括的第一层221、第二层222、第三层223、第四层224、第五层225、第六层226、第七层227和第八层228之中的配线密度低的第七层227和第八层228中,它们以大致相同的间距形成并且在平面图中交替配置。由此形成具有大致均匀的反射特性的反射区域x。这可以通过反射和透射对准光来创建特征的二维光强度。因此,可以执行高精度对准。84.此外,在本实施方案中,反射区域x形成在具有低配线密度的多个层(在本实施方案中,两层,即,第七层227和第八层228)中。因此,不需要单独确保对准图案23m的形成区域。这允许用于电气连接第一基板100和多个第二基板300(300a、300b、300c和300d)的配线图案微细化,从而可以扩大有效区域。此外,可以提高反射区域x的下层的配线层的配线布局的自由度。85.此外,可以减小第一基板和多个第二基板300的尺寸。例如,这允许增加晶圆内的理论产量,从而其结果是可以提高产率。86.下面将说明第二实施方案。在以下的说明中,对与第一实施方案相同的构成要素标注相同的符号,并适当省略其说明。87.《2.第二实施方案》88.图10示意性地示出了根据本公开第二实施方案的固态成像装置(固态成像装置2)的截面构成的示例。注意,与第一实施方案中的图1类似,图10示出了沿着图2中所示的线i-i’截取的截面。与第一实施方案中的固态成像装置1类似,固态成像装置2例如是在诸如数码相机和摄像机等电子设备中使用的cmos图像传感器。本实施方案的固态成像装置2与上述第一实施方案的不同之处在于,设置在第一基板100和第二基板300上的对准标记(对准标记25m和45m)在各自的接合面上露出。此外,本实施方案的固态成像装置2与第一实施方案的不同之处在于,形成具有均匀反射特性的反射区域x的多条金属细线形成在一个配线层(例如,配线层23)中。89.如上所述,对准标记25m和45m分别形成在第一基板100和第二基板300的接合面100s2和300s1上。具体地,对准标记25m与用于与例如第二基板300a、300b、300c和300d接合的多个焊盘电极25一起形成在像素区域100a内的层间绝缘层24的表面上。例如,对准标记45m与用于接合到第一基板100的多个焊盘电极45一起形成在称为划线的周缘部内的层间绝缘层44的表面上。使用例如铜(cu)形成对准标记25m和45m。90.注意,例如,与对准标记25m一起形成在接合面100s2上的焊盘电极25设置有形成在焊盘电极25和层间绝缘层24之间的阻挡金属膜。例如,与对准标记45m一起形成在接合面300s1上的焊盘电极45设置有形成在焊盘电极45和层间绝缘层44之间的阻挡金属膜。阻挡金属膜例如包含钛(ti)。在本实施方案中,与上述第一实施方案类似,从与第二基板300的接合面300s1相对侧的300s2侧施加红外光以对对准标记25m和45m执行检测。因此,形成在接合面300s1上的对准标记45m周围的阻挡金属膜优选比焊盘电极45周围的阻挡金属膜薄,或者去除阻挡金属膜。这提高了对准标记45m的可见性。91.如图11所示,例如,反射区域x在平面图中形成在与例如对准标记45m对应的位置处。如上所述,反射区域x包括设置在配线层23内的多条金属细线23x1~23x10。在平面图中,反射区域x被配置为大于或等于对准标记45m的外径的区域。多条金属细线23x1~23x10均在例如y轴方向上延伸,和例如在x轴方向上以预定的间距配置。多条金属细线23x1~23x10中的每一条的面积或体积形成为小于形成在反射区域x上方的对准标记45m。换句话说,例如,多条金属细线23x1~23x10中的每一条在x轴方向的宽度w1形成为小于对准标记45m的在y轴方向上延伸的延伸部在x轴方向上的宽度w2。另外,多条金属细线23x1~23x10以比对准光的波长、即红外光的波长(700nm~1400nm的波长)小的间距配置。因此,多条金属细线23x1~23x10的配线图案无法识别,并且形成具有均匀反射特性的反射区域x。92.注意,图11示出了其中反射区域x包括沿着一个方向延伸的多条金属细线23x1~23x10的示例,然而不限于此。充分的是,如上所述,反射区域x以比对准光的波长小的间距配置。例如,如图12a所示,反射区域x可以通过例如在x轴方向和y轴方向矩阵状地配置矩形形状的多个金属膜23x来形成。此外,图11示出了反射区域x仅形成在对准标记45m下方的示例,然而不限于此。例如,如图12b所示,反射区域x还可以形成在第一基板100侧的对准标记25m的下方。此外,虽然图11示出了设置十字形的对准标记45m的示例,然而,例如,如图12c所示,对准标记45m可以具有例如在其面内具有十字形的开口45h的形状。此外,例如,如图12d所示,对准标记25m和45m的各自形状在相互组合时形成双重圆形。在这种情况下,反射区域x例如可以通过在y轴方向上延伸的多条金属细线23x1~23x7形成在设置于第二基板200侧并且形成内圆的对准标记45m的下方。93.另外,在本实施方案中,通过从与第二基板300的接合面300s1相对的面300s2侧照射红外光来检测对准标记25m和45m。因此,优选在对准标记25m和45m的上方以及在对准标记25m与反射区域x中包括的多条金属细线23x1~23x10之间未形成其他配线图案。例如,期望仅存在层间绝缘层24和44。这样可以高精度地检测对准标记25m和45m。94.如上所述,在本实施方案的固态成像装置2中,对准标记25m和45m分别设置在第一基板100和第二基板300的接合面100s2和300s1上,并且多条金属细线(例如,金属细线23x1~23x10)配置在例如与包括在第一基板100中的多层配线层20的配线层23中的对准标记45m正对的相应位置处。多条金属细线以比对准光小的间距配置。因此,具有均匀反射特性的反射区域x形成在对准标记45m的下方。因此,可以高精度地执行对准。95.另外,与第一实施方案类似,在本实施方案中,可以设置用于电气连接第一基板100和多个第二基板300(300a、300b、300c和300d)的微细化的配线图案,从而可以扩大有效面积。此外,可以提高反射区域x的下层的配线层的配线布局的自由度。96.此外,可以减小第一基板和多个第二基板300的尺寸。例如,这允许增加晶圆内的理论产量,从而其结果是可以提高产率。97.此外,在本实施方案中,给出了在第一基板100和第二基板300的接合面100s2和300s1上分别设置一对对准标记25m和45m的示例的说明。然而,与上述第一实施方案类似,其中的一者或两者可以在多层配线层20和40的对应一个中或者在相应的多层配线层20和40中设置。注意,例如,在第一基板100侧的对准标记形成于配线层23内的情况下,形成反射区域x的金属细线形成在配线层23的下层的配线层(例如,第八层228)中。98.《3.适用例》99.图13示出了包括根据上述第一和第二实施方案中任一个的成像装置(例如,固态成像装置1)的成像系统3的示意性构成例。100.成像系统3是电子设备,该电子设备例如包括诸如数码相机或摄像机等成像装置、诸如智能手机或平板电脑终端等便携式终端设备。成像系统3包括例如根据上述第一实施方案的固态成像装置1、光学系统541、快门装置542、dsp电路543、帧存储器544、显示部545、存储部546、操作部547和电源部548。在成像系统3中,固态成像装置1、快门装置542、dsp电路543、帧存储器544、显示部545、存储部546、操作部547和电源部548经由总线549彼此连接。101.固态成像装置1基于入射光输出图像数据。光学系统541包括一个或多个透镜。光学系统541将光(入射光)从被写体引导到固态成像装置1,并且在固态成像装置1的光接收面上形成图像。快门装置542配置在光学系统541和固态成像装置1之间,并且根据驱动电路的控制来控制对固态成像装置1的光照射期间和遮光期间。dsp电路543是处理从固态成像装置1输出的信号(图像数据)的信号处理电路。帧存储器544以帧为单位临时保持由dsp电路543处理的图像数据。显示部545例如包括诸如液晶面板或有机el(电致发光)面板等面板型显示装置,并且显示由固态成像装置1捕获的运动图像或静止图像。存储部546将由固态成像装置1捕获的运动图像或静止图像的图像数据记录在诸如半导体存储器或硬盘等记录介质中。操作部547根据用户执行的操作发出关于成像系统3的各种功能的操作指令。电源部548适当地向供给对象(固态成像装置1、dsp电路543、帧存储器544、显示部54545、存储部546和操作部547)提供各种操作电源。102.接下来,将说明成像系统3中的成像过程。103.图14示出了成像系统3中成像操作的流程的示例。用户通过操作操作部547发出开始成像的指令(步骤s101)。然后操作部547向固态成像装置1发送成像指令(步骤s102)。固态成像装置1(具体地,系统控制电路)在接收成像指令时以预定的成像方式执行成像(步骤s103)。104.固态成像装置1将通过成像获得的图像数据输出到dsp电路543。这里,图像数据是基于临时保持在浮动扩散部fd中的电荷生成的像素信号的所有像素的数据。dsp电路543基于从固态成像装置1输入的图像数据执行信号处理(例如,降噪处理等)(步骤s104)。dsp电路543使帧存储器544保持经过预定的信号处理的图像数据,并且帧存储器544使存储部546存储图像数据(步骤s105)。以这种方式,执行成像系统3中的成像。105.在本适用例中,固态成像装置1、固态成像装置2等适用于成像系统3。这使得固态成像装置1、固态成像装置2等可以被小型化或具有高清晰度。因此,可以提供小型化或高清晰度的成像系统3。106.《4.应用例》107.(应用例1)108.根据本公开的技术(本技术)可以适用于各种产品。例如,根据本公开的技术可以被实现为安装在诸如汽车、电动汽车、混合电动汽车、摩托车、自行车、个人移动装置、飞机、无人飞行器、船舶、机器人等任何类型的移动体上的装置。109.图15是作为根据本公开的实施方案可以适用的移动体控制系统的示例的车辆控制系统的示意性构成例的框图。110.车辆控制系统12000包括经由通信网络12001彼此连接的多个电子控制单元。在图15所示的示例中,车辆控制系统12000包括驱动系统控制单元12010、主体系统控制单元12020、车外信息检测单元12030、车内信息检测单元12040和综合控制单元12050。此外,作为综合控制单元12050的功能构成,示出了微型计算机12051、音频/图像输出单元12052和车载网络接口(i/f)12053。111.驱动系统控制单元12010根据各种程序来控制与车辆的驱动系统有关的装置的操作。例如,驱动系统控制单元12010用作诸如内燃机或驱动电机等用于产生车辆的驱动力的驱动力产生装置、用于向车轮传递驱动力的驱动力传递机构、用于调整车辆的转向角的转向机构、用于产生车辆的制动力的制动装置的控制装置。112.主体系统控制单元12020根据各种程序来控制安装到车体的各种装置的操作。例如,主体系统控制单元12020用作无钥匙进入系统、智能钥匙系统、电动窗装置或诸如头灯、尾灯、刹车灯、转向信号灯、雾灯等各种灯的控制装置。在这种情况下,用于代替按键的从便携式装置传递的无线电波或各种开关的信号可以输入到主体系统控制单元12020。主体系统控制单元12020接收无线电波或信号的输入并控制车辆的门锁装置、电动窗装置、灯等。113.车外信息检测单元12030检测安装车辆控制系统12000的车辆的外部的信息。例如,成像单元12031连接到车外信息检测单元12030。车外信息检测单元12030使成像单元12031捕获车辆外部的图像并接收所捕获的图像。车外信息检测单元12030可以基于接收到的图像进行诸如人、汽车、障碍物、标志、道路上的文字等物体检测处理或距离检测处理。114.成像单元12031是接收光并输出对应于受光量的电气信号的光学传感器。成像单元12031可以输出电气信号作为图像,或者可以输出电气信号作为测距信息。此外,由成像单元12031接收的光可以是可见光或诸如红外线等不可见光。115.车内信息检测单元12040检测车内的信息。例如,检测驾驶员的状态的驾驶员状态检测单元12041连接到车内信息检测单元12040。例如,驾驶员状态检测单元12041包括对驾驶员成像的相机。基于从驾驶员状态检测单元12041输入的检测信息,车内信息检测单元12040可以计算驾驶员的疲劳度或集中度,或者可以判断驾驶员是否瞌睡。116.例如,微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的车辆内部和外部的信息来计算驱动力产生装置、转向机构或制动装置的控制目标值,并且可以向驱动系统控制单元12010输出控制指令。例如,微型计算机12051可以进行协调控制,以实现包括车辆的碰撞避免或碰撞缓和、基于车辆之间的距离的追踪行驶、车辆速度保持行驶、车辆碰撞警告和车辆的车道偏离警告等的高级驾驶员辅助系统(adas)的功能。117.此外,微型计算机12051可以通过基于由车外信息检测单元12030或车内信息检测单元12040获得的关于车辆周围的信息来控制驱动力产生装置、转向机构、制动装置等来进行协调控制,以实现其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的自动驾驶等。118.此外,微型计算机12051可以基于由车外信息检测单元12030获得的车辆外部的信息将控制指令输出到主体系统控制单元12020。例如,微型计算机12051可以通过根据由车外信息检测单元12030检测到的前方车辆或对向车辆的位置控制头灯来进行协调控制,以实现诸如将远光灯切换为近光灯等防止眩光。119.音频/图像输出单元12052将音频和图像至少一者的输出信号传递到能够在视觉上或听觉上通知车辆乘员或车辆外部的信息的输出装置。在图57的示例中,作为输出装置,音频扬声器12061、显示单元12062和仪表板12063被示出。例如,显示单元12062可以包括车载显示器和平视显示器中的至少一种。120.图16是示出成像单元12031的安装位置的示例的图。121.在图16中,成像单元12031包括成像单元12101、12102、12103、12104和12105。122.成像单元12101、12102、12103、12104和12105设置在例如车辆12100的车头、侧视镜、后保险杠、后门和车内的挡风玻璃的上部等位置。设置在车头的成像单元12101和设置在车内的挡风玻璃上部的成像单元12105主要获得车辆12100的前方的图像。设置在侧视镜的成像单元12102和12103主要获得车辆12100的侧方的图像。设置在后保险杠或后门的成像单元12104主要获得车辆12100的后方的图像。设置在车内的挡风玻璃上部的成像单元12105主要用于检测前方车辆、行人、障碍物、交通信号、交通标志、车道等。123.此外,图16示出了成像单元12101~12104的成像范围的示例。成像范围12111表示设置在车头的成像单元12101的成像范围,成像范围12112和12113分别表示设置在侧视镜的成像单元12102和12103的成像范围。成像范围12114表示设置在后保险杠或后门的成像单元12104的成像范围。例如,通过叠加由成像单元12101~12104捕获的图像数据,获得车辆12100的从上方看到的鸟瞰图像。124.成像单元12101~12104中的至少一个可以具有获取距离信息的功能。例如,成像单元12101~12104中的至少一个可以是包括多个成像元件的立体相机,或者可以是具有相位差检测用的像素的成像元件。125.例如,基于从成像单元12101~12104获得的距离信息,通过获得距成像范围12111~12114内的各立体物的距离和距离的时间变化(相对于车辆12100的相对速度),微型计算机12051提取在车辆12100的行驶路线上的特别是最靠近的立体物且在与车辆12100的大致相同的方向上以预定速度(例如,0km/h以上)行驶的立体物作为前方车辆。此外,微型计算机12051可以设定针对前方车辆的预先确保的车辆间的距离,并且可以进行自动制动控制(包括追踪行驶停止控制)、自动加速控制(包括追踪行驶开始控制)等。如上所述,可以进行其中车辆自主行驶而不依赖于驾驶员的操作的用于自动驾驶等的协调控制。126.例如,基于从成像单元12101~12104获得的距离信息,微型计算机12051可以将关于立体物的立体物数据分类为两轮车辆、普通车辆、大型车辆、行人和诸如电线杆等其他立体物,提取立体物数据,并且使用立体物数据自动避开障碍物。例如,微型计算机12051将车辆12100周围的障碍物识别为可以由车辆12100的驾驶员视觉识别的障碍物和难以视觉识别的障碍物。然后,微型计算机12051判断指示与每个障碍物碰撞的危险度的碰撞风险。在碰撞风险等于或高于设定值并且存在碰撞的可能性的情况下,微型计算机12051经由音频扬声器12061和显示单元12062输出警告,并且经由驱动系统控制单元12010进行强制减速或回避转向。微型计算机12051由此可以辅助驾驶以避免碰撞。127.成像单元12101~12104中的至少一个可以是检测红外线的红外相机。例如,微型计算机12051可以通过判断行人是否存在于由成像单元12101~12104捕获的图像中来识别行人。例如,通过提取由作为红外相机的成像单元12101~12104捕获的图像中的特征点的步骤以及对指示物体的轮廓的一系列特征点进行图案匹配处理以判断该物体是否为行人的步骤来进行行人的识别。当微型计算机12051判断行人存在于由成像单元12101~12104捕获的图像中并且识别出行人时,音频/图像输出单元12052控制显示单元12062以在所识别的行人上叠加并显示用于强调的四边形轮廓线。音频/图像输出单元12052还可以控制显示单元12062以在期望的位置显示指示行人的图标等。128.上面已经说明了根据本公开的技术可以适用的移动体控制系统的示例。根据本公开的技术可以适用于上述构成中的成像单元12031。具体地,根据上述第一和第二实施方案的固态成像装置1和2可以适用于成像单元12031。通过将根据本公开的技术适用于成像单元12031,可以获得具有很少噪声的高清捕获图像,因此可以在移动体控制系统中使用捕获的图像进行高精度控制。129.[应用例2][0130]图17是示出根据本公开(本技术)的实施方案的技术可以适用的内窥镜手术系统的示意性构成例的图。[0131]在图17中,示出了其中手术者(医生)11131正在使用内窥镜手术系统11000对病床11133上的患者11132进行手术的状态。如图所示,内窥镜手术系统11000包括内窥镜11100、诸如气腹管11111和能量处置器械11112等其他手术器械11110、支撑内窥镜11100的支撑臂装置11120和其上安装有用于内窥镜手术的各种装置的推车11200。[0132]内窥镜11100包括其中距远端预定长度的区域被插入患者11132的体腔内的透镜筒11101和连接到透镜筒11101的近端的摄像头11102。在所示的示例中,示出了被构造为具有硬性透镜筒11101的硬镜的内窥镜11100。然而,内窥镜11100可以被构造为具有软性透镜筒的软镜。[0133]物镜装配到其中的开口部设置在透镜筒11101在远端。光源装置11203连接到内窥镜11100,由光源装置11203生成的光通过延伸到透镜筒11101内部的光导被引导到透镜筒的远端,并且经由物镜朝向在患者11132的体腔内的观察对象发射。注意,内窥镜11100可以是直视内窥镜、斜视内窥镜或侧视内窥镜。[0134]在透镜筒11101的远端具有其中装配有物镜的开口部。光源装置11203连接到内窥镜11100,使得由光源装置11203生成的光通过延伸到透镜筒11101内部的光导被引导到透镜筒的远端,并且经由物镜朝向在患者11132的体腔内的观察对象发射。注意,内窥镜11100可以是直视内窥镜、斜视内窥镜或侧视内窥镜。[0135]光学系统和成像元件设置在摄像头11102内部,使得来自观察对象的反射光(观察光)通过光学系统会聚在成像元件上。观察光由成像元件执行光电转换以生成与观察光相对应的电气信号,即,与观察图像相对应的图像信号。图像信号作为raw数据被传输到相机控制单元(ccu)11201。[0136]ccu 11201包括中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)等,并且综合控制内窥镜11100和显示装置11202的操作。此外,ccu 11201接收来自摄像头11102的图像信号,并且例如对图像信号执行诸如显像处理(去马赛克处理)等用于显示基于该图像信号的图像的各种图像处理。[0137]显示装置11202在ccu 11201的控制下显示基于由ccu 11201经过图像处理的图像信号的图像。[0138]例如,光源装置11203包括诸如发光二极管(led)等光源,并且将用于对手术部位等成像的照射光供给到内窥镜11100。[0139]输入装置11204是用于内窥镜手术系统11000的输入接口。使用者可以经由输入装置11204向内窥镜手术系统11000输入各种信息和指令。例如,使用者通过使用内窥镜11100输入指令等,以改变成像条件(照射光的类型、放大率、焦距等)。[0140]处置器械控制装置11205控制能量处置器械11112的驱动,用于组织的烧灼和切开、血管的密封等。为了确保内窥镜11100的视野并确保手术者的工作空间,气腹装置11206经由气腹管11111向患者11132的体腔内注入气体以使患者11132的体腔膨胀。记录器11207是能够记录与手术有关的各种信息的装置。打印机11208是能够以诸如文本、图像、图形等各种形式打印与手术有关的各种信息的装置。[0141]注意,将手术部位成像时的照射光供给到内窥镜11100的光源装置11203可以由例如led、激光光源或具有它们的组合的白色光源构成。在白色光源包括红色、绿色和蓝色(rgb)激光光源的组合时,由于可以高精度地控制各种颜色(各波长)的输出强度和输出定时,因此可以在光源装置11203中进行所捕获的图像的白平衡的调整。此外,在这种情况下,通过将来自每个rgb激光光源的激光按时间分割地照射到观察对象上并且与照射定时同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动。然后也可以按时间分割地捕获对应于rgb的每个的图像。根据该方法,可以在成像元件中未设置滤色器的情况下获得彩色图像。[0142]此外,可以控制光源装置11203的驱动,从而在每预定的时间改变要输出的光的强度。通过与光强度的改变的定时同步地控制摄像头11102的成像元件的驱动以按时间分割地获取图像并合成图像,可以生成不具有曝光不足的阴影和曝光过度的高亮的高动态范围的图像。[0143]此外,光源装置11203可以被构造为供给与特殊光观察相对应的预定波长带的光。在特殊光观察中,例如,进行窄带域光观察(窄带域成像),其中通过使用身体组织中的光吸收的波长依赖性,通过照射与普通观察时的照射光(即,白光)相比更窄带域的光以高对比度对诸如粘膜表层的血管等预定组织进行成像。可选择地,在特殊光观察中,可以进行用于通过照射激发光生成的荧光获得图像的荧光观察。在荧光观察中,可以用激发光照射身体组织,以观察来自身体组织的荧光(自体荧光观察),或者以将诸如吲哚菁绿(icg)等试剂局部地注射到身体组织中并用与试剂的荧光波长相对应的激发光照射身体组织来获得荧光图像。光源装置11203可以被构造为供给与这种特殊光观察相对应的窄带域光和/或激发光。[0144]图18是示出图17所示的摄像头11102和ccu 11201的功能性构成例的框图。[0145]摄像头11102包括透镜单元11401、成像单元11402、驱动单元11403、通信单元11404和摄像头控制单元11405。ccu 11201包括通信单元11411、图像处理单元11412和控制单元11413。摄像头11102和ccu 11201通过传输线缆11400彼此可通信地连接。[0146]透镜单元11401是设置在与透镜筒11101的连接部分处的光学系统。从透镜筒11101的远端接收的观察光被引导到摄像头11102并且入射到透镜单元11401。透镜单元11401通过组合包括变焦透镜和焦点透镜的多个透镜来构造。[0147]成像单元11402由成像元件构成。构成成像单元11402的成像元件的数量可以是一个元件(所谓的单板型)或多个(所谓的多板型)。当成像单元11402被构造为多板型时,例如,可以通过每个成像元件生成与rgb的每个相对应的图像信号,并且可以通过组合图像信号来获得彩色图像。成像单元11402还可以被构造为具有一对成像元件,用于获取与三维(3d)显示相对应的右眼和左眼用图像信号。如果进行3d显示,手术者11131可以更加准确地把握手术部位中的身体组织的深度。注意,当成像单元11402被构造为多板型时,可以设置与每个成像元件相对应的多个透镜单元11401。[0148]此外,成像单元11402不必须设置在摄像头11102中。例如,成像单元11402可以设置在紧接透镜筒11101内部的物镜的正后方。[0149]驱动单元11403包括致动器并且在摄像头控制单元11405的控制下使透镜单元11401的变焦透镜和焦点透镜沿光轴移动预定距离。因此,可以适当地调整由成像单元11402捕获的图像的放大率和焦点。[0150]通信单元11404包括用于向/从ccu 11201传输和接收各种信息的通信装置。通信单元11404将从成像单元11402获取的图像信号作为raw数据经由传输线缆11400传输到ccu 11201。[0151]此外,通信单元11404从ccu 11201接收用于控制摄像头11102的驱动的控制信号,并且将控制信号供给到摄像头控制单元11405。控制信号例如包括与成像条件有关的信息,诸如用于指定所捕获的图像的帧速率的信息、用于指定在成像时的曝光值的信息和/或用于指定所捕获的图像的放大率和焦点的信息等。[0152]注意,诸如帧速率、曝光值、放大率和焦点等成像条件可以由使用者适当地指定,或者可以由ccu 11201的控制单元11413基于捕获的图像信号来自动设定。在后一种情况下,所谓的自动曝光(ae)功能、自动对焦(af)功能和自动白平衡(awb)功能安装在内窥镜11100中。[0153]摄像头控制单元11405基于经由通信单元11404从ccu 11201接收的控制信号来控制摄像头11102的驱动。[0154]通信单元11411包括用于向和从摄像头11102传输和接收各种信息的通信装置。通信单元11411经由传输线缆11400接收从摄像头11102传输的图像信号。[0155]此外,通信单元11411将用于控制摄像头11102的驱动的控制信号传输到摄像头11102。图像信号和控制信号可以通过电气通信、光通信等来传输。[0156]图像处理单元11412对作为从摄像头11102传输的raw数据的图像信号进行各种图像处理。[0157]控制单元11413进行与通过使用内窥镜11100进行的手术部位等的成像以及通过对手术部位等成像获得的所捕获的图像的显示有关的各种控制。例如,控制单元11413生成用于控制摄像头11102的驱动的控制信号。[0158]此外,控制单元11413基于由图像处理单元11412经过图像处理的图像信号使显示装置11202显示手术部位等的所捕获的图像。就此,控制单元11413可以通过使用各种图像识别技术来识别所捕获的图像内的各种物体。例如,控制单元11413可以通过检测包括在所捕获的图像中的物体的边缘形状和/或颜色等识别诸如钳子等手术器械、特定活体部位、出血、使用能量处置器械11112时的雾等。当控制单元11413控制显示装置11202显示所捕获的图像时,通过使用识别的结果,控制单元11413可以与手术区域的图像叠加的方式显示各种手术支持信息。当手术支持信息以叠加的方式被显示并且呈现给手术者11131时,可以减轻手术者11131的负担并且手术者11131可以可靠地进行手术。[0159]将摄像头11102和ccu 11201彼此连接的传输线缆11400是用于与电气信号的通信相对应的电气信号线缆、与光通信相对应的光纤或其复合线缆。[0160]这里,在所示的示例中,通过使用传输电缆11400有线地进行通信,但是可以无线地进行摄像头11102和ccu 11201之间的通信。[0161]尽管已经参照第一和第二实施方案、适用例和应用例说明了本公开,但是本公开并不限于上述实施方案等。可以进行各种变形。例如,在上述实施方案等中,对将多个第二基板300(第二基板300a、300b、300c和300d)贴合于第一基板100的示例进行了说明。然而,在一个第一基板100和一个第二基板300彼此贴合的情况下,本技术可以获得类似的效果。[0162]注意,本说明书中记载的效果仅仅是示例性的。本公开的效果不限于本说明书中记载的效果。本公开可以具有本说明书中记载的效果以外的效果。[0163]本公开还可以具有以下构成。根据具有以下构成的本技术,可以在第一对准部的下层中形成具有大致均匀的反射特性的反射区域。这可以进行高精度对准。[0164](1)一种固态成像装置,包括:[0165]第一基板,其包括在其内埋入形成有多个光电转换部的第一半导体基板和形成在所述第一半导体基板的一个面侧的多层配线层,所述多个光电转换部包括在传感器像素中;[0166]一个或多个第二基板,其隔着所述多层配线层与所述第一基板贴合;[0167]第一配线层,其设置在所述多层配线层内并且包括以大致相同的第一间距形成的多条第一金属细线;[0168]第二配线层,其在所述多层配线层内层叠在所述第一配线层的上方并且包括在平面图中在所述多条第一金属细线之间以大致相同的第二间距形成的多条第二金属细线;和[0169]第一对准部,其在所述多层配线层内形成在所述第二配线层的上方。[0170](2)根据上述(1)所述的固态成像装置,其中,所述第一金属细线、所述第二金属细线和所述第一对准部中的至少一个部件具有与其他部件不同的光学常数。[0171](3)根据上述(1)或(2)所述的固态成像装置,其中,所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线形成具有大致均匀的反射特性的反射区域。[0172](4)根据上述(3)所述的固态成像装置,其中,所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线在平面图中周期性地交替配置在所述反射区域中。[0173](5)根据上述(3)或(4)所述的固态成像装置,其中,所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线在平面图中无间隙地交替配置在所述反射区域中。[0174](6)根据上述(3)~(5)中任一项所述的固态成像装置,其中,所述第一对准部在平面图中形成在所述反射区域内。[0175](7)根据上述(1)~(5)中任一项所述的固态成像装置,其中,[0176]所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线均在第一方向上延伸,和[0177]所述第一对准部包括在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的延伸部。[0178](8)根据上述(7)所述的固态成像装置,其中,所述第一方向和所述第二方向彼此正交。[0179](9)根据上述(1)~(8)中任一项所述的固态成像装置,其中,所述第二基板在平面图中在与所述第一对准部对应的位置处包括第二对准部。[0180](10)根据上述(9)所述的固态成像装置,其中,[0181]所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线形成具有大致均匀的反射特性的反射区域,和[0182]在平面图中在所述第一对准部和所述第二对准部的上方以及在所述第一对准部与所述反射区域之间未形成配线图案。[0183](11)根据上述(1)~(10)中任一项所述的固态成像装置,还包括在所述第一对准部和所述第二配线层之间的金属层,所述金属层具有与所述第一对准部和所述多条第二金属细线不同的光学常数。[0184](12)根据上述(1)~(11)中任一项所述的固态成像装置,其中,[0185]所述多条第一金属细线和所述多条第二金属细线均形成为包含铜,和[0186]所述第一对准部形成为包含铝。[0187](13)根据上述(11)所述的固态成像装置,其中,所述金属层形成为包含钛。[0188](14)一种固态成像装置,包括:[0189]第一基板,其包括在其内埋入形成有多个光电转换部的第一半导体基板和形成在所述第一半导体基板的一个面侧的多层配线层,所述多个光电转换部包括在传感器像素中;[0190]一个或多个第二基板,其隔着所述多层配线层与所述第一基板贴合;[0191]第一对准部,其设置在所述多层配线层内并且由具有预定波长的检测光检测;和[0192]配线层,其在所述多层配线层内形成在所述第一对准部的下方并且包括以小于所述检测光的波长的间距形成的多条金属细线。[0193](15)根据上述(14)所述的固态成像装置,其中,在所述第一对准部和所述配线层之间仅形成绝缘层。[0194](16)根据上述(14)或(15)所述的固态成像装置,其中,所述第一对准部形成在与所述第二基板接合的接合面上。[0195](17)根据上述(14)~(16)中任一项所述的固态成像装置,其中,所述第二基板在平面图中在与所述第一对准部对应的位置处包括第二对准部。[0196](18)根据上述(17)所述的固态成像装置,其中,所述第二对准部形成在与所述第一基板接合的接合面上。[0197](19)根据上述(17)或(18)所述的固态成像装置,其中,所述多条金属细线中的每一个的面积小于所述第一对准部和所述第二对准部的面积。[0198](20)根据上述(17)~(19)中任一项所述的固态成像装置,其中,所述多条金属细线形成在大于或等于所述第二对准部的外径的区域中。[0199](21)根据上述(14)~(20)中任一项所述的固态成像装置,其中,所述检测光是波长在700nm以上且1400nm以下的红外光。[0200]本技术要求于2020年3月27日向日本特许厅提交的日本专利申请第2020-057794号的权益,其全部内容通过引用并入本文中。[0201]本领域技术人员可以根据设计要求和其他因素,设想出各种变形、组合、子组合和变化,这些都包括在所附权利要求及其等同物的范围内。
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固态成像装置的制作方法
作者:admin
2022-09-24 09:25:46
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关键词:
电气元件制品的制造及其应用技术
专利技术
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