光源、分光分析系统及分光分析方法与流程

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及光源、分光分析系统及分光分析方法。背景技术：2.在专利文献1中,记载了实现向外部的光取出的提高,具有led芯片和颜色转换部件的发光装置,该发光装置用于照明器具等。3.《现有技术文献》4.《专利文献》5.专利文献1:日本国特开2009-105379号公报技术实现要素：6.《本发明要解决的问题》7.本发明提供一种光源、分光分析系统及分光分析方法,其寿命长且能够用于广范围的膜厚测定。8.《用于解决问题的手段》9.本发明的一个方式的光源具有:发光二极管；波长转换部,其以对自上述发光二极管输出的光的波长进行转换的方式构成；以及聚光部,其以对自上述波长转换部输出的光进行聚光的方式构成。10.《发明的效果》11.根据本发明,寿命长且能够用于广范围的膜厚测定。附图说明12.图1是示出分光分析系统的一个例子的示意图。13.图2是示出光源的一个例子的示意图。14.图3是示出发光元件的一个例子的示意图。15.图4a是示出来自未形成有图案的裸硅晶圆的反射光的频谱的图。16.图4b是示出校正用的频谱的图。17.图5是示出来自裸硅晶圆的反射光的校正后的频谱的图。18.图6是示出控制装置的功能构成的一个例子的框图。19.图7是示出控制装置的硬件构成的一个例子的框图。20.图8是示出通过控制装置进行的控制(晶圆的检查)的一个例子的流程图。21.图9是示出分光频谱数据的取得位置的一个例子的图。22.图10是示出通过控制装置进行的控制(根据颜色的变化的膜厚的推定)的一个例子的流程图。23.图11是示出通过控制装置进行的控制(根据分光频谱数据的膜厚的推定)的一个例子的流程图。24.图12a是示出来自裸硅晶圆的反射光的频谱的图。25.图12b是示出来自形成于裸硅晶圆之上的氮化硅膜的反射光的频谱的图。26.图13a是示出绝对分光频谱的图。27.图13b是示出平滑化处理后的绝对分光频谱的图。28.图14a是示出使用了椭偏仪的膜厚测定的结果的等高线图。29.图14b是使用了包括光源的检查单元的膜厚测定的结果的等高线图。30.图15是示出自一个发光元件输出的光的频谱的一个例子的图。具体实施方式31.以下,参照附图对实施方式进行具体说明。需要说明的是,在本说明书及附图中,对于实质上具有相同功能构成的构成要素,有时通过赋予相同的附图标记而省略重复的说明。32.首先,对于实施方式中的具有光源的分光分析系统进行说明。图1是示出分光分析系统的一个例子的示意图。该分光分析系统1包括控制装置100以及检查单元u3。33.[检查单元][0034]检查单元u3取得形成于处理对象的基板、例如半导体的晶圆w的膜的表面的信息以及膜厚的信息。[0035]如图1所示,检查单元u3包括壳体30、保持部31、驱动部32、摄像部33、投光/反射部34以及分光测定部40。保持部31将晶圆w保持为水平。驱动部32将例如电动马达等作为动力源,沿水平的直线状的路径使保持部31移动。驱动部32也可以使保持部31在水平面内旋转。摄像部33具有例如ccd相机等的相机35。相机35在保持部31的移动方向中设于检查单元u3内的一端侧,并且朝向该移动方向的另一端侧。投光/反射部34向摄像范围投光,并且将来自该摄像范围的反射光向相机35侧引导。例如投光/反射部34具有半透半反镜36以及光源37。半透半反镜36在比保持部31高的位置处,设于驱动部32的移动范围的中间部,并且将来自下方的光反射至相机35侧。光源37设于半透半反镜36之上,并且通过半透半反镜36向下方照射照明光。[0036]分光测定部40具有使来自晶圆w的光入射而进行分光,从而取得分光频谱的功能。分光测定部40具有使来自晶圆w的光入射的入射部41、对入射至入射部41的光进行导波的导波部42、取得对被导波部42导波的光进行分光的分光频谱的分光器43以及光源44。入射部41设定为在被保持部31保持的晶圆w伴随基于驱动部32的驱动而移动时,来自晶圆w的中央部的光能够进行入射的构成。即,设于与在驱动部32的驱动下移动的保持部31的中心的移动路径对应的位置。并且,以晶圆w因保持部31的移动而移动时,入射部41沿晶圆w的径向相对于晶圆w的表面相对移动的方式,安装入射部41。由此,分光测定部40能够取得包括晶圆w的中心部的在沿晶圆w的径向的多处的分光频谱。另外,通过驱动部32使保持部31旋转,分光测定部40能够取得在沿晶圆w的周向的多处的分光频谱。导波部42例如由光纤等构成。分光器43对入射的光进行分光而取得包括与各波长对用的强度信息的分光频谱。光源44向下方照射照明光。由此,在晶圆w处的反射光经由入射部41、导波部42而入射至分光器43。[0037]需要说明的是,通过分光器43取得的分光频谱的波长范围例如可以设定为给包括深紫外光的波长范围和可见光的波长范围的约250nm～1200nm的范围。将使包括深紫外光reflection)透镜53x、聚光透镜54x、散热器55x以及壳体56x。壳体56x用于容纳荧光滤光器52x、tir透镜53x以及聚光透镜54x。在发光元件50x的输出端连接有包含于光纤束62的光纤62x。荧光滤光器52x对自led51x输出的光的波长进行转换。tir透镜53x使自荧光滤光器52x输出的光成为平行光。聚光透镜54x对透过tir透镜53x的光进行聚光。通过聚光透镜54x进行聚光后的光被输入光纤62x。散热器55x安装于led51x,其将在led51x产生的热量放出至外部。荧光滤光器52x是波长转换部的一个例子,聚光透镜54x是聚光部的一个例子。[0048]自led51x输出的光的波长在发光元件50a～50c之间不同。自led51x输出的光的波长例如处于250nm以上700nm以下的范围内。例如,发光元件50a～50c中的至少一个发光元件包括用于输入波长为350nm以下的光的led51x。也就是说,发光元件50a～50c中的至少一个发光元件包括用于输出紫外光的led51x。[0049]荧光滤光器52x例如包括荧光体的颗粒。荧光滤光器52x可以包括附着有荧光体的纳米粒子的玻璃粉末集合而形成的膜。荧光滤光器52x可以包括分散有荧光体的纳米粒子的硅树脂的膜。荧光体例如为lapo4:ce3+或lamgal11o19:ce3+)。优选荧光滤光器52x包括多种荧光体。通过包括多种荧光体,能够使通过荧光滤光器52x输出的光的频谱平滑化。在荧光滤光器52x中包含的荧光体可以为一种。另外,优选荧光滤光器52x包括用于保持荧光体的粒子的玻璃。与硅树脂等的树脂相比玻璃不易劣化,特别是在led51x输出的光的波长较短的情况下,玻璃的耐受性变得显著。荧光滤光器52x可以以密封led51x的发光面的方式形成。荧光滤光器52x的形状例如可以为板状。[0050]需要说明的是,与光纤束62连接的发光元件50x的数量不限定。例如,可以是4个发光元件50x与光纤束62连接。[0051]示出4个发光元件50x与1个发光元件59与混合器60连接的情况下的合成频谱的例子。图4a是示出来自未形成有图案的裸硅晶圆的反射光的频谱的图。图4b是示出校正用的频谱的图。图5是示出来自裸硅晶圆的反射光的校正后的频谱的图。这里,在4个发光元件中包含的led51x的波长分别为285nm、340nm、365nm、385nm。输出285nm的光的led51x的输出为约400μw。输出340nm的光的led51x的输出为约0.7mw。输出365nm的光的led51x的输出为约4mw。输出385nm的光的led51x的输出为约6mw。输出白色光的发光元件59中包含的led的输出为约3mw。[0052]如图4a所示,4个发光元件50x和1个发光元件59与混合器60连接的光源具有较宽的波长带。因此,如图5所示,作为来自裸硅晶圆的反射光的校正后的频谱,能够获得波长带较宽的绝对反射频谱。[0053]光源44输出的光的波长不特别限定,光源44例如可以输出波长为250nm以上1200nm以下的光。优选光源44输出的光的波长带中包含250nm以上750nm以下的波长带。[0054][控制装置][0055]对于控制装置100的一个例子进行详细说明。图6是示出控制装置的功能构成的一个例子的框图。控制装置100对检查单元u3中包含的各要素进行控制。[0056]如图6所示,控制装置100作为功能上的构成具有检查实施部101、图像信息保存部102、分光测定结果保存部103、膜厚计算部104、模型保存部108以及分光信息保存部109。[0057]检查实施部101具有控制在检查单元u3的晶圆w的检查的动作的功能。作为检查单元u3的检查的结果,取得图像数据以及分光频谱数据。[0058]图像信息保存部102具有自检查单元u3的摄像部33取得对晶圆w的表面进行摄像的图像数据,并且进行保存的功能。在图像信息保存部102中保存的图像数据被利用于在晶圆w中形成的膜的膜厚的推定。[0059]分光测定结果保存部103具有自检查单元u3的分光器43取得晶圆w的表面的分光频谱数据,并且进行保存的功能。在分光测定结果保存部103中保存的分光频谱数据被利用于在晶圆w中形成的膜的膜厚的推定。[0060]膜厚计算部104具有基于在图像信息保存部102中保存的图像数据、以及在分光测定结果保存部103中保存的分光频谱数据,计算形成于晶圆w的膜的膜厚的功能。膜厚的计算的顺序的详细内容后述。[0061]分光信息保存部109具有保存根据分光频谱数据计算膜厚时使用的分光信息的功能。通过检查单元u3取得的分光频谱数据根据形成于晶圆w的表面的膜的种类以及膜厚变化。因此,在分光信息保存部109中保存膜厚与分光频谱的对应关系的信息。例如,事先取得裸硅晶圆等的下层膜的表面的分光频谱数据,分光信息保存部109将该分光频谱数据作为参考数据进行保持。在膜厚计算部104中,基于在分光信息保存部109中保存的信息,对于检查对象的晶圆w(对象基板)推定膜厚。[0062]控制装置100由一个或多个控制用计算机构成。图7是示出控制装置的硬件构成的一个例子的框图。例如控制装置100具有图7所示电路120。电路120具有一个或多个处理器121、存储器122、存储设备123以及输入输出口124。存储设备123例如具有硬盘等能够由计算机进行读取的存储介质。存储介质存储有用于使控制装置100执行后述的工艺处理工序的程序。存储介质可以是非易失性存储器的半导体存储器、磁盘以及光盘等的可取出的介质。存储器122临时存储自存储设备123的存储介质下载的程序以及处理器121的运算结果。处理器121通过与存储器122协作而执行上述程序,从而构成上述各功能模块。输入输出口124基于来自处理器121的指令,在与控制对象的部件之间进行电信号的输入输出。[0063]需要说明的是,控制装置100的硬件构成并不限于由程序构成各功能模块。例如控制装置100的各功能模块可以由专用的逻辑电路或集成了该逻辑电路的asic(application specific integrated circuit)构成。[0064]需要说明的是,图6所示功能的一部分可以设于与控制检查单元u3的控制装置100不同的装置中。在一部分的功能设于与控制装置100不同的外部装置的情况下,外部装置与控制装置100协作以发挥在以下的实施方式中说明的功能。另外,在这样的情况下,搭载有与在本实施方式中说明的控制装置100对应的功能的外部装置与在本实施方式中说明的分光分析系统1的剩余部分能够一体地作为分光分析系统起作用。[0065][基板检查方法][0066]接下来,参照图8～图11,对通过控制装置100进行的基板检查方法进行说明。图8是示出通过控制装置进行的控制(晶圆的检查)的一个例子的流程图。图9是示出分光频谱数据的取得位置的一个例子的图。基板检查方法是在检查单元u3中进行的成膜后的晶圆w的检查的方法。在检查单元u3中,检查在成膜后的晶圆w中是否实施了期望的成膜。具体而言,进行对于形成于晶圆w上的膜的表面的状态以及膜厚的评价。检查单元u3如上所述例如具有摄像部33和分光测定部40,因此能够通过摄像部33取得对晶圆w的表面进行摄像的图像数据,并且通过分光测定部40取得晶圆w的表面的分光频谱数据。在控制装置100中,基于这些数据评价成膜状况。[0067]首先,控制装置100执行步骤s01。在步骤s01中,将进行了成膜的晶圆w搬入检查单元u3。晶圆w在保持部31中被保持。[0068]接下来,控制装置100的检查实施部101执行步骤s02(图像取得步骤)。在步骤s02中,通过摄像部33对晶圆w的表面进行摄像。具体而言,一边在驱动部32的驱动下使保持部31在规定方向移动,一边通过摄像部33进行晶圆w的表面的摄像。由此,在摄像部33中取得晶圆w的表面的图像数据。图像数据在控制装置100的图像信息保存部102中保存。[0069]需要说明的是,与步骤s02的实施的同时,控制装置100的检查实施部101执行步骤s03(分光测定步骤)。在步骤s03中,通过分光测定部40在晶圆w的表面的多处进行分光测定。如上所述,由于分光测定部40的入射部41设于保持部31移动时被保持部31保持的晶圆w的中心通过的路径上,因此能够取得在包括中心部的沿晶圆w的径向的多处的分光频谱。另外,通过驱动部32使保持部31旋转,分光测定部40能够取得在沿晶圆w的周向的多处的分光频谱。因此,如图9所示,例如、自通过晶圆w的中心的多个线段、以及多个同心圆相交的多处的反射光入射至入射部41。分光器43进行入射至入射部41的光的分光频谱的测定。其结果,在分光器43中,作为多处,例如取得与图9所示多个测定位置p对应的p个、例如49个分光频谱数据。如此,通过使用分光器43取得在多处得晶圆w的表面的分光频谱数据。需要说明的是,测定位置p的场所以及数量可以根据通过分光器43进行得分光测定得间隔以及基于保持部31得晶圆w的移动速度而适当变更。通过分光器43取得的分光频谱数据在控制装置100的分光测定结果保存部103中被保存。[0070]控制装置100的膜厚计算部104执行步骤s04。在步骤s04中,基于晶圆w的表面的图像数据或基于分光测定得分光频谱数据,计算晶圆w的表面的膜的膜厚。[0071]对于使用图像数据计算膜厚的情况的工序,参照图10进行说明。图10是示出通过控制装置进行的控制(根据颜色的变化的膜厚的推定)的一个例子的流程图。在使用了图像数据的膜厚的计算中,使用在模型保存部108中保存的膜厚模型。膜厚模型是指,用于根据对形成了规定的膜时的晶圆w的表面进行摄像的图像数据中的各像素的颜色的变化的信息(形成规定的膜的前和后的颜色的变化)计算膜厚的模型,是示出了颜色的变化的信息与膜厚的对应关系的模型。通过将这样的模型事先保存在模型保存部108中,通过取得图像数据的多处的色的变化的信息,能够根据该色的变化推定膜厚。对于进行了到前阶段为止的各处理的晶圆w、以及之后的形成了规定的膜的晶圆w这两者,进行其表面的摄像而取得图像数据,确定颜色如何变化。另外,进行在相同条件下成膜的晶圆中的膜厚的测量。由此,能够确定膜厚与颜色的变化的对应关系。通过一边改变膜厚一边重复该测量,能够获得颜色的变化的信息与膜厚的对应关系。[0072]根据图像数据的膜厚的计算方法具体而言如图10所示。首先,在取得了摄像的图像数据(步骤s11)后,根据该图像数据取得每个像素的颜色变化的信息(步骤s12)。为了取得颜色的变化的信息,可以进行计算与成膜前的图像数据的差值的处理。之后,进行与在模型保存部108中保存的膜厚模型的比较(步骤s13)。由此,能够针对每个像素推定该像素所摄像的区域的膜厚(步骤s14)。由此,能够推定每个像素、即在晶圆w的表面的多处的膜厚。[0073]需要说明的是,基于上述图像数据的膜厚的计算(推定)在形成于晶圆w上的膜较薄的情况下(例如,约500nm以下)是可能的,但是膜厚变大则困难。这是由于,若膜厚变大,则相对于膜厚的变化的颜色的变化变小,因此变得难以根据颜色的变化的信息高精度推定膜厚。因此,在形成了膜厚较大的膜的情况下,膜厚的推定基于分光频谱数据来进行。[0074]对于使用分光频谱数据计算膜厚的情况的工序,参照图11进行说明。图11是示出通过控制装置进行的控制(根据分光频谱数据的膜厚的推定)的一个例子的流程图。使用了分光频谱数据的膜厚的计算是指,利用与表面的膜的膜厚相应的反射率的变化。若对在表面形成有膜的晶圆照射光,则光在最上层的膜的表面反射、或在最上层的膜与其下层(的膜或晶圆)的界面反射。并且,这些光作为反射光出射。即,在反射光中包含位相不同的两个成分的光。另外,若表面的膜厚变大,则其位相差变大。因此,若膜厚变化,则在上述膜表面反射的光和在与下层的界面反射的光的干涉的程度变化。即,反射光的分光频谱的形状产生变化。与膜厚相应的分光频谱的变化在理论上可以计算。因此在控制装置100中,事先保存与在表面形成的膜的膜厚相应的分光频谱的形状的信息。并且,将对于实际的晶圆w照射光而获得的反射光的分光频谱与事先保存的信息进行比较。由此,能够对晶圆w的表面的膜的膜厚进行推定。在膜厚的推定中使用的膜厚与分光频谱的形状的关系的信息保存在控制装置100的分光信息保存部109中。[0075]根据分光频谱数据的膜厚的计算方法具体而言如图11所示。首先,取得分光测定的结果、即分光频谱数据(步骤s21)。接下来,参照在分光信息保存部109中保存的信息,根据分光频谱数据计算测定对象的膜的绝对分光频谱数据(步骤s22)。接下来,消除绝对分光频谱数据中含有的噪声,进行平滑化处理(步骤s23)。噪声的消除以及平滑化处理例如可以使用savitzky-golay滤波器、移动平均滤波器或spline平滑化滤波器。噪声的消除以及平滑化处理可以使用指定了分光频谱的波长区域而进行的加权因子优化。接下来,抽出通过步骤s23获得的绝对频谱数据中的规定的波长区域、例如270nm～700nm的波长区域,可以根据该抽出的波长区域的数据推定膜厚(步骤s24)。由此,能够推定每个分光频谱数据、即在晶圆w的表面的多处的膜厚。通过基于各分光频谱数据计算膜厚,能够获得在晶圆w的表面的膜厚的分布的信息。[0076]这里,对于步骤s21～s24的处理,参照例子进行说明。在该例子中,设定为进行在裸硅晶圆之上形成的氮化硅膜的厚度的测定。图12a是示出来自裸硅晶圆的反射光的频谱的图,图12b是示出来自在裸硅晶圆之上形成的氮化硅膜的反射光的频谱的图。图13a是示出绝对分光频谱的图,图13b是示出平滑化处理后的绝对分光频谱的图。[0077]在该例子中,分光信息保存部109事先保存有图12a所示分光频谱数据。在步骤s21中,取得图12b所示分光频谱数据。在步骤s22中,参照图12a所示分光频谱数据,根据图12b所示分光频谱数据,计算图13a所示氮化硅膜的绝对分光频谱数据。在步骤s23中,消除在绝对分光频谱数据中包含的噪声,进行平滑化处理。其结果,能够获得图13b所示那样的绝对分光频谱数据。并且,在步骤s24中,根据图13b中的270nm～700nm的波长区域r的绝对分光频谱数据推定膜厚。[0078]需要说明的是,在基于分光频谱数据进行膜厚的推定的情况下,可以省略图像数据的取得(步骤s02)。在该情况下,可以设定为不进行通过摄像部33进行的图像数据的取得,而是仅基于分光频谱数据,进行膜厚的推定以及成膜状况的评价的构成。[0079]返回图8,膜厚的计算(步骤s04)之后,控制装置100的检查实施部101执行步骤s05。在步骤s05中,将晶圆w自检查单元u3搬出。被搬出的晶圆w例如被送至后阶段的处理模块。[0080]如此,对形成于晶圆w的测定对象的膜的膜厚进行测定。[0081][作用][0082]在分光分析系统1中,光源44具有多个发光元件50x(50a～50c)。另外,在多个发光元件50x之间,自该发光元件50x中包含的led51x输出的光的波长不同。因此,光源44能够发出宽频带的光。因此,能够用于广范围的膜厚测定。另外,作为led51x,通过使用发出波长为350nm以下的紫外光或深紫外光的元件,光源44所发出的光中也可以包含紫外光、深紫外光。通过发出波长较短的光,能够高精度测定更薄的膜的厚度。而且,led的寿命例如为10000小时以上,比重氢(d2)/卤素光源、xe光源的寿命长很多,从而能够长期间连续运转。另外,led的波长频谱再现性比xe灯光源的波长频谱稳定性优异。而且,xe灯光源难以脉冲驱动,led易于脉冲驱动。[0083]包含光源44的分光分析系统1例如可以内置于进行成膜及膜厚测定的成膜装置中来使用。作为成膜装置,例如,可以举出涂布/显影装置、化学气相沉积装置(chemical vapor deposition:cvd)装置、溅射装置、蒸镀装置以及原子层沉积(atomic layer deposition:ald)装置。包括光源44的分光分析系统1例如可以内置于进行蚀刻及膜厚测定的蚀刻装置中来使用。作为蚀刻装置,例如,可以举出等离子体蚀刻装置以及原子层蚀刻(atomic layer etching:ale)装置。另外,分光分析系统可以自成膜装置或蚀刻装置独立配置,并且向成膜装置或蚀刻装置发送测定结果。[0084]在分光分析系统1内置于成膜装置或蚀刻装置中的情况下,虽然在光源44的交换时,使成膜装置的动作停止,但是由于光源44寿命长,因此能够降低更换频率。[0085]另外,由于光源44包括输出白色光的发光元件59,因此也能够对较厚的膜的厚度进行测定。[0086]这里,对于测定的例子进行说明。在该例子中,在裸硅晶圆上形成厚度为30nm的氮化硅膜,进行了使用了椭偏仪的膜厚测定、以及使用了包括光源44的检查单元u3的膜厚测定。图14a是示出使用了椭偏仪的膜厚测定的结果的等高线图,图14b是示出使用了包括光源44的检查单元u3的膜厚测定的结果的等高线图。图14a以及图14b中的数值是膜厚[0087]如图14a以及图14b所示,根据使用了包括光源44的检查单元u3的膜厚测定,也能够获得与使用了椭偏仪的膜厚测定相同程度的精度。这些之间的不同为均方根(root mean square:rms),为0.3nm。另外,在使用了椭偏仪的膜厚测定中,1处测定所要时间为约20m秒,与此相对,在使用了包括光源44的检查单元u3的膜厚测定中约5m秒结束。也就是说,根据使用过了包括光源44的检查单元u3的膜厚测定,能够缩短测定时间。[0088]需要说明的是,在光源44中包括的发光元件50x的数量不需要为多个,光源44中包括的发光元件50x的数量可以为一个,由于发光元件50x包括led51x、荧光滤光器52x、以及聚光透镜54x,因此能够用于广范围的膜厚测定。另外,光源44和入射部41可以一体构成。图15是示出自一个发光元件50x输出的光的频谱的一个例子的图。[0089]光源可以用于分光分析系统之外的用途。[0090]以上,虽然对于优选实施方式进行了详细说明,但是不限于上述实施方式等,在不超出权利要求中记载的范围的情况下,可以对上述实施方式等施加各种变形以及置换。[0091]本技术要求于日本专利局在2020年3月23日申请的基础申请2020-051432号的优先权,并且在此通过参照引用其全部内容。[0092]附图标记说明[0093]1分光分析系统[0094]40分光测定部[0095]41入射部[0096]42导波部[0097]43分光器[0098]44光源[0099]50a、50b、50c、50x、59发光元件[0100]51x发光二极管[0101]52x荧光滤光器[0102]53xtir透镜[0103]54x聚光透镜[0104]55x散热器[0105]60混合器[0106]61镜像滤波器[0107]62光纤束[0108]100控制装置[0109]103分光测定结果保存部[0110]104膜厚计算部[0111]109分光信息保存部。









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