一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术属于晶圆加工技术领域，特别的涉及一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置。背景技术：2.离子注入是近些年来在国际上蓬勃发展并获得广泛应用的一种材料表面改进技术，其原理是：用例如能量为 100kev 量级的离子束入射到材料中，使离子束与材料中的原子或分子发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料的表面成分、结构和性能发生变化，从而优化材料表面的性能，或获得某些新的优异性能。3.在半导体制程中，常以向衬底（例如硅基衬底）中引入可控数量杂质的方式来改变其电学性能。事实上离子注入在现代晶片制造过程中已有着广泛的应用。4.现有技术中离子注入机一般可射出点状离子束或是带状离子束，但在离子束的射出过程中需要长时间控制承载晶圆（也即硅片）的基座，且该基座的运动模式过于复杂，以导致整体工时较长以及投入成本过高；其次，在离子束的射出过程中无法实时监控离子束的电流量，且在离子束遭到中断后无法准确进行后续离子束的射出，严重影响到晶圆的加工效率。技术实现要素：5.本技术为解决上述提到的在离子束的射出过程中需要长时间控制承载晶圆（也即硅片）的基座，且该基座的运动模式过于复杂，以导致整体工时较长以及投入成本过高；其次，在离子束的射出过程中无法实时监控离子束的电流量，且在离子束遭到中断后无法准确进行后续离子束的射出，严重影响到晶圆的加工效率等技术问题，提出一种基于离子注入机的离子束注入控制方法及装置，其具体方案如下：第一方面，本技术实施例提供了一种基于离子注入机的离子束注入控制方法，方法应用于离子注入机，离子注入机包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，方法包括：当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置；根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁；其中，第一离子束的射出时间与第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的第二离子束的截面积大于或等于晶圆乘载盘的晶圆表面积。6.在第一方面的一种可选方案中，离子注入机还包括设置在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间的平行透镜；基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面，包括：基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至平行透镜；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。7.在第一方面的又一种可选方案中，离子注入机还包括设置在晶圆乘载盘后方的离子束终止器；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面之后，方法还包括：当检测到平行透镜将处理后的第二离子束射出至离子束终止器时，判断处理后的第二离子束是否处于离子束终止器的预设区域；当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值。8.在第一方面的又一种可选方案中，当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值之后，还包括：获取离子源射出的第二离子束的初始电流值，并判断第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值是否处于预设差值区间；当检测到第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，基于差值对第二离子束的初始电流值进行更新处理，并控制离子源射出处理后的第二离子束。9.在第一方面的又一种可选方案中，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置，包括：将第一离子束的移动轨迹划分为至少两个轨迹段；当检测到至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，确定至少一个轨迹段的延伸线；获取四极透镜的初始轴心位置，并计算出四极透镜的初始轴心位置与至少一个轨迹段的延伸线的最短距离；将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置。10.在第一方面的又一种可选方案中，将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置之后，还包括：基于最短距离生成四极透镜的移动路径；按照四极透镜的移动路径将四极透镜的初始轴心位置移动至四极透镜的目标轴心位置。11.在第一方面的又一种可选方案中，根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，包括：确定四极透镜的目标轴心位置的延伸线；获取波束扫描磁铁的轴心位置，并在预设第一平面内校正波束扫描磁铁的位置，直至波束扫描磁铁的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；获取晶圆乘载盘的轴心位置，并在预设第二平面内校正晶圆乘载盘的位置，直至晶圆乘载盘的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；其中，预设第一平面与预设第二平面平行。12.第二方面，本技术实施例提供了一种基于离子注入机的离子束注入控制装置，装置应用于离子注入机，离子注入机包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，装置包括：第一检测模块，用于当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置；校正模块，用于根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束；第二检测模块，用于当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁；其中，第一离子束的射出时间与第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；控制模块，用于基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的第二离子束的截面积大于或等于晶圆乘载盘的晶圆表面积。13.在第二方面的一种可选方案中，离子注入机还包括设置在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间的平行透镜；控制模块包括：第一控制单元，用于基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至平行透镜；第二控制单元，用于基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。14.在第二方面的又一种可选方案中，离子注入机还包括设置在晶圆乘载盘后方的离子束终止器；控制模块还包括：判断单元，用于当检测到平行透镜将处理后的第二离子束射出至离子束终止器时，判断处理后的第二离子束是否处于离子束终止器的预设区域；第一计算单元，用于当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值。15.在第二方面的又一种可选方案中，计算单元还用于：获取离子源射出的第二离子束的初始电流值，并判断第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值是否处于预设差值区间；当检测到第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，基于差值对第二离子束的初始电流值进行更新处理，并控制离子源射出处理后的第二离子束。16.在第二方面的又一种可选方案中，第一检测模块包括：划分单元，用于将第一离子束的移动轨迹划分为至少两个轨迹段；第一确定单元，用于当检测到至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，确定至少一个轨迹段的延伸线；第二计算单元，用于获取四极透镜的初始轴心位置，并计算出四极透镜的初始轴心位置与至少一个轨迹段的延伸线的最短距离；确定单元，用于将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置。17.在第二方面的又一种可选方案中，第一检测模块还包括：生成单元，用于基于最短距离生成四极透镜的移动路径；控制单元，用于按照四极透镜的移动路径将四极透镜的初始轴心位置移动至四极透镜的目标轴心位置。18.在第二方面的又一种可选方案中，校正模块包括：第二确定单元，用于确定四极透镜的目标轴心位置的延伸线；第一校正单元，用于获取波束扫描磁铁的轴心位置，并在预设第一平面内校正波束扫描磁铁的位置，直至波束扫描磁铁的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；第二校正单元，用于获取晶圆乘载盘的轴心位置，并在预设第二平面内校正晶圆乘载盘的位置，直至晶圆乘载盘的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；其中，预设第一平面与预设第二平面平行。19.第三方面，本技术实施例还提供了一种基于离子注入机的离子束注入控制装置，装置应用于离子注入机，离子注入机包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，装置包括处理器以及存储器；处理器与存储器连接；存储器，用于存储可执行程序代码；处理器通过读取存储器中存储的可执行程序代码来运行与可执行程序代码对应的程序，以用于实现本技术实施例第一方面或第一方面的任意一种实现方式提供的基于离子注入机的离子束注入控制方法。20.第四方面，本技术实施例提供了一种计算机存储介质，计算机存储介质存储有计算机程序，计算机程序包括程序指令，程序指令当被处理器执行时，可实现本技术实施例第一方面或第一方面的任意一种实现方式提供的基于离子注入机的离子束注入控制方法。21.在本技术实施例中，可在注入离子束时，当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置；接着根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁；其中，第一离子束的射出时间与第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；接着基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的第二离子束的截面积大于或等于晶圆乘载盘的晶圆表面积。通过处理后的离子束可保障晶圆乘载盘在离子束的注入过程中避免持续移动，可有效减少保养与故障频率，以及有助于减少因移动所产生的外在污染；另一方面，还可基于处理后的离子束有效控制对晶圆表面积的再次注入过程，进而极大缩短离子束的输入时间。附图说明22.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。23.图1为本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的流程示意图；图2为本技术实施例提供的一种离子注入机的控制效果示意图；图3为本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的整体效果示意图；图4为本技术实施例提供的又一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的整体效果示意图；图5为本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制装置的结构示意图；图6为本技术实施例提供的一种离子注入机的结构示意图。具体实施方式24.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。25.在下述介绍中，术语“第一”、“第二”仅为用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。下述介绍提供了本技术的多个实施例，不同实施例之间可以替换或者合并组合，因此本技术也可认为包含所记载的相同和/或不同实施例的所有可能组合。因而，如果一个实施例包含特征a、b、c，另一个实施例包含特征b、d，那么本技术也应视为包括含有a、b、c、d的一个或多个所有其他可能的组合的实施例，尽管该实施例可能并未在以下内容中有明确的文字记载。26.下面的描述提供了示例，并且不对权利要求书中阐述的范围、适用性或示例进行限制。可以在不脱离本技术内容的范围的情况下，对描述的元素的功能和布置做出改变。各个示例可以适当省略、替代或添加各种过程或组件。例如所描述的方法可以以所描述的顺序不同的顺序来执行，并且可以添加、省略或组合各种步骤。此外，可以将关于一些示例描述的特征组合到其他示例中。27.在现有技术中，离子注入机输出的离子束类型一般可分为点状离子束以及带状离子束。可能的，在离子注入机输出点状离子束的过程中，可由离子源产生多个离子束，并可以但不局限于通过对该多个离子束进行抽取、加速、分析以及筛选等处理方式得到最终待注入的目标离子束。可以理解的是，在对离子束进行处理的过程中，该离子束可按照预设的运动轨迹进行输出，其运动轨迹可以但不局限于为前半段为曲线轨迹，后半段为直线轨迹，且在本技术实施例中为了保障离子束可稳定注入至晶圆表面，可控制该离子束的后半段运动轨迹保持为直线轨迹。接着，在对离子源所射出的离子束进行处理之后，由于离子源位置相对固定，也即射出的离子束的运动轨迹保持不变，可控制承载由晶圆的乘载盘按照预设的移动轨迹进行移动，以保障在该乘载盘移动过程中，离子束可实时注入至晶圆表面。但由于点状离子束的截面积较小，需要乘载盘沿着x轴方向以及y轴方向不断往复移动，以使乘载盘上的晶圆表面均收到离子束的注入。此处可参阅图2示出的本技术实施例提供的一种离子注入机的控制效果示意图。如图2所示，2a示出了当离子源射出点状离子束至晶圆表面时，乘载盘可先沿着x轴正向移动第一距离，接着沿着y轴负向移动第二距离，接着沿着x轴负向移动第一距离，接着沿着y轴正向移动第二距离，直至点状离子束注入至晶圆表面所有位置。可明显看出，整个离子束注入过程需要控制乘载盘不断保持移动，且在离子束注入过程中无法实时检测离子束的电流值，仅可在离子束完成注入的最后阶段检测到电流值，严重影响到晶圆的加工效率。28.可能的，在离子注入机输出带状离子束的过程中，可由离子源产生多个离子束，并可以但不局限于通过对该多个离子束进行抽取、加速、分析以及筛选等处理方式得到最终待注入的目标离子束。可以理解的是，在对离子束进行处理的过程中，该离子束可按照预设的运动轨迹进行输出，其运动轨迹可以但不局限于为前半段为曲线轨迹，后半段为直线轨迹，且在本技术实施例中为了保障离子束可稳定注入至晶圆表面，可控制该离子束的后半段运动轨迹保持为直线轨迹。接着，在对离子源所射出的离子束进行处理之后，可将该处理后的离子束射入四极透镜，以通过该四极透镜将点状离子束压缩成带状离子束，该过程也可理解为该四极透镜通过镜像磁场配合通道形状将点状离子束压缩为带状离子束。接着，由于离子源位置以及四极透镜位置相对固定，也即射出的离子束的运动轨迹保持不变，可控制承载由晶圆的乘载盘按照预设的移动轨迹进行移动，以保障在该乘载盘移动过程中，离子束可实时注入至晶圆表面。但由于点状离子束的截面积中x轴方向长度或是y轴方向长度较小，需要乘载盘沿着x轴方向或是y轴方向不断往复移动，以使乘载盘上的晶圆表面均收到离子束的注入。此处可参阅图2示出的本技术实施例提供的一种离子注入机的控制效果示意图。如图2所示，2b示出了当四极透镜射出带状离子束至晶圆表面时，可以但不局限于控制乘载盘沿着y轴负向移动第三距离或是控制乘载盘沿着y轴正向移动第三距离，直至带状离子束注入至晶圆表面所有位置。可明显看出，整个离子束注入过程需要控制乘载盘不断保持移动，且在离子束注入过程中无法实时检测离子束的电流值，仅可在离子束完成注入的最后阶段检测到电流值，严重影响到晶圆的加工效率。29.请参阅图1，图1示出了本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的流程示意图。30.如图1所示，该基于离子注入机的离子束注入控制方法至少可以包括以下步骤：步骤102、当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置。31.在本技术实施例中，该基于离子注入机的离子束注入控制方法可应用在离子注入机，该离子注入机可以但不局限于包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，该离子源可用于产生并射出点状离子束，并将该点状离子束射至四极透镜，且该离子束的运动轨迹不受四极透镜以及波束扫描磁铁的影响发生改变。可以理解的是，此处离子源产生的多个离子束，也可以但不局限于通过对该多个离子束进行抽取、加速、分析以及筛选等处理方式得到最终待注入的目标离子束。32.具体地，在注入离子束至晶圆表面时，可先由离子源产生并发射点状离子束，并在检测到该点状离子束为第一离子束时，可根据该第一离子束的轨迹确定出四极透镜的位置。其中，第一离子束可理解为测试离子束，该测试离子束的电流值远小于正常注入晶圆的离子束电流值，以便于可快速判断四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘的位置是否满足要求，不仅有效保障晶圆注入效率，还可极大降低注入成本。33.作为本技术实施例的一种可选，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置，包括：将第一离子束的移动轨迹划分为至少两个轨迹段；当检测到至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，确定至少一个轨迹段的延伸线；获取四极透镜的初始轴心位置，并计算出四极透镜的初始轴心位置与至少一个轨迹段的延伸线的最短距离；将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置。34.具体地，可在离子源射出第一离子束之后，根据得到的第一离子束的运动轨迹将其划分为至少两个轨迹段，并依次检测每个轨迹段所对应的轨迹类型是否与预设轨迹平行。其中，预设轨迹可理解为预设某一方向上的直线轨迹，该预设轨迹可保障离子束平稳注入至晶圆表面，且该预设轨迹的方向可以但不局限于直接指向四极透镜，以便于离子束以最快的速度射入四极透镜。35.进一步的，当检测到任意至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，可表征该轨迹段可为离子束最终平稳注入晶圆表面的轨迹，并可确定出该任意至少一个轨迹段的延伸线。其中，该任意至少一个轨迹段的延伸线可包括轨迹段两端的延伸线，且当该任意至少一个轨迹段的个数大于或等于2时，任意至少一个轨迹段的延伸线可与其他某个或多个轨迹段完全重合。36.进一步的，在得到任意至少一个轨迹段的延伸线之后，可接着获取四极透镜的初始轴心位置，并计算该四极透镜的初始轴心位置到延伸线上任意一个位置的距离，并通过排序的方式确定出最短距离，且可将该最短距离对应在延伸线上的位置作为该四极透镜的目标轴心位置，也即需控制四极透镜移动至该四极透镜的轴心位置与该目标轴心位置完全重合。37.可以理解的是，该方式可保障由离子源射出的离子束直接沿着四极透镜的轴心所在轴线进入四极透镜，以便于该四极透镜通过镜像磁场配合通道形状将点状离子束压缩为带状离子束。38.作为本技术实施例的又一种可选，将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置之后，还包括：基于最短距离生成四极透镜的移动路径；按照四极透镜的移动路径将四极透镜的初始轴心位置移动至四极透镜的目标轴心位置。39.具体地，在控制四极透镜移动的过程中，可以但不局限于先根据确定的最短距离生成相应的轴心移动路径，以使该四极透镜的轴心可沿着该轴心移动路径以最快速度移动至目标轴心位置，提高整个离子束注入过程的效率。40.步骤104、根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束。41.具体地，在确定四极透镜的最终位置之后，可生成该四极透镜的目标轴心位置所对应的延伸线，并结合波束扫描磁铁的轴心位置，在预设第一平面内校正该波束扫描磁铁的轴心位置，直至波束扫描磁铁的轴心位置在该四极透镜的目标轴心位置的延伸线上。其中，预设第一平面可为与四极透镜的目标轴心位置所对应的延伸线垂直的平面，且该预设第一平面可以但不局限于与波束扫描磁铁的横截面平行或重合。可以理解的是，在本技术实施例中移动波束扫描磁铁的轴心位置时可参照上述到的最短距离，此处不过多赘述。42.当然，波束扫描磁铁在未发生移动时，可在确定四极透镜的最终位置之前提前获取该波束扫描磁铁的轴心位置，以进一步提高整个离子束注入过程的效率，此处不限定于此。43.进一步的，在确定四极透镜的最终位置之后，可生成该四极透镜的目标轴心位置所对应的延伸线，并结合晶圆乘载盘的轴心位置，在预设第二平面内校正该晶圆乘载盘的轴心位置，直至晶圆乘载盘的轴心位置在该四极透镜的目标轴心位置的延伸线上。其中，预设第二平面可为与四极透镜的目标轴心位置所对应的延伸线垂直的平面，且该预设第二平面可以但不局限于与晶圆乘载盘的横截面平行或重合。可以理解的是，在本技术实施例中移动晶圆乘载盘的轴心位置时可参照上述到的最短距离，此处不过多赘述。44.当然，晶圆乘载盘在未发生移动时，可在确定四极透镜的最终位置之前提前获取该晶圆乘载盘的轴心位置，以进一步提高整个离子束注入过程的效率，此处不限定于此。45.需要说明的是，本技术实施例可不限定于移动波束扫描磁铁的轴心位置以及移动晶圆乘载盘的轴心位置的先后顺序，例如还可先移动晶圆乘载盘的轴心位置再移动波束扫描磁铁的轴心位置，或是同时移动晶圆乘载盘的轴心位置以及波束扫描磁铁的轴心位置。46.进一步的，在移动四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘的轴心位置之后，表明离子束注入机完成校正，可控制该离子源停止射出第一离子束，并根据需求射出第二离子束，以开始离子束的正常注入。47.步骤106、当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁。48.具体地，可在离子源停止射出第一离子束之后，当检测到该离子源射出第二离子束时，可表明该离子源根据用户需求开始输出正常用于注入的离子束，此时可将该正常用于注入的离子束通过四极透镜的轴心位置所对应的轴线方向射入四极透镜，以由该四极透镜通过镜像磁场配合通道形状将点状离子束压缩为带状离子束，并可由该四极透镜将带状离子束沿着波束扫描磁铁的轴心位置所对应的轴线方向射入至波束扫描磁铁。49.步骤108、基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。50.具体地，在四极透镜将带状离子束射入至波束扫描磁铁之后，可由该波束扫描磁铁向该带状离子束赋予高频磁场，以将该带状离子束上下扫描开，形成多个相同的带状离子束。其中，高频磁场可以但不局限于为频率为1k赫兹的电磁场。51.进一步的，在波束扫描磁铁将带状离子束扫描为多个带状离子束之后，可由该波束扫描磁铁直接将多个带状离子束注入在晶圆乘载盘的晶圆表面，以实现将离子束注入晶圆表面，且整个过程无需控制晶圆乘载盘不断移动，可有效减少保养与故障频率，以及有助于减少因移动所产生的外在污染。52.作为本技术实施例的又一种可选，离子注入机还包括设置在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间的平行透镜；基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面，包括：基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至平行透镜；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。53.具体地，为保障波束扫描磁铁射出的每个带状离子束注入至晶圆乘载盘的晶圆表面的角度相同，可在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间设置平行透镜，以使波束扫描磁铁将多个带状离子束射入平行透镜中，由平行透镜调整每个带状离子束的运动轨迹保持平行，并将该均处于平行的带状离子束注入在晶圆乘载盘的晶圆表面。54.此处还可参阅图3示出的本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的整体效果示意图。如图3所示，四极透镜的轴心位置、波束扫描磁铁的轴心位置、平行透镜的轴心位置以及晶圆乘载盘的轴心位置均可处于点状离子束的运动轨迹上，该四极透镜可将点状离子束压缩为带状离子束，该波束扫描磁铁可将带状离子束扫描为多个相同大小的带状离子束，该平行透镜可将多个相同大小的带状离子束调整为多个运行轨迹平行的带状离子束，并直接注入晶圆乘载盘的晶圆表面。其中，晶圆乘载盘的晶圆表面积小于或等于该平行透镜所生成的多个运行轨迹平行的带状离子束的整体截面积。55.作为本技术实施例的又一种可选，离子注入机还包括设置在晶圆乘载盘后方的离子束终止器；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面之后，方法还包括：当检测到平行透镜将处理后的第二离子束射出至离子束终止器时，判断处理后的第二离子束是否处于离子束终止器的预设区域；当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值。56.具体地，为了便于实时检测注入至晶圆表面的离子束电流值，还可设置有用于接收由平行透镜射出的第二离子束的离子束终止器，当检测到平行透镜将第二离子束射出至离子束终止器时，可判断是否存在部分第二离子束处于离子束终止器的预设区域，其中，该离子束终止器的预设区域可用于对离子束的电流值进行实时检测。接着，当确定部分第二离子束处于离子束终止器的预设区域内时，可通过该处于预设区域内的第二离子束实时确定出当前注入至晶圆表面的离子束电流值，以保障注入离子束的质量和精度。其次，当意外终止离子束的注入时，晶圆的整个表面均停止注入离子束，相对于现有技术可在恢复离子束的注入时快速得到相应的离子束注入剂量，且不存在晶圆表面任意位置存在注入离子束的剂量误差，以进一步保障离子束的质量和精度。57.需要说明的是，在现有技术中也可在晶圆乘载盘的后方设置离子束终止器，但仅在晶圆乘载盘移动至离子束无法注入的地方时，才可由离子束终止器获取离子束并得到相应的电流值，无法得到实时注入至晶圆表面的电流值。58.此处可参阅图4示出的本技术实施例提供的又一种基于离子注入机的离子束注入控制方法的整体效果示意图。如图4所示，上半部分示出了晶圆乘载盘的表面积以及第二离子束的截面积，可明显看出该第二离子束的截面积大于该晶圆乘载盘的表面积。下半部分示出了第二离子束射入至离子束终止器上的所有区域，其中在离子束终止器的预设区域内包含部分第二离子束。59.作为本技术实施例的又一种可选，当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值之后，还包括：获取离子源射出的第二离子束的初始电流值，并判断第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值是否处于预设差值区间；当检测到第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，基于差值对第二离子束的初始电流值进行更新处理，并控制离子源射出处理后的第二离子束。60.具体地，还可在计算出第二离子束的当前电流值之后，根据离子源射出的第二离子束的初始电流值来判断第二离子束的当前电流值是否正常，例如但不局限于当第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，表明该第二离子束的当前电流值不正常，进而可相应调整离子源射出的第二离子束的电流值，以使第二离子束的当前电流值恢复正常。61.请参阅图5，图5示出了本技术实施例提供的一种基于离子注入机的离子束注入控制装置的结构示意图。62.如图5所示，该基于离子注入机的离子束注入控制装置，该装置应用于离子注入机，离子注入机包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，该装置至少还可以包括第一检测模块501、校正模块502、第二检测模块503以及控制模块504，其中：第一检测模块501，用于当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置；校正模块502，用于根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束；第二检测模块503，用于当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁；其中，第一离子束的射出时间与第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；控制模块504，用于基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的第二离子束的截面积大于或等于晶圆乘载盘的晶圆表面积。63.在一些可能的实施例中，离子注入机还包括设置在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间的平行透镜；控制模块包括：第一控制单元，用于基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至平行透镜；第二控制单元，用于基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。64.在一些可能的实施例中，离子注入机还包括设置在晶圆乘载盘后方的离子束终止器；控制模块还包括：判断单元，用于当检测到平行透镜将处理后的第二离子束射出至离子束终止器时，判断处理后的第二离子束是否处于离子束终止器的预设区域；第一计算单元，用于当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值。65.在一些可能的实施例中，计算单元还用于：获取离子源射出的第二离子束的初始电流值，并判断第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值是否处于预设差值区间；当检测到第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，基于差值对第二离子束的初始电流值进行更新处理，并控制离子源射出处理后的第二离子束。66.在一些可能的实施例中，第一检测模块包括：划分单元，用于将第一离子束的移动轨迹划分为至少两个轨迹段；第一确定单元，用于当检测到至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，确定至少一个轨迹段的延伸线；第二计算单元，用于获取四极透镜的初始轴心位置，并计算出四极透镜的初始轴心位置与至少一个轨迹段的延伸线的最短距离；确定单元，用于将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置。67.在一些可能的实施例中，第一检测模块还包括：生成单元，用于基于最短距离生成四极透镜的移动路径；控制单元，用于按照四极透镜的移动路径将四极透镜的初始轴心位置移动至四极透镜的目标轴心位置。68.在一些可能的实施例中，校正模块包括：第二确定单元，用于确定四极透镜的目标轴心位置的延伸线；第一校正单元，用于获取波束扫描磁铁的轴心位置，并在预设第一平面内校正波束扫描磁铁的位置，直至波束扫描磁铁的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；第二校正单元，用于获取晶圆乘载盘的轴心位置，并在预设第二平面内校正晶圆乘载盘的位置，直至晶圆乘载盘的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；其中，预设第一平面与预设第二平面平行。69.本领域的技术人员可以清楚地了解到本技术实施例的技术方案可借助软件和/或硬件来实现。本说明书中的“单元”和“模块”是指能够独立完成或与其他部件配合完成特定功能的软件和/或硬件，其中硬件例如可以是现场可编程门阵列（field－programmable gate array，fpga）、集成电路（integrated circuit，ic）等。70.请参阅图6，图6示出了本技术实施例提供的一种离子注入机的结构示意图。71.如图6所示，该离子注入机600包括依次设置的离子源、四极透镜、波束扫描磁铁以及晶圆乘载盘，该离子注入机600还可以包括：至少一个处理器601、至少一个网络接口604、用户接口603、存储器605以及至少一个通信总线602。72.其中，通信总线602可用于实现上述各个组件的连接通信。73.其中，用户接口603可以包括按键，可选用户接口还可以包括标准的有线接口、无线接口。74.其中，网络接口604可以但不局限于包括蓝牙模块、nfc模块、wi-fi模块等。75.其中，处理器601可以包括一个或者多个处理核心。处理器601利用各种接口和线路连接整个电子设备600内的各个部分，通过运行或执行存储在存储器605内的指令、程序、代码集或指令集，以及调用存储在存储器605内的数据，执行路由设备600的各种功能和处理数据。可选的，处理器601可以采用dsp、fpga、pla中的至少一种硬件形式来实现。处理器601可集成cpu、gpu和调制解调器等中的一种或几种的组合。其中，cpu主要处理操作系统、用户界面和应用程序等；gpu用于负责显示屏所需要显示的内容的渲染和绘制；调制解调器用于处理无线通信。可以理解的是，上述调制解调器也可以不集成到处理器601中，单独通过一块芯片进行实现。76.其中，存储器605可以包括ram，也可以包括rom。可选的，该存储器605包括非瞬时性计算机可读介质。存储器605可用于存储指令、程序、代码、代码集或指令集。存储器605可包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储用于实现操作系统的指令、用于至少一个功能的指令（比如触控功能、声音播放功能、图像播放功能等）、用于实现上述各个方法实施例的指令等；存储数据区可存储上面各个方法实施例中涉及到的数据等。存储器605可选的还可以是至少一个位于远离前述处理器601的存储装置。如图5所示，作为一种计算机存储介质的存储器605中可以包括操作系统、网络通信模块、用户接口模块以及基于离子注入机的离子束注入控制应用程序。77.具体地，处理器601可以用于调用存储器605中存储的基于离子注入机的离子束注入控制应用程序，并具体执行以下操作：当检测到离子源射出第一离子束时，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置；根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，并控制离子源停止射出第一离子束；当检测到离子源射出第二离子束时，基于四极透镜对第二离子束进行聚焦压缩处理，并将处理后的第二离子束射出至波束扫描磁铁；其中，第一离子束的射出时间与第二离子束的射出时间之间的间隔长为预设时间间隔；基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面；其中，处理后的第二离子束的截面积大于或等于晶圆乘载盘的晶圆表面积。78.在一些可能的实施例中，离子注入机还包括设置在波束扫描磁铁与晶圆乘载盘之间的平行透镜；基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面，包括：基于波束扫描磁铁对第二离子束进行高频扫描处理，并将处理后的第二离子束射出至平行透镜；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面。79.在一些可能的实施例中，离子注入机还包括设置在晶圆乘载盘后方的离子束终止器；基于平行透镜对第二离子束进行平行处理，并将处理后的第二离子束射出至晶圆乘载盘的晶圆表面之后，方法还包括：当检测到平行透镜将处理后的第二离子束射出至离子束终止器时，判断处理后的第二离子束是否处于离子束终止器的预设区域；当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值。80.在一些可能的实施例中，当确定处理后的第二离子束处于离子束终止器的预设区域时，根据处于预设区域内的第二离子束计算出第二离子束的当前电流值之后，还包括：获取离子源射出的第二离子束的初始电流值，并判断第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值是否处于预设差值区间；当检测到第二离子束的初始电流值与第二离子束的当前电流值的差值不处于预设差值区间时，基于差值对第二离子束的初始电流值进行更新处理，并控制离子源射出处理后的第二离子束。81.在一些可能的实施例中，基于第一离子束的移动轨迹确定四极透镜的位置，包括：将第一离子束的移动轨迹划分为至少两个轨迹段；当检测到至少一个轨迹段与预设轨迹平行时，确定至少一个轨迹段的延伸线；获取四极透镜的初始轴心位置，并计算出四极透镜的初始轴心位置与至少一个轨迹段的延伸线的最短距离；将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置。82.在一些可能的实施例中，将至少一个轨迹段的延伸线上与最短距离对应的位置作为四极透镜的目标轴心位置之后，还包括：基于最短距离生成四极透镜的移动路径；按照四极透镜的移动路径将四极透镜的初始轴心位置移动至四极透镜的目标轴心位置。83.在一些可能的实施例中，根据四极透镜的位置依次校正波束扫描磁铁的位置以及晶圆乘载盘的位置，包括：确定四极透镜的目标轴心位置的延伸线；获取波束扫描磁铁的轴心位置，并在预设第一平面内校正波束扫描磁铁的位置，直至波束扫描磁铁的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；获取晶圆乘载盘的轴心位置，并在预设第二平面内校正晶圆乘载盘的位置，直至晶圆乘载盘的轴心位置在四极透镜的目标轴心位置的延伸线上；其中，预设第一平面与预设第二平面平行。84.本技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该程序被处理器执行时实现上述方法的步骤。其中，计算机可读存储介质可以包括但不限于任何类型的盘，包括磁光盘、rom、ram、eprom、eeprom、dram、vram、闪速存储器设备、磁卡或光卡、纳米系统（包括分子存储器ic），或适合于存储指令和/或数据的任何类型的媒介或设备。85.需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本技术并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本技术，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本技术所必须的。86.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。87.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置，可通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些服务接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。88.作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。89.另外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。90.集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储器中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储器中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可为个人计算机、服务器或者网络设备等）执行本技术各个实施例方法的全部或部分步骤。而前述的存储器包括：u盘、只读存储器（read-only memory， rom）、随机存取存储器（random access memory，ram）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。91.本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通进程序来指令相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储器中，存储器可以包括：闪存盘、只读存储器（read-only memory， rom）、随机存取器（random access memory，ram）、磁盘或光盘等。92.以上者，仅为本公开的示例性实施例，不能以此限定本公开的范围。即但凡依本公开教导所作的等效变化与修饰，皆仍属本公开涵盖的范围内。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里的公开后，将容易想到本公开的其实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未记载的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的范围和精神由权利要求限定。









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