基片输送装置、状态判断方法和计算机存储介质与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及基片输送装置、状态判断方法和计算机存储介质。背景技术：2.专利文献1公开有在支承多个基片的晶舟(wafer boat)与承载器之间输送基片的基片输送装置。该基片输送装置包括：能够在第一转移作业位置与第二转移作业位置之间进行移动的输送装置主体，其中，第一转移作业位置是能够在其与晶舟之间进行转移作业的位置，第二转移作业位置是能够在其与承载器之间进行转移作业的位置；用于在晶舟与承载器的基片支承部之间进行基片的交接的叉形部件，其被设置成能够相对于该输送装置主体前进和后退；以及静电电容传感器，其安装在该叉形部件的两侧部，与叉形部件一体地进退移动，检测至基片的距离和基片的水平面内的位置。3.现有技术文献4.专利文献5.专利文献1：日本特开平8-335622号公报技术实现要素：6.发明要解决的技术问题7.本发明的技术正确地进行关于吸引并保持基片的基片保持部与干扰物之间的距离的状态之判断。8.用于解决技术问题的技术方案9.本发明的一个方式为输送基片的基片输送装置，其包括：一个基片保持部，其构成为能够经由吸附口吸附并保持基片；使气体通过的喷嘴，其设置于上述一个基片保持部的表面；与上述吸附口连接并在吸附时使气体流通的吸附用流路；和与上述喷嘴连接并使上述气体流通的喷嘴用流路，上述一个基片保持部或另一个基片保持部中的至少任一者的上述吸附用流路和上述喷嘴用流路与共用的气体的吸引机构连接，上述基片输送装置还包括：压力传感器，其测量在上述喷嘴用流路中流动的气体的压力；和流量传感器，其测量随着干扰物与上述一个基片保持部之间的距离和在上述喷嘴用流路中流动的气体的压力而变动的、在上述喷嘴用流路中流动的流体的流量。10.发明效果11.依照本发明，能够正确地进行关于吸引并保持基片的基片保持部与干扰物之间的距离的状态之判断。附图说明12.图1是表示具有作为本实施方式的基片输送装置的晶片输送装置的、晶片处理系统的概要内部结构的说明图。13.图2是表示晶片处理装置的正面侧的概要内部结构的图。14.图3是表示晶片处理装置的背面侧的概要内部结构的图。15.图4是表示输送单元的概要结构的侧视图。16.图5是表示叉形部件的概要结构的顶视图。17.图6是输送单元的配管系统图。18.图7是表示叉形部件的概要结构的底视图。19.图8是表示喷嘴的概要结构的剖视图。20.图9是用于说明基于流量传感器的测量结果进行叉形部件与其下方的晶片是否已接触的判断之理由的图。21.图10是表示安装有模拟喷嘴的模拟叉形部件至干扰物的距离与流量传感器的实际测量结果之关系的图。22.图11是用于说明叉形部件与其下方的晶片是否已接触的判断中使用的条件的一个例子的图。23.图12是用于说明输送单元的另一个例子的图。24.图13是表示已设的叉形部件的例子的图。25.图14是表示在图13的已设的叉形部件中，取代吸附部件而安装有治具时的情形的图。26.图15是表示喷嘴的形状的另一个例子的图。27.附图标记说明28.20输送装置29.70输送装置30.71梭式输送装置31.72输送装置32.73输送装置33.74装置34.120叉形部件35.121吸附口36.123喷嘴37.130第1内部流路38.131第1中继流路39.132第1配管40.140第2内部流路41.141第2中继流路42.142第2配管43.151排气机构44.170流量传感器45.171压力传感器46.200叉形部件47.301喷嘴48.w晶片。具体实施方式49.一直以来，在半导体器件等的制造工艺中，例如使用对半导体晶片(以下，称为“晶片”。)等基片进行抗蚀剂涂敷处理、曝光处理、显影处理等一连串光刻处理的涂敷显影处理系统和对晶片进行蚀刻处理的蚀刻处理系统等各种基片处理系统。50.一般在这样的基片处理系统中设置有输送基片的基片输送装置。基片输送装置构成为具有作为吸引并保持基片的基片保持部的叉形部件，能够使叉形部件可自由移动。在上述基片输送装置中，通过使吸引并保持基片的叉形部件移动，例如能够将基片输送至所期望的位置。51.不过，在使叉形部件移动时，有时会与周围的基片、构造物等接触。例如，在收纳多个基片的盒中，为了进行基片的交接而插入叉形部件时，叉形部件有时会意外与位于其下的基片接触。当然进行了设计以防止发生意外接触等，但是存在这样的情况，例如在基片输送装置的驱动系统中由于电动机和减速机的故障、驱动电平的随时间变化等，在叉形部件发生位置偏移。当由于该位置偏移，在叉形部件与基片之间失去足够的距离时，当使叉形部件高速地移动时等，由于与共振频率的关系，有可能叉形部件大幅振动而与基片接触。52.当发生叉形部件的接触时，会引起所接触的基片及构造物的破损、颗粒的产生等，因此出现问题。此外，在叉形部件与周围接触的情况下，需要叉形部件的移动条件的调整、叉形部件和叉形部件所接触的基片及构造物的更换或废弃等适当的应对。因此，考虑对叉形部件向干扰物的接触或接近的发生进行判断的方法，即，进行关于叉形部件与叉形部件可能接触的干扰物之间的距离的状态之判断的状态判断方法。53.作为上述状态判断方法，例如考虑利用安装于叉形部件的静电电容传感器的方法。在该方法中，测量静电电容传感器的传感器部与叉形部件可能接触(即可能与叉形部件相干扰)的干扰物之间的，基于测量结果，判断叉形部件与干扰物的接触等。但是，传感器部与干扰物之间的电容随着干扰物的电导率和介电常数等、干扰物的材料的性质而大幅变化。因此，在上述的利用静电电容传感器的方法中，存在不能适当地进行关于叉形部件与干扰物之间的距离的状态之判断的情况。54.因此，本发明的技术正确地进行关于吸引并保持基片输送装置的基片的基片保持部与干扰物之间的距离的状态之判断。55.以下，参照附图，对本实施方式的基片输送装置和状态判断方法进行说明。此外，在本说明书和附图中，对具有实质上相同的功能结构的要素标注相同的附图标记，从而省略重复说明。56.＜晶片处理系统＞57.图1是表示具有作为本实施方式的基片输送装置的晶片输送装置的、晶片处理系统1的概要内部结构的说明图。图2和图3分别是表示晶片处理系统1的正面侧和背面侧的概要内部结构的图。58.如图1所示，晶片处理系统1具有：盒站2，其对能够收纳多个作为基片的晶片的容器即盒c进行送入送出；和处理站3，其具有实施抗蚀剂涂敷处理和peb等规定处理的多个各种处理装置。而且，晶片处理系统1具有将盒站2、处理站3和在与处理站3相邻的曝光装置4之间进行晶片w的交接的接口站5连接成一体的结构。此外，晶片处理系统1具有控制部6，其进行包含后述的输送装置20的控制在内的该晶片处理系统1的控制。59.盒站2例如分为盒送入送出部10和晶片输送部11。例如，盒送入送出部10设置于晶片处理系统1的y方向负向(图1的左方向)侧的端部。在盒送入送出部10设置有盒载置台12。在盒载置台12上设置有多个例如4个载置板13。载置板13在水平方向的x方向(图1的上下方向)上排成一排地设置。在对晶片处理系统1的外部送入送出盒c时，能够在这些载置板13上载置盒c。60.在晶片输送部11，设置有输送晶片w的作为基片输送装置的输送装置20。输送装置20设置有在x方向上延伸的输送路径21和在输送路径21上能够自由移动的输送单元22。输送单元22具有在y方向上能够自由移动的、后述的叉形部件。输送单元22在上下方向上和绕铅垂轴(θ方向)也能够自由移动，能够在各载置板13上的盒c与后述的处理站3的第三区块g3的交接装置之间输送晶片w。输送单元22的详细情况在后文说明。61.在处理站3，设置有具有各种装置的多个、例如第一～第四这4个区块g1、g2、g3、g4。例如在处理站3的正面侧(图1的x方向负向侧)设置有第一区块g1，在处理站3的背面侧(图1的x方向正向侧)设置有第二区块g2。此外，在处理站3的盒站2侧(图1的y方向负向侧)设置有第三区块g3，在处理站3的接口站5侧(图1的y方向正向侧)设置有第四区块g4。62.在第一区块g1，如图2所示从下至上依次配置有多个液处理装置，例如对晶片w进行显影处理的显影处理装置30、对晶片w涂敷抗蚀剂液形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置31。63.例如显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31分别在水平方向上并排地配置有3个。此外，这些显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31的个数和配置能够任意地选择。64.在这些显影处理装置30、抗蚀剂涂敷装置31中，例如利用旋涂法在晶片w上涂敷规定处理液。在旋涂中，例如从释放喷嘴将处理液释放到晶片w上并且使晶片w旋转，而使处理液在晶片w的表面扩散。65.例如在第二区块g2，如图3所示在上下方向和水平方向上并排地设置有进行晶片w的加热、冷却之类的热处理的热处理装置40和对晶片w的外周部进行曝光的周边曝光装置41。这些热处理装置40、周边曝光装置41的个数和配置也能够任意地选择。66.在第三区块g3设置有多个交接装置50。此外，在第四区块g4设置有多个交接装置60。67.如图1所示，在由第一区块g1～第四区块g4包围的区域，形成有晶片输送区域d。在晶片输送区域d，例如配置有输送装置70。68.输送装置70例如具有在y方向、前后方向、θ方向和上下方向上能够自由移动的输送臂70a。输送装置70能够使保持着晶片w的输送臂70a在晶片输送区域d内移动，将晶片w输送至周围的第一区块g1、第二区块g2、第三区块g3和第四区块g4内的规定装置。输送装置70例如如图3所示上下地配置有多个，例如能够将晶片w输送至与各区块g1～g4同等程度高度的规定装置。69.另外，在晶片输送区域d，在第三区块g3与第四区块g4之间设置有直线地输送晶片w的梭式输送装置71。70.梭式输送装置71能够使所支承的晶片w在y方向上直线地移动，在同等程度高度的第三区块g3的交接装置50与第四区块g4的交接装置60之间输送晶片w。71.如图1所示，在第三区块g3的x方向正向侧，设置有输送装置72。输送装置72例如具有在前后方向、θ方向和上下方向能够自由移动的输送臂72a。输送装置72能够使保持着晶片w的输送臂70a上下地移动，将晶片w输送至第三区块g3内的各交接装置50。72.在接口站5设置有输送装置73和交接装置74。输送装置73例如具有在y方向、θ方向和上下方向上能够自由移动的输送臂73a。输送装置73能够将晶片w保持在输送臂73a，在第四区块g4内的各交接装置60、交接装置74和曝光装置4之间输送晶片w。73.上述的控制部6例如是包括cpu和存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。在程序保存部，保存有控制上述的各种处理装置、各种输送装置等驱动系统的动作而控制后述的晶片处理的程序。此外，在程序保存部，还保存有控制后述的状态判断处理的程序。此外，上述程序也可以是记录在计算机可读取的非临时性存储介质h中，从该存储介质h被安装至控制部6的程序。程序的一部分或全部也可以由专用硬件(电路板)实现。74.＜晶片处理＞75.下面，对使用晶片处理系统1的晶片处理进行说明。76.在使用晶片处理系统1的晶片处理中，首先，利用输送单元22，将晶片w从盒载置台12上的盒c取出，输送至处理站3的交接装置50。77.接着，利用输送装置70将晶片w输送至第二区块g2的热处理装置40，进行温度调节处理。之后，将晶片w输送至第一区块g1的抗蚀剂涂敷装置31，在晶片w上形成抗蚀剂膜。之后，将晶片w输送至热处理装置40，进行预烘烤处理(pab：pre-applied bake)。此外，在预烘烤处理和后级的peb处理、后烘烤处理中，进行同样的热处理。其中，提供各热处理的热处理装置40彼此不同。78.之后，将晶片w输送至周边曝光装置41，进行周边曝光处理。79.接着，将晶片w输送至曝光装置4，按规定图案进行曝光处理。80.接着，将晶片w输送至热处理装置40，进行peb处理。之后，将晶片w输送至例如显影处理装置30，进行显影处理。显影处理结束后，将晶片w输送至热处理装置40，进行后烘烤处理。之后，晶片w由输送单元22等输送至盒载置台12上的盒c，一连串光刻步骤完成。81.＜输送单元22＞82.下面，使用图4～图8，对上述的输送单元22的结构进行说明。图4是表示输送单元22的概要结构的侧视图，图5是表示后述的叉形部件的概要结构的顶视图。图6是输送单元22的配管系统图。图7是表示叉形部件的概要结构的底视图。图8是表示后述的喷嘴的概要结构的剖视图。83.如图4所示，输送单元22具有基座101。84.基座101是将后述的叉形部件以在水平方向上能够自由移动的方式进行支承的部件。该基座101例如构成为利用具有电动机等的驱动源(未图示)产生的驱动力，沿图1的输送路径21能够自由移动且能够自由升降。此外，基座101具有内部空洞的方筒状的壳体111。在壳体111的两个侧面，形成有在水平方向上延伸的导轨112。在导轨112安设有安装部件113。85.在安装部件113，设置有保持晶片w的、作为基片保持部的叉形部件120。安装部件113例如利用具有电动机等的驱动源(未图示)产生的驱动力，沿导轨112能够自由滑动。依照该结构，叉形部件120在水平方向上能够自由移动。叉形部件120具体而言能够移动至在向盒c送入送出晶片时整个叉形部件120位于盒c的外侧的初始位置，而且能够移动至在该送入送出时在与盒c之间交接晶片w时的位置即作为盒c内的位置的交接位置。86.如图5所示，叉形部件120的前端侧具有横向宽度比晶片w的直径小的两分叉形状。87.在叉形部件120的上表面，设置有多个(在图的例子中为3个)吸附口121和设置在各吸附口121的周围的吸附垫122。88.在叉形部件120的内部，形成有前端与吸附口121连接的第1内部流路130。第1内部流路130的前端侧分支成3个部分，分支成的部分各自的前端与吸附口121连接。89.另外，如图6所示，在安装部件113的内部形成有前端与第1内部流路130的根端连接的第1中继流路131。90.而且，在基座101的壳体111内设置有前端与第1中继流路131的根端连接的第1配管132。而且，第1配管132的根端与和后述的喷嘴连通的后述的第2配管的根端合流，经由合流管150，与按预先规定的排气压力进行排气的排气机构151连通。依照上述那样的结构，叉形部件120能够经由吸附口121吸附并保持晶片w。此外，合流管150的一部分也可以位于基座101的壳体111内。91.第1内部流路130、第1中继流路131和第1配管132与吸附口121连接，构成在吸附时使气体流通的吸附用流路。此外，在图4和图7中，省略了第1内部流路130、第1中继流路131和第1配管132的图示。92.另外，在第1配管132，插设有对该第1配管132的开放和截断进行切换的开闭阀160。开闭阀160通过切换第1配管132的开放和截断，来切换经由吸附口121的吸引即吸附的开启(on)和关闭(off)。开闭阀160由控制部6控制。93.而且，在叉形部件120的表面，具体而言，在叉形部件120的下表面，如图7所示，设置有喷嘴123。喷嘴123为多个(在本例中为2个)，在彼此不同的区域各设置有1个。喷嘴123具体而言例如在叉形部件120的前端侧的分支的部分各自的下表面各设置有1个。94.喷嘴123如图8所示，以从叉形部件120的下表面向下方延伸的方式设置。即，喷嘴123以在作为干扰物的晶片w位于叉形部件120的下方时，向作为干扰物的晶片w延伸的方式设置。喷嘴123具有从前端向根端贯通(即上下地贯通)的通流孔123a。通流孔123a的直径例如为0.5mm～3mm。此外，喷嘴123在叉形部件120的固定例如通过粘接固定而进行。95.喷嘴123例如呈圆筒状形成。喷嘴123的直径例如为5mm～10mm，高度例如为0.5～3mm。在喷嘴123的材料中例如使用与叉形部件120相同的材料。96.而且，在叉形部件120的内部，如图7所示，形成有前端与喷嘴123连接的第2内部流路140。第2内部流路140的前端具体而言与喷嘴123的通流孔123a连接。第2内部流路140的前端侧分支为2个部分，分支出的部分各自的前端与通流孔123a连接。在本例中，第1内部流路130和第2内部流路140独立地设置。此外，在图5中，省略了第2内部流路140的图示。97.另外，如图4和图6所示，前端与第2内部流路140的根端连接的第2中继流路141形成于安装部件113的内部。98.而且，前端与第2中继流路141的根端连接的第2配管142设置于基座101的壳体111内。而且，第2配管142的根端与和吸附口121连通的第1配管132的根端合流，经由合流管150，与和第1配管132共用的排气机构151连通。依照该结构，能够将喷嘴123的前端周围的气体从通流孔123a吸引至喷嘴123内，使来自通流孔123a的气体依次流通第2内部流路140、第2中继流路141和第2配管142，经由排气机构151排出。第2内部流路140、第2中继流路141和第2配管142与喷嘴123连接，构成使气体流通的喷嘴用流路。99.另外，第2配管142具有伴随叉形部件120的移动而能够自由变形的部分142a。100.而且，在第2配管142，例如从喷嘴123侧起依次插设有流量传感器170、压力传感器171、速度控制器172、开闭阀173。101.流量传感器170对经由喷嘴123在第2配管142中流动的气体的流量，即在上述喷嘴用流路中流动的气体的流量(以下，称为“吸入流量”。)进行测量。流量传感器170的测量结果被输出到控制部6。102.压力传感器171对经由喷嘴123在第2配管142中流动的气体的压力，即在上述喷嘴用流路中流动的气体的压力(以下，称为“吸入压”。)进行测量。压力传感器171的测量结果被输出到控制部6。103.速度控制器172通过排气机构151的排气对经由喷嘴123在第2配管142中流动的气体的流速进行调整而调整吸入压。速度控制器172由控制部6控制。104.开闭阀173通过切换第2配管142的开放和截断，切换经由喷嘴123的气体吸入的开启和关闭。开闭阀173由控制部6控制。105.流量传感器170、压力传感器171、速度控制器172和开闭阀173以例如将第2配管142中的上述能够自由变形的部分142a夹在中间的方式，设置在第2内部流路140的相反侧的部分。虽然省略图示，但开闭阀160也是同样的。106.另外，在本例中，对于2个通流孔123a，共同使用1个流量传感器170、压力传感器171、速度控制器172和开闭阀173。107.对输送单元22设置的排气机构151是进行排气，即进行气体的吸引的吸引机构，例如具有排气泵。排气机构151经由第1配管132和第2配管142合流的合流管150，与第1配管132和第2配管142连接。换言之，第1配管132和第2配管142与共用的排气机构151连接，再换言之，包含第1配管132的上述吸附用流路和包含第2配管142的上述喷嘴用流路，与共用的排气机构151连接。108.另外，安装部件113和叉形部件120例如使用铝形成。此外，例如对构成安装部件113和叉形部件120的外形的铝制的板材进行切削加工而形成槽，通过填埋槽的开口部侧，形成第1中继流路131、第2中继流路141、第1内部流路130和第2内部流路140。此外，叉形部件120也可以使用陶瓷材料形成。109.＜状态判断＞110.下面，对本实施方式中的、关于叉形部件120与干扰物之间的距离的状态之判断进行说明。111.干扰物是指，例如在插入有叉形部件120的盒c内，位于叉形部件120的下方的晶片w。112.在本实施方式中，控制部6基于流量传感器170的测量结果和压力传感器171的测量结果，进行关于叉形部件120与其下方的晶片w之间的距离的状态之判断，具体而言，关于叉形部件120的下表面与其晶片w的上表面之间的距离的状态之判断。上述判断例如是叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断。此外，上述判断也可以是叉形部件120是否接近其下方的晶片w的判断。在以下的例子中，进行叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断。113.首先，说明使用上述是否已接触的判断中所使用的流量传感器170的测量结果和压力传感器171的测量结果中的、流量传感器170的测量结果的理由。114.如图9所示，喷嘴123的平坦的前端面与晶片w的上表面之间的距离l，与对去往通流孔123a的气体的有效截面积a成比例。此外，在以一定的排气压力从通流孔123a吸引气体的情况下，喷嘴123与晶片w靠近时，上述有效截面积a与去往通流孔123a的气体的流量大致成比例。因此，如果喷嘴123与晶片w之间的距离(具体而言，喷嘴123的平坦的前端面与晶片w的上表面之间的距离)l短，则去往通流孔123a的气体的流量少，其结果是，由设置于第2配管142的流量传感器170测量的流量即吸入流量也少。此外，如果上述距离l长，则去往通流孔123a的气体的流量多，其结果是，由流量传感器170测量的吸入流量也多。即，由流量传感器170测量的吸入流量随着上述距离l而变化。这就是使用流量传感器170的测量结果的理由。115.图10是表示从与安装有与具有通流孔123a的喷嘴123相同形状的喷嘴(以下，称为“模拟喷嘴”。)的叉形部件120形状相同的叉形部件(以下，称为“模拟叉形部件”。)至干扰物的距离、与流量传感器的实际测量结果之关系的图。116.图10表示的是，在设置1个模拟喷嘴，经由形成于模拟喷嘴的通流孔以一定的排气压力吸引气体时，由插设于将模拟喷嘴与排气机构连接的配管的流量传感器测量出的结果。横轴是从模拟叉形部件至干扰物的距离，纵轴是表示吸入流量的测量结果表的流量传感器的输出电压。117.根据图10可知，与模拟喷嘴的通流孔的直径和排气压力无关，在从模拟喷嘴至干扰对象物的距离为200μm以下的情况下，随着该距离变短，而流量传感器的输出电压即由流量传感器测量出的吸入流量变少。从该结果可知，能够将流量传感器170的测量结果用于叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断中。118.下面，说明上述是否已接触的判断中，不仅使用流量传感器170的测量结果，而且还使用压力传感器171的测量结果的理由。119.由流量传感器170测量的吸入流量，如上述所述随着喷嘴123与晶片w之间的距离l而变动，即使上述距离l一定，也随着由压力传感器171测量的吸入压而变动。而且，即使上述距离l一定，上述吸引压在共用排气机构151的结构中有时也不是一定的。例如，在盒c与叉形部件120之间交接晶片w时，有时进行盒c内的叉形部件120的下方的晶片w与叉形部件120是否已接触的判断。在这种情况下，例如，当为了进行晶片w的交接，将在上述的吸附用流路中包含的第1配管132开设的开闭阀160打开以开启吸附时，在上述的吸附用流路中流动的气体的压力发生变动，从排气机构151作用于上述的喷嘴用流路的排气压力发生变动，因此由压力传感器171测量的吸入压发生变动。120.因此，当例如简单地基于由流量传感器170测量的吸入流量是否低于阈值来判断叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触时，存在误判的可能性。121.另外，本发明的发明人进行了研究，发现即使从排气机构151作用于上述的喷嘴用流路的排气压力是一定的，随着喷嘴123与晶片w之间的距离l的不同，不仅由流量传感器170测量的吸入流量发生变动，而且由压力传感器171测量的吸入压也发生变动。而且，发现在从排气机构151作用于上述的喷嘴用流路的排气压力一定的情况下，喷嘴123与晶片w之间的距离l越小，吸入压越减少，吸入流量也越减少，对此，在上述距离l一定的情况下，当上述排气压力变动，吸入压增加时，吸入流量增加。122.因此，在本实施方式中，在叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断中，使用流量传感器170的吸入流量的测量结果和压力传感器171的吸入压的测量结果这两者。123.在本实施方式中，具体而言，控制部6根据上述判断的对象期间中的相同时刻的、流量传感器170的吸入流量的测量结果与压力传感器171的吸入压的测量结果的关系，进行上述判断。使用图11，对更具体的判断方法的一个例子的进行说明。124.图11是用于说明叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断中使用的条件的一个例子的图。125.在图11中，示出了以吸入流量和吸入压为轴的二维平面m，具体而言，以吸入流量(来自与吸入流量对应的压力传感器171的输出电压)和吸入压中的任一者(在图的例子中为吸入压)为横轴，以另一者(在图的例子中为吸入流量)为纵轴的二维平面m。126.点集合s1～s4分别表示本发明的发明人在实际试验中得到的、规定期间中的各时刻的吸入流量的测量结果与压力传感器171的吸入压的测量结果的关系。127.另外，点集合s1～s3分别是将叉形部件120固定的状态下得到的，即没有发生叉形部件120与干扰物的接触时得到的。点集合s1是在上述规定期间中，从排气机构151作用于上述的喷嘴用流路的排气压力一定的状态下(即没有进行吸附的开启/关闭)，控制速度控制器172使吸入压变化而得到的。128.点集合s2是在上述规定期间中，从利用开闭阀160关闭吸附的状态使吸附开启而得到的。129.点集合s3是在上述规定期间中，从利用开闭阀160开启吸附的状态使吸附关闭而得到的。130.点集合s4是在上述规定期间中，使吸附保持晶片w的叉形部件120插入盒c内，利用开闭阀160使吸附从开启变为关闭，将晶片w从叉形部件120交接到盒c，将叉形部件120从盒c拔出时得到的。此外，点集合s4是在上述规定期间中，叉形部件120已接触到其下方的晶片w时得到的。131.此处，在上述二维平面m中，以点集合s1为基准设定基准区域r。132.点集合s2、s3更明确而言是在进行了利用开闭阀160的吸附的开启/关闭的切换但是没有发生叉形部件120与干扰物的接触时得到的。这些点集合s2、s3全部收敛在基准区域r内。133.与此相对，点集合s4更明确而言是在进行了利用开闭阀160的吸附的开启/关闭的切换且发生了叉形部件120与干扰物的接触时得到的。该点集合s4的一部分没有收敛在基准区域r内。134.根据该图11的结果，在本实施方式中，控制部6例如如以下那样进行叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断。即，控制部6基于在二维平面m上，表示判断对象期间中的各时刻的流量传感器170的吸入流量的测量结果与压力传感器171的吸入压的测量结果的关系的点集合s是否全部收敛在预先规定的基准区域r内，来进行上述判断。如果没有收敛在其内，则控制部6判断为已接触。135.更具体而言，控制部6对判断对象期间中包含的每个时刻，进行在二维平面m上表示该时刻的吸入流量的测量结果与吸入压的测量结果的关系的点是否收敛在预先规定的基准区域r内的判断，根据其判断结果，进行上述是否已接触的判断。当表示判断对象期间中包含的任意时刻t的吸入流量的测量结果与吸入压的测量结果的关系的位置p没有收敛在预先规定的基准区域r内时，控制部6判断为已接触。136.基准区域r例如在与获取上述的点集合s1时同样的条件下预先获取同样的点集合，将该获取结果规定为基准。例如，将从预先获取的点集合起的距离成为规定值以下的区域设定为基准区域r。137.另外，基准区域r例如也可以在与分别获取上述的点集合s1～s3时同样的3个条件下分别预先获取同样的点集合，将该获取结果规定为基准。138.另外，使用流量传感器170的吸入流量的测量结果和压力传感器171的吸入压的测量结果这两者进行叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断的方法，并不限定于上述的方法。139.＜状态判断处理＞140.下面，对晶片处理系统1中的状态判断处理进行说明。该判断处理例如在维护时、装置启动时、由晶片处理系统1进行的量产处理时即装置运转时等进行。141.(判断用数据获取)142.首先，在利用开闭阀160开启吸附，利用开闭阀173开启吸入的状态下，使吸附有晶片w的叉形部件120从上述的初始位置移动，插入盒c内，并移动至上述的交接位置。之后，利用开闭阀160使吸附关闭，并且使叉形部件120下降，将晶片w从叉形部件120交接到盒c内的晶片支承部(未图示)。然后，使叉形部件120从交接位置移动至初始位置。143.然后，在使叉形部件120如上述那样移动的期间，流量传感器170持续测量吸入流量，并且压力传感器171持续测量吸入压，控制部6持续获取它们的测量结果。144.(判断)145.然后，控制部6基于流量传感器170的吸入流量的测量结果和压力传感器171的吸入压的测量结果，在叉形部件120如上述那样移动的期间进行该叉形部件120与其下方的晶片w是否已接触的判断。控制部6在判断对象期间中包含的时刻t1～tn中的每个时刻，进行在二维平面m上表示该时刻ti(i＝1～n)的吸入流量的测量结果与吸入压的测量结果的关系的位置pi(i＝1～n)是否收敛在预先规定的基准区域r内的判断，根据其判断结果，进行上述是否已接触的判断。当表示任意时刻ti(i＝1～n)的吸入流量的测量结果与吸入压的测量结果的关系的位置pi(i＝1～n)没有收敛在预先规定的基准区域r内时，控制部6判断为已接触。146.另外，控制部6也可以在获取至叉形部件120的移动完成为止的期间的全部吸入流量的测量结果和吸入压的测量结果后，进行上述是否已接触的判断，还可以在每次获取这些测量结果时等，至叉形部件120的移动完成为止的期间，定期地进行上述判断。在后者的情况下，控制部6也可以在判断为已接触以后，中止上述判断。147.如上所述，本实施方式的输送装置20包括叉形部件120和设置于叉形部件120的下表面的、使气体通过的喷嘴123。此外，输送装置20包括：第1内部流路130、第1中继流路131和第1配管132，其作为与叉形部件120的吸附口121连接并在吸附时使气体流通的吸附用流路；以及第2内部流路140、第2中继流路141和第2配管142，其作为与喷嘴123连接并使气体流通的喷嘴用流路。进一步，在输送装置20中，上述吸附用流路和喷嘴用流路与共用的吸引机构连接。而且，晶片处理系统1包括分别测量在上述喷嘴用流路中流动的气体的压力及流量的压力传感器171和流量传感器170。因此，控制部6能够基于压力传感器171和流量传感器170的测量结果测量出的压力和流量，进行关于叉形部件120与在盒c内位于叉形部件120的下方的晶片w之间的距离的状态之判断。在上述喷嘴用流路中流动的气体的压力和流量不会随着作为干扰物的盒c内的晶片w的电导率和介电常数等而大幅变化。因此，依照本实施方式，能够不依赖于该晶片w的电导率和介电常数，而正确地进行关于盒c内的晶片w与叉形部件120之间的距离的状态之判断。此外，在判断对象期间中，进行经由上述吸附用流路的吸附的开启/关闭的切换，其结果是，即使上述喷嘴用流路的流量发生变动，也能够正确地进行上述判断。148.而且，在判断对象期间中，排气机构151的排气压下降，其结果是，即使上述喷嘴用流路的流量发生变动，也能够正确地进行上述判断。149.另外，作为叉形部件与干扰物是否已接触的判断方法，除本实施方式的方法以外，还考虑以下的方法。即，考虑在叉形部件设置振动传感器，使得利用振动传感器能够检测叉形部件与干扰物接触时的振动，基于振动传感器的检测结果，判断叉形部件与干扰物是否已接触的方法。但是，该方法在叉形部件未接触而振动的情况下，有时会发生误判。对此，当使用利用图11的条件进行判断时，即使在叉形部件未接触而振动的情况下，也不会发生误判。150.另外，在本实施方式中，流量传感器170和压力传感器171以将第2配管142的上述能够自由变形的部分142a夹在中间的方式设置在第2内部流路140的相反侧的部分。151.因此，与将流量传感器170和压力传感器171设置在第2内部流路140、第2中继流路141的情况相比，对流量传感器170和压力传感器171的信号线的布线等容易，而且，流量传感器170和压力传感器171自身的设置也容易。此外，认为当在流量传感器170和压力传感器171与第2内部流路140之间存在上述能够自由变形的部分142a时，换言之，当在流量传感器170和压力传感器171的上游侧存在弯曲部时，推测在弯曲部发生压损的变动，由此流量发生变动，流量传感器170和压力传感器171的测量结果的s/n比变差。但是，本发明的发明人进行了深入研究，发现与由于压损的变动而产生的流量相比更好地得到s/n比，因此采用了如上述那样的结构。152.＜输送单元的另一个例子＞153.图12是用于说明输送单元的另一个例子的图。154.如图12所示，有时多个(在图的例子中为2个)输送单元22使用共用的排气机构151。155.在这种情况下，存在一个输送单元22中的上述的喷嘴用流路的吸入压由于另一个输送单元22中的利用开闭阀160的吸附的开启/关闭的切换而变动的情况。即，一个输送单元22中的上述的喷嘴用流路的吸入压随着在另一个输送单元22的上述的吸附用流路中流动的气体的压力而变动。156.在如上述那样的情况下，基于一个输送单元22中的上述的喷嘴用流路的流量和压力的测量结果，进行关于一个输送单元22与干扰物的距离的状态之判断即可。由此，在判断对象期间中，进行另一个输送单元22的吸附的开启/关闭的切换，其结果是，即使上述喷嘴用流路的流量发生变动，也能够正确地进行上述判断。157.＜叉形部件的另一个例子＞158.下面，使用图13和图14，对叉形部件的另一个例子进行说明。图13表示已设的叉形部件的例子，图13是表示在图14的已设的叉形部件中，取代后述的吸附部件而安装有后述的治具时的情形的图。159.如图13所示，已设的叉形部件200与图4等所示的叉形部件120同样，具有吸附口121和吸附垫122。不过，已设的叉形部件200又与叉形部件120不同，不具有用于状态判断的喷嘴123。160.已设的叉形部件200，具体而言，具有吸附部件201和叉形部件主体202。叉形部件200的外形形状与图5等所示的叉形部件120大致相同，前端侧为两分叉形状。161.吸附部件201可拆装地安装于叉形部件主体202。具体而言，吸附部件201可拆装地安装于叉形部件主体202的下表面。此外，吸附部件201例如通过螺合被固定在叉形部件主体202。吸附部件201的前端侧，其上表面没有被叉形部件主体202覆盖，而设置有向上方开口的吸附口121。此外，在吸附部件201的前端侧的上表面，以覆盖吸附口121的开口的周围的方式设置有吸附垫122。在吸附部件201的内部，形成有前端与吸附口121连接并使气体流通的部件侧内部流路201a。162.叉形部件主体202设置有前端与部件侧内部流路201a连接且根端与排气机构151(参照图6)连通的主体侧内部流路202a。部件侧内部流路201a和主体侧内部流路202a构成图4等所示的叉形部件120的第1内部流路130。即，部件侧内部流路201a和主体侧内部流路202a构成吸附用流路。163.在进行关于已有的叉形部件200与位于其下方的晶片w之间的距离的状态之判断的情况下，取下吸附部件201，代之以如图14所示安装治具210。164.治具210可拆装地安装于叉形部件主体202。具体而言，治具210可拆装地安装于叉形部件主体202的下表面。在该治具210的下表面设置有喷嘴123。此外，在治具210的内部，形成有前端与喷嘴123连接且使气体流通的治具内流路211。而且，当该治具210安装于叉形部件主体202时，使得喷嘴123经由治具内流路211，而连通于和部件侧内部流路201a一起构成第1内部流路130的主体侧内部流路202a。因此，构成第1内部流路130的主体侧内部流路202a与治具内流路211一起，构成图4等所示的叉形部件120的第2内部流路140。即，主体侧内部流路202a不仅是吸附用流路而且还兼作喷嘴用流路。165.与图12的例子同样地，在多个叉形部件200使用共用的排气机构151的情况下，例如将一个叉形部件200的吸附部件201换成治具210，而保持安装有另一个叉形部件200的吸附部件201的状态时，如以下所述。即，上述一个叉形部件200中的、包含治具210的治具内流路211和叉形部件主体202的主体侧内部流路202a在内的喷嘴用流路的吸入压，随着在叉形部件200中的、包含吸附部件201的部件侧内部流路201a和主体侧内部流路202a在内的吸附用流路中流动的气体的压力而变动。166.在这种情况下，例如也在第1配管132(参照图6)设置流量传感器和压力传感器，基于上述一个叉形部件200中的上述流量传感器和压力传感器的测量结果，进行关于一个叉形部件200与干扰物的距离的状态之判断即可。由此，在判断对象期间中，进行上述另一个叉形部件200的吸附的开启/关闭的切换，其结果是，即使上述喷嘴用流路的流量发生了变动，也能够正确地进行上述判断。167.另外，治具210例如通过螺合而被固定在叉形部件主体202。此外，在吸附部件201如上述那样共设置有4各的情况下，治具210例如以取代叉形部件200的前端侧的2个吸附部件201的方式安装。关于依然安装着的叉形部件200的根端侧的吸附部件201，在上述判断时其吸附口121被堵塞。168.图15是表示喷嘴的形状的另一个例子的图。169.图15的喷嘴301的形状是随着从根端去往前端而变细的圆锥形。通过采取这样的形状，能够减小喷嘴301的前端面的面积，并且加粗喷嘴301的根端侧。170.如果喷嘴301的前端面的面积大，则当喷嘴301的前端面靠近喷嘴301的下方、即叉形部件120的下方的晶片w的上表面时，有时喷嘴301吸引气体的力会作用于晶片w而将其吸起。对此，通过减小喷嘴301的前端面的面积，晶片w的上表面的、喷嘴301吸引气体的力起作用的区域变小，因此能够降低作用于晶片w的总吸引力。其结果是，能够防止发生吸起晶片w的情况。171.另外，通过将喷嘴301的根端侧加粗，能够防止在喷嘴301接触到晶片w时发生破损的情况等。172.在以上的例子中，进行了关于叉形部件120、200与位于其下方的晶片w之间的距离的状态之判断，也可以进行关于叉形部件120、200与位于其下方的其它部件(例如盒c内的构造物等)之间的距离的状态之判断。173.此外，还可以在叉形部件的前面及侧面设置喷嘴123、301，进行关于叉形部件与位于其前方或侧方的空间的部件(例如，盒c的后壁、侧壁等)之间的距离的状态之判断。174.另外，在以上的例子中，在输送装置20的叉形部件120设置有喷嘴123、301，不过也可以在输送装置20的其它部分(例如安装部件113)设置同样的喷嘴。而且，还可以进行关于输送装置20的其它部分与干扰物之间的距离的状态之判断。此外，还可以在输送装置70等其它输送装置设置同样的喷嘴，进行关于该其它输送装置与干扰物之间的距离的状态之判断。175.应当认为本次公开的实施方式在所有方面均为例示而不并非限制性的。上述的实施方式在不脱离所附的权利要求的范围及其主旨的情况下，能够以各种各样的方式进行省略、替换和变更。









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