光掩膜及半导体结构的制作方法 专利技术说明

摄影电影;光学设备的制造及其处理,应用技术1.本公开涉及半导体技术领域，涉及但不限于一种光掩膜及半导体结构。背景技术：2.传统的2.5d集成电路为了更好的性能和更低的功耗，通过使用硅中介层(interposers)和硅通孔(tsv)技术，将存储/逻辑电路/芯片等集成在单个封装结构中。在片上晶圆基板(chip-on-wafer-on-substrate，cowos)的设计中，大型中介层需要多个光掩膜的缝合来扩展光罩尺寸限制。相关技术中大的光掩膜由4个小的光掩膜形成，在形成图案的过程中，小的光掩模之间共同的缝合区域需要曝光4次，导致位于缝合区域的图案变形严重。技术实现要素：3.有鉴于此，本公开实施例提供一种光掩膜及半导体结构。4.第一方面，本公开实施例提供一种光掩膜，包括：沿第一方向和第二方向排列的多个子光掩膜；5.每一所述子光掩膜与沿所述第一方向和沿所述第二方向相邻的子光掩膜均具有缝合区域；沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜之间的缝合区域的重叠层数小于或者等于两层；所述第一方向和所述第二方向为所述子光掩膜所在平面内任意的两个相交的方向。6.在一些实施例中，每一所述子光掩膜的缝合区域包括沿所述第一方向延伸的第一区域、沿所述第二方向延伸第二区域、以及第三区域；7.所述第一区域的延伸区域和所述第二区域的延伸区域包括重叠区域，所述第三区域位于所述重叠区域内；8.所述第一区域在所述第二方向上的尺寸为第一预设尺寸；所述第二区域在所述第一方向上的尺寸为第二预设尺寸；所述第一预设尺寸与所述第二预设尺寸相等或不等；9.所述第三区域在所述第一方向上的最大尺寸小于或者等于所述第二预设尺寸；所述第三区域在所述第二方向上的最大尺寸小于或者等于所述第一预设尺寸。10.在一些实施例中，所述第三区域的形状包括矩形；所述矩形的两个相邻边分别与所述第一区域和所述第二区域接触。11.在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿所述第二方向相邻的两个子光掩膜的所述矩形在所述第二方向的尺寸之和为所述第一预设尺寸，且每一所述子光掩膜的所述矩形沿所述第一方向的尺寸均为所述第二预设尺寸；或者，12.沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，重叠面积最小的两个子光掩膜的所述矩形在所述第二方向的尺寸之和为所述第一预设尺寸，且每一所述子光掩膜的所述矩形沿所述第一方向的尺寸均为所述第二预设尺寸。13.在一些实施例中，所述矩形沿所述第一方向的尺寸为所述第二预设尺寸，且所述矩形沿所述第二方向的尺寸为第三预设尺寸；14.所述第三预设尺寸为所述第一预设尺寸的一半。15.在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿所述第一方向相邻的两个子光掩膜的所述矩形在所述第一方向的尺寸之和为所述第二预设尺寸，且每一所述子光掩膜的所述矩形沿所述第二方向的尺寸均为所述第一预设尺寸；或者，16.沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，重叠面积最小的两个子光掩膜的所述矩形在所述第一方向的尺寸之和为所述第二预设尺寸，且每一所述子光掩膜的所述矩形沿所述第二方向的尺寸均为所述第一预设尺寸。17.在一些实施例中，所述矩形沿所述第二方向的尺寸为所述第一预设尺寸，且所述矩形沿所述第一方向的尺寸为第四预设尺寸；18.所述第四预设尺寸为所述第二预设尺寸的一半。19.在一些实施例中，所述矩形在第一方向上和所述第二方向上的尺寸分别为所述第二预设尺寸和所述第一预设尺寸的一半。20.在一些实施例中，所述第三区域的形状包括三角形，所述三角形的至少一个边与所述第一区域或者所述第二区域接触。21.在一些实施例中，所述三角形包括直角三角形；所述直角三角形的两个直角边分别与所述第一区域和所述第二区域接触；所述直角三角形在所述第二方向上的最大尺寸为所述第一预设尺寸，且所述直角三角形在所述第一方向上的最大尺寸为所述第二预设尺寸。22.在一些实施例中，所述三角形包括等腰三角形；所述等腰三角形的底边与所述第一区域或者所述第二区域接触；23.沿所述第一方向或者所述第二方向相邻的两个所述子光掩膜的等腰三角形的所述底边分别与所述第一区域和所述第二区域接触。24.在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中任意两个或三个子光掩膜不具有所述第三区域，剩余的两个或者一个子光掩膜的第三区域的形状包括矩形；25.所述矩形在所述第一方向上的尺寸为所述第二预设尺寸、且在所述第二方向上的尺寸为所述第一预设尺寸。26.在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿所述第一方向或者所述第二方向相邻的两个子光掩膜不具有所述第三区域，剩余的两个子光掩膜的第三区域的形状包括矩形；27.所述矩形沿所述第二方向的尺寸为所述第一预设尺寸，且所述矩形在所述第一方向的尺寸之和等于所述第二预设尺寸；或者，28.所述矩形沿所述第一方向的尺寸为所述第二预设尺寸，且所述矩形在所述第二方向的尺寸之和等于所述第一预设尺寸。29.在一些实施例中，沿所述第一方向和所述第二方向阵列排布的四个子光掩膜中，重叠面积最小的两个子光掩膜不具有所述第三区域，剩余的两个子光掩膜的第三区域的形状包括直角三角形；30.所述直角三角形的两个直角边分别与所述第一区域和所述第二区域接触；所述直角三角形在所述第二方向上的最大尺寸为所述第一预设尺寸，且所述直角三角形在所述第一方向上的最大尺寸为所述第二预设尺寸。31.第二方面，本公开实施例提供一种半导体结构，包括：32.具有预设图案的中介层；通过上述实施例中的光掩膜进行光刻工艺得到所述预设图案。33.本公开实施例提供的光掩膜及半导体结构，通过改变光掩膜中子光掩膜的布局，使多个子光掩膜的重叠层数小于或者等于两层，从而在形成图案的过程中使得多个子光掩模之间共同的缝合区域只需要曝光1次或2次，减少图案失真，进而使得通过本公开实施例提供的光掩膜形成的图案更加均匀。附图说明34.在附图(其不一定是按比例绘制的)中，相似的附图标记可在不同的视图中描述相似的部件。具有不同字母后缀的相似附图标记可表示相似部件的不同示例。附图以示例而非限制的方式大体示出了本文中所讨论的各个实施例。35.图1为本公开实施例提供的光掩膜的一种结构示意图；36.图2为本公开实施例提供的图1中各子光掩膜的结构示意图；37.图3为本公开实施例提供的图1中一个子光掩模的结构示意图；38.图4～图19为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图。具体实施方式39.下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。40.在下文的描述中，给出了大量的细节以便提供对本公开更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本公开可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其它的例子中，为了避免与本公开发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。41.在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。42.应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本公开必然存在第一元件、部件、区、层或部分。43.在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本公开的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。44.在介绍本公开实施例之前，先定义一下以下实施例可能用到的描述结构的两个方向，两个方向可以包括x轴和y轴方向。定义两彼此相交(例如彼此垂直)的方向为第一方向和第二方向。本公开实施例中，第一方向和第二方向可以相互垂直，在其它实施例中，第一方向和第二方向也可以不垂直。本公开实施例中，定义第一方向为x轴方向，定义第二方向为y轴方向。45.本公开实施例提供一种光掩膜，图1为本公开实施例提供的光掩膜的一种结构示意图，图2为图1中各子光掩膜的结构示意图；如图1和图2所示，光掩膜10包括：沿x轴方向和y轴方向排列的多个子光掩模，例如可以包括4个子光掩模，分别为子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。46.在其他实施例中，光掩膜10中子光掩模的数量还可以是2个、3个、5个、6个或者更多。47.在一些实施例中，每一子光掩膜与沿第一方向和沿第二方向相邻的子光掩膜均具有缝合区域；沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜之间的缝合区域的重叠层数小于或者等于两层。48.需要说明的是，本公开实施例中，沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜之间的缝合区域的重叠层数小于或者等于两层是指：沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜之间的缝合区域的重叠层数为两层或者一层。49.请继续参考图1和图2，子光掩膜11沿x轴方向和y轴方向相邻的子光掩膜分别为子光掩膜12和子光掩膜13，子光掩膜14沿x轴方向和y轴方向相邻的子光掩膜分别为子光掩膜13和子光掩膜12。其中，子光掩膜11与子光掩膜12之间具有缝合区域b，子光掩膜11与子光掩膜13之间具有缝合区域a，子光掩膜14与子光掩膜13之间具有缝合区域d，子光掩膜14与子光掩膜12之间具有缝合区域c。其中，缝合区域a、缝合区域b、缝合区域c和缝合区域d的重叠层数均为两层。50.在其它实施例中，子光掩膜11与子光掩膜12之间的缝合区域b中的一部分区域可以重叠两次，其它部分可以重叠一次，即子光掩膜11与子光掩膜12之间的缝合区域b的重叠层数可以是两层和一层。子光掩膜14与子光掩膜12之间的缝合区域c中的一部分区域可以重叠两次，其它部分可以重叠一次，即子光掩膜14与子光掩膜12之间的缝合区域c的重叠层数可以是两层和一层。51.本公开实施例提供的光掩膜，通过改变光掩膜中子光掩膜的布局，使多个子光掩膜的重叠层数小于或者等于两层，从而在形成图案的过程中使得多个子光掩模之间共同的缝合区域只需要曝光1次或2次，减少图案失真，进而使得通过本公开实施例提供的光掩膜形成的图案更加均匀。52.图3为本公开实施例提供的图1中一个子光掩模的结构示意图；如图3所示，子光掩膜11的缝合区域包括沿x轴方向延伸的第一区域a、沿y轴方向延伸第二区域b、以及第三区域e；第一区域a的延伸区域和第二区域b的延伸区域包括重叠区域e(即图3中虚线示出的区域)，第三区域e位于重叠区域e内。53.本公开实施例中，光掩膜中的每一个子光掩膜的结构与图3中子光掩膜11的结构相同，即每一个子光掩膜都包括第一区域a、第二区域b和第三区域e。54.请继续参考图3，第一区域a在y轴方向上的尺寸为第一预设尺寸d1；第二区域b在x轴方向上的尺寸为第二预设尺寸d2；第一预设尺寸d1与第二预设尺寸d2可以相等，也可以不相等。55.本公开实施例中，第一预设尺寸d1的尺寸可以是5～30微米(μm)，例如可以为5μm、10μm或者30μm。第二预设尺寸d2的尺寸可以是5～30μm，例如可以为8μm、15μm或者28μm。56.本公开实施例中，第三区域e在x轴方向上的最大尺寸小于或者等于第二预设尺寸d2，第三区域e在y轴方向上的最大尺寸小于或者等于第一预设尺寸d1。例如，第三区域e在x轴方向上的最大尺寸等于第二预设尺寸d2，第三区域e在y轴方向上的最大尺寸小于第一预设尺寸d1(如图3所示)。57.在一些实施例中，子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14的第三区域e的形状可以均为矩形；矩形的两个相邻边分别与第一区域a和第二区域b接触。58.图4～图10为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图；下面结合图4～图10对不同结构的子光掩膜进行详细的介绍。59.如图4所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿y轴方向相邻的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜13、以及子光掩膜12和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸均为第三预设尺寸d3，且第三预设尺寸d3为第一预设尺寸d1的一半。因此，沿y轴方向相邻的子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸均为第三预设尺寸d3，且第三预设尺寸d3为第一预设尺寸d1的一半。因此，沿y轴方向相邻的子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿x轴方向的尺寸均为第二预设尺寸d2。60.如图5所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿y轴方向相邻的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜13、以及子光掩膜12和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e在y轴方向的尺寸为第一预设倍数的第一预设尺寸d1，子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸为第二预设倍数的第一预设尺寸d1；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1，且第一预设倍数不等于第二预设倍数。因此，沿y轴方向相邻的子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜12的第三区域e在y轴方向的尺寸为第三预设倍数的第一预设尺寸d1，子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸为第四预设倍数的第一预设尺寸d1；其中，第三预设倍数和第四预设倍数之和为1，且第三预设倍数不等于第四预设倍数。因此，沿y轴方向相邻的子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿x轴方向的尺寸均为第二预设尺寸d2。61.如图6所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，重叠面积最小的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜14、以及子光掩膜12和子光掩膜13。子光掩膜11的第三区域e在y轴方向的尺寸为第一预设倍数的第一预设尺寸d1，子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸为第二预设倍数的第一预设尺寸d1；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1，且第一预设倍数不等于第二预设倍数。因此，重叠面积最小的子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜12的第三区域e在y轴方向的尺寸为第三预设倍数的第一预设尺寸d1，子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸为第四预设倍数的第一预设尺寸d1；其中，第三预设倍数和第四预设倍数之和为1，且第三预设倍数不等于第四预设倍数。因此，重叠面积最小的子光掩膜12第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿x轴方向的尺寸均为第二预设尺寸d2。62.如图7所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿x轴方向相邻的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜12、以及子光掩膜13和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜12的第三区域e在x轴方向的尺寸均为第四预设尺寸d4，且第四预设尺寸d4为第二预设尺寸d2的一半。因此，沿x轴方向相邻的子光掩膜11和子光掩膜12的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。沿x轴方向相邻的子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸均为第四预设尺寸d4，且第四预设尺寸d4为第二预设尺寸d2的一半。因此，沿x轴方向相邻的子光掩膜13和子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿y轴方向的尺寸均为第一预设尺寸d1。63.如图8所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，沿x轴方向相邻的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜12、以及子光掩膜13和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e在x轴方向的尺寸为第一预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜12在x轴方向的尺寸为第二预设倍数的第二预设尺寸d2；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1，且第一预设倍数不等于第二预设倍数。因此，沿x轴方向相邻的子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜12的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。沿x轴方向相邻的子光掩膜13的第三区域e在x轴方向的尺寸为第三预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸为第四预设倍数的第二预设尺寸d2；其中，第三预设倍数和第四预设倍数之和为1，且第三预设倍数不等于第四预设倍数。因此，沿x轴方向相邻的子光掩膜13和子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿y轴方向的尺寸均为第一预设尺寸d1。64.如图9所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中，重叠面积最小的两个子光掩膜分别是子光掩膜11和子光掩膜14、以及子光掩膜12和子光掩膜13。子光掩膜11的第三区域e在x轴方向的尺寸为第一预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸为第二预设倍数的第二预设尺寸d2；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1，且第一预设倍数不等于第二预设倍数。因此，重叠面积最小的子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。子光掩膜12的第三区域e在x轴方向的尺寸为第三预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜13的第三区域e在x轴方向的尺寸为第四预设倍数的第二预设尺寸d2，其中，第三预设倍数和第四预设倍数之和为1，且第三预设倍数不等于第四预设倍数。因此，重叠面积最小的子光掩膜12第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿y轴方向的尺寸均为第一预设尺寸d1。65.如图10所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜中包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14，且每一子光掩膜的第三区域e均为矩形。每一矩形沿x轴方向的尺寸为第二预设尺寸d2的一半、沿y轴方向的尺寸为第一预设尺寸d1的一半。因此，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e相互接触，不重合，或者说，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e的重叠层数为1。66.在一些实施例中，第三区域e的形状还可以是三角形，三角形的至少一个边与第一区域a或者第二区域b接触。67.图11和图12为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图；下面结合图11和图12对不同结构的子光掩膜进行详细的介绍。68.在一些实施例中，三角形包括直角三角形；直角三角形的两个直角边分别与第一区域和第二区域接触；直角三角形在第二方向上的最大尺寸为第一预设尺寸，且直角三角形在第一方向上的最大尺寸为第二预设尺寸。69.如图11所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e均为直角三角形，每一个直角三角形的两个直角边分别与第一区域a和第二区域b接触。每一个直角三角形与第一区域a接触的直角边具有第一预设尺寸d1，每一个直角三角形与第二区域b接触的直角边具有第二预设尺寸d2。因此，子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e相互接触，且不重合；子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e相互接触，且不重合。70.在一些实施例中，三角形也可以是等腰三角形，等腰三角形的底边与第一区域a或者第二区域b接触。71.如图12所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e均为等腰三角形；其中，x轴方向或者y轴方向相邻的两个子光掩膜的等腰三角形的底边分别与第一区域a和第二区域b接触。例如，子光掩膜11和子光掩膜13为沿x轴方向相邻的两个子光掩膜，子光掩膜11中的等腰三角形的底边与子光掩膜11中的第二区域b接触，子光掩膜13中的等腰三角形的底边与子光掩膜14中的第一区域a接触。因此，子光掩膜11中的等腰三角形的底边具有第二预设尺寸d2，子光掩膜13中的等腰三角形的底边具有第一预设尺寸d1。同理，可以得到，子光掩膜14中的等腰三角形的底边具有第二预设尺寸d2，子光掩膜12中的等腰三角形的底边具有第一预设尺寸d1。因此，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e相互接触，不重合，或者说，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e的重叠层数为1。72.在一些实施例中，沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜中任意一个子光掩膜可以不具有第三区域。图13和图14为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图；下面结合图13和图14对不同结构的子光掩膜进行详细的介绍。73.如图13所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。其中，子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13具有第三区域e，重叠面积最小的子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e的形状均为直角三角形；每一个直角三角形的两个直角边分别与第一区域a和第二区域b接触，且与第一区域a接触的直角边具有第一预设尺寸d1，与第二区域b接触的直角边具有第二预设尺寸d2。因此，子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e相互接触，且在y轴方向的尺寸之和为d1，在x轴方向的尺寸之和为d2。子光掩膜11的第三区域e为沿y轴方向具有第一预设尺寸d1和沿x轴方向具有第二预设尺寸d2的矩形。因此，本公开实施例中，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜12的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e的重叠层数为2。74.如图14所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。其中，子光掩膜11、子光掩膜13和子光掩膜14具有第三区域e，且子光掩膜11、子光掩膜13和子光掩膜14的第三区域e均为矩形。子光掩膜13的第三区域e在x轴方向的尺寸为第一预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸为第二预设倍数的第二预设尺寸d2，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1，因此，沿x轴方向相邻的子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2。另外，子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在沿y轴方向的尺寸均为第一预设尺寸d1。子光掩膜11的第三区域e为沿y轴方向具有第一预设尺寸d1、且沿x轴方向具有第二预设尺寸d2的矩形。因此，子光掩膜11的第三区域e、子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e的重叠层数为2。75.在一些实施例中，沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜中任意二个子光掩膜可以不具有第三区域。图15～图18为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图；下面结合图15～图18对不同结构的子光掩膜进行详细的介绍。76.如图15所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。其中，子光掩膜11和子光掩膜14均具有第三区域e，且子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e均为在y轴方向具有第一预设尺寸d1和在x轴方向具有第二预设尺寸d2的矩形；因此，子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e重叠的层数为2。77.如图16所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。其中，沿x轴方向相邻的子光掩膜13和子光掩膜14具有第三区域e，且子光掩膜13和子光掩膜14的第三区域e均为矩形。子光掩膜13的第三区域e在x轴方向的尺寸为第一预设倍数的第二预设尺寸d2，子光掩膜14的第三区域e在x轴方向的尺寸为第二预设倍数的第二预设尺寸d2；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1。因此，子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e沿x轴方向的尺寸之和为第二预设尺寸d2；且子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e在y轴方向均具有第一预设尺寸d1。子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e相互接触，不重合，或者说，子光掩膜13的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e的重叠层数为1。78.如图17所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。沿y轴相邻的子光掩膜11和子光掩膜13具有第三区域e，且子光掩膜11和子光掩膜13的第三区域e均为矩形。子光掩膜11的第三区域e在y轴方向上的尺寸为第一预设倍数的第一预设尺寸d1，子光掩膜13的第三区域e在y轴方向上的尺寸为第二预设倍数的第一预设尺寸d1；其中，第一预设倍数和第二预设倍数之和为1。因此，子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e沿y轴方向的尺寸之和为第一预设尺寸d1。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e在x轴方向均具有第二预设尺寸d2。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e相互接触，不重合，或者说，子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜13的第三区域e的重叠层数为1。79.如图18所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。重叠面积最小的两个子光掩膜分别为子光掩膜11和子光掩膜14，以及子光掩膜13和子光掩膜12。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14具有第三区域e，且第三区域e的形状均为直角三角形。每一个直角三角形的两个直角边分别与第一区域a和第二区域b接触，且每一个直角三角形与第一区域a接触的直角边具有第一预设尺寸d1，直角三角形与第二区域b接触的直角边具有第二预设尺寸d2。子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e相互接触，不重合，或者说，子光掩膜11的第三区域e和子光掩膜14的第三区域e的重叠层数为1。80.在一些实施例中，沿第一方向和第二方向阵列排布的四个子光掩膜中任意三个子光掩膜可以不具有第三区域。图19为本公开实施例提供的不同结构的子光掩膜的结构示意图，下面结合图19对不同结构的子光掩膜进行详细的介绍。81.如图19所示，沿x轴方向和y轴方向阵列排布的四个子光掩膜包括子光掩膜11、子光掩膜12、子光掩膜13和子光掩膜14。子光掩膜11具有第三区域e，且第三区域e为在y轴方向上具有第一预设尺寸d1和在x轴方向上具有第二预设尺寸d2的矩形。82.需要说明的是，在满足子光掩膜11的第三区域、子光掩膜12的第三区域、子光掩膜13的第三区域和子光掩膜14的第三区域的重叠层数为1层或者2层的情况下，第三区域的形状也可以是其他可以实现的图形，本公开对此不作限定。83.另外，在满足子光掩膜11的第三区域、子光掩膜12的第三区域、子光掩膜13的第三区域和子光掩膜14的第三区域的重叠层数为1层或者2层的情况下，任意不同结构的光掩膜之间的搭配均属于本公开的保护范围。84.本公开实施例提供的光掩膜及半导体结构，通过改变光掩膜中子光掩膜的布局，使多个子光掩膜的重叠层数小于或者等于两层，从而在形成图案的过程中使得多个子光掩模之间共同的缝合区域只需要曝光1次或2次，减少图案失真，进而使得通过本公开实施例提供的光掩膜形成的图案更加均匀。85.除此之外，本公开实施例还提供一种半导体结构，包括：具有预设图案的中介层，其中，预设图案通过上述实施例中的光掩膜进行光刻工艺得到。86.本公开实施例中，光掩膜包括多个子光掩膜。其中，子光掩膜与上述实施例中的子光掩膜类似，这里，不再赘述。87.本公开实施例中的预设图案通过多个子光掩膜依次曝光获得，由于改变了光掩膜中子光掩膜的布局，使多个子光掩膜的重叠层数小于或者等于两层，从而在形成图案的过程中使得多个子光掩模之间共同的缝合区域在多个光掩膜依次曝光的过程中只需要曝光1次或2次。如此，可以减少图案失真。88.本公开实施例中，中介层可以包括硅通孔和多层重布线层(redistribution layer，rdl)。多层重布线层可以包括3～5层铜层和1层铝顶部金属层。89.本公开实施例中，半导体结构还包括：半导体芯片，半导体芯片包括逻辑芯片(例如，中央处理单元、微控制器等)、存储器芯片(例如，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)、静态随机存取存储器(static random access memory，sram))等。本公开实施例中，存储器芯片和逻辑芯片肩并肩(side by side)地分布在中介层上，且存储器芯片和逻辑芯片通过多层重布线层电连接。90.本公开实施例中，半导体结构还包括：封装基板；封装基板与半导体芯片通过中介层中的硅通孔电连接。91.在本公开所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的结构和方法，可以通过非目标的方式实现。以上所描述的结构实施例仅仅是示意性的，例如，单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，如：多个单元或组件可以结合，或可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另外，所显示或讨论的各组成部分相互之间的耦合、或直接耦合。92.本公开所提供的几个方法或结构实施例中所揭露的特征，在不冲突的情况下可以任意组合，得到新的方法实施例或结构实施例。93.以上，仅为本公开的一些实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。









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