多层复合膜的激光半切方法与流程 专利技术说明

机械加工,机床金属加工设备的制造及其加工,应用技术1.本发明涉及复合膜加工技术领域，尤其是指一种多层复合膜的激光半切方法。背景技术：2.pi膜(聚酰亚胺薄膜)是一种性能较好的薄膜类绝缘材料，凭借其具有良好的耐热性、机械性能、化学稳定性、耐辐射性等优点，通常用于柔性电路板基材。在相关技术中多层复合膜的pi层通常印刷有产品，具体请参照图1，图1为相关技术中的多层复合膜结构示意图。该多层复合膜包括依次设置的pi层10、双面胶层20、第一pet膜30及第二pet膜40，其中，pi层10上印刷有产品。在生产过程中，将产品印刷于多层复合膜后，还需要对多层复合膜进行切割。目前，通常采用传统的刀轮切割工艺来切割多层复合膜。刀轮切割工艺需要设定切割深度和刀压来实现不同厚度复合膜的半切。由于多层复合膜的厚度较薄，采用刀轮切割工艺时，难以对切割深度进行调试，且不能完成较复杂的异型切割。3.有鉴于此，有必要对上述的多层复合膜的切割方式进行改进。技术实现要素：4.针对现有技术的不足，本发明提供了一种多层复合膜的激光半切方法，旨在解决传统的刀轮切割工艺难以调节切割深度，难以实现异型切割的问题。5.为了解决上述技术问题，本发明采用了如下技术方案：提供了一种多层复合膜的激光半切方法，所述多层复合膜包括依次叠置的pi层、双面胶层、第一pet膜及第二pet膜，所述pi层上印刷有产品，所述多层复合膜的激光半切方法包括：6.获取待切割层的切割属性，所述待切割层包括pi层及双面胶层，或pi层、双面胶层及第一pet膜，所述切割属性包括待切割层的材质及厚度；7.根据所述待切割层中各层的切割属性确定对应的激光切割信息；8.获取所述产品的轮廓信息，并确定所述产品的切割轨迹；以及9.根据所述激光切割信息及产品的切割轨迹对所述待切割层由所述pi层至第二pet膜的方向进行逐层激光切割。10.其中，所述待切割层包括pi层、双面胶层及第一pet膜；11.所述根据所述待切割层中各层的切割属性确定对应的激光切割信息，具体包括：12.根据所述pi层的切割属性确定第一激光切割信息，所述第一激光切割信息为在激光软件中的第一图层设置的第一激光切割线；13.根据所述双面胶层的切割属性确定第二激光切割信息，所述第二激光切割信息为在激光软件中的第二图层设置的第二激光切割线；14.根据所述第一pet膜的切割属性确定第三激光切割信息，所述第三激光切割信息为在激光软件中的第三图层设置的第三激光切割线；15.将第一激光切割线、第二激光切割线及第三激光切割线确定为激光切割信息。16.其中，所述产品包括电路及电路标识；17.所述获取所述产品的轮廓信息，并确定所述产品的切割轨迹，具体包括：18.获取电路及电路标识的轮廓信息，并确定所述电路及电路标识的切割轨迹；19.所述根据所述激光切割信息及所述产品的切割轨迹对所述待切割层由所述pi层至第二pet膜的方向进行逐层激光切割，具体包括：20.根据所述电路及电路标识的切割轨迹及第一激光切割线切断所述pi层，并去除没有承载所述电路及电路标识的pi层；21.根据所述电路及电路标识的切割轨迹及第二激光切割线切断所述双面胶层，并去除没有承载所述电路及电路标识的双面胶层；22.根据所述电路标识的切割轨迹及第三激光切割线切断所述第一pet膜，并分开所述第一pet膜及第二pet膜，以使所述电路位于所述第一pet膜上，所述电路标识位于所述第二pet膜上。23.其中，所述根据所述电路及电路标识的切割轨迹及第二激光切割线切断所述双面胶层，并去除没有承载所述电路及电路标识的双面胶层之后，还包括：24.根据所述电路的切割轨迹及第三激光切割线切断所述第一pet膜，并分开所述第一pet膜及第二pet膜，以使所述电路标识位于所述第一pet膜上，所述电路位于所述第二pet膜上。25.其中，所述待切割层包括pi层及双面胶层；26.所述根据所述待切割层中各层的切割属性确定对应的激光切割信息，具体包括：27.根据所述pi层的切割属性确定第一激光切割信息，所述第一激光切割信息为在激光软件中的第一图层设置的第一激光切割线；28.根据所述双面胶层的切割属性确定第二激光切割信息，所述第二激光切割信息为在激光软件中的第二图层设置的第二激光切割线；29.将所述第一激光切割线以及第二激光切割线确定为激光切割信息。30.其中，所述根据所述激光切割信息及所述产品的切割轨迹对所述待切割层由所述pi层至第二pet膜的方向进行逐层激光切割，具体包括：31.根据所述产品的切割轨迹及第一激光切割线切断所述pi层，并去除没有承载所述产品的pi层；32.根据所述产品的切割轨迹及第二激光切割线切断所述双面胶层，并去除没有承载所述产品的双面胶层，以使所述产品位于第一pet膜及第二pet膜上。33.其中，所述第一激光切割线包括四条激光切割线，切割所述pi层时，利用所述激光切割线沿所述pi层的厚度方向对所述pi层进行分段切割，且相邻所述激光切割线的间距为0.01mm-0.05mm。34.其中，所述第二激光切割线包括一条激光切割线，切割所述双面胶层时，利用所述激光切割线对所述双面胶层进行一次切割。35.其中，所述第三激光切割线包括两条激光切割线，切割所述第一pet膜时，利用所述激光切割线沿所述第一pet膜的厚度方向对所述第一pet膜进行分段切割，且相邻所述激光切割线的间距为0.01mm-0.08mm。36.本发明的有益效果在于：37.本发明的技术方案通过采用先获取待切割层的切割属性，然后根据待切割层的切割属性确定激光切割信息，以及根据产品的轮廓信息确定产品的切割轨迹，最后根据激光切割信息及产品的切割轨迹对待切割层由pi层至第二pet膜的方向进行逐层切割，如此，能够实现利用激光切割信息及产品的切割轨迹对多层复合膜中进行切割，还能够完成对复合膜的异型切割。附图说明38.下面结合附图详述本发明的具体结构39.图1为相关技术中的多层复合膜的结构示意图；40.图2为本发明一实施例多层复合膜的激光半切方法的流程示意图；41.图3为本发明一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s120的具体流程示意图；42.图4为本发明一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s140的具体流程示意图；43.图5为本发明另一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s120的具体流程示意图；44.图6为本发明另一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s140的具体流程示意图。具体实施方式45.为详细说明本发明的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图详予说明。46.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。47.区别于技术中采用刀轮切割工艺对多层复合膜进行切割，难以调试切割深度且无法完成异型切割的问题，本发明提供了一种多层复合膜的激光半切方法，旨在对多层复合膜的各层进行准确切割，且能够实现异型切割。该多层复合膜的激光半切方法的步骤，请参照下述的实施例。48.请参照图2，图2为本发明一实施例多层复合膜的激光半切方法的流程示意图。在本发明的实施例，该多层复合膜的激光半切方法，应用于对多层复合膜进行切割。该多层复合膜包括依次叠置的pi层、双面胶层、第一pet膜及第二pet膜，pi层上印刷有产品。该多层复合膜的激光半切方法，包括如下步骤：49.s110、获取待切割层的切割属性。该待切割层包括pi层及双面胶层，或pi层及双面胶层及第一pet膜；该切割属性包括待切割层的材质及厚度。在切割层包括pi层及双面胶层时，该切割属性为pi层的材质及厚度数据，以及双面胶层的材质及厚度数据，以便后续对各层激光切割信息进行设置。在切割层包括pi层、双面胶层及第一pet膜时，该切割属性为pi层的材质及厚度数据，双面胶层的材质及厚度数据，以及第一pet膜的材质及厚度数据。可以理解的，在多层复合膜为其他层数时，还可以根据待切割层设置为其他层数。50.s120、根据待切割层中各层的切割属性确定对应的激光切割信息。该激光切割信0.08mm，能够使第一pet膜的切割边缘不发黑及不易熔化，具有较佳的切割性能。本方案中，相邻激光切割线的间距优选为0.01mm、0.04mm、0.08mm等。58.s124、将第一激光切割线、第二激光切割线及第三激光切割线确定为激光切割信息。根据激光切割信息中的第一激光切割线、第二激光切割线及第三激光切割线可以对待切割层中对应的pi层、双面胶层及第一pet层分别进行逐层切割。59.在上述实施例的基础上进一步参照图4，图4为本发明一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s140的具体流程示意图。在一具体实施例，该产品包括电路及与电路连接且可拆的电路标志。该获取产品的轮廓信息，并确定产品的切割轨迹，具体包括：获取电路及电路标识的轮廓信息，并确定电路及电路标识的切割轨迹。该根据激光切割信息及电路及电路标识的切割轨迹对待切割层由pi层至第二pet膜的方向进行逐层激光切割，具体包括：60.s141、根据电路及电路标识的切割轨迹及第一激光切割线切断pi层，并去除没有承载电路及电路标识的pi层。切断pi层后，多层复合膜上的pi层分成两部分，一部分为没有承载电路及电路标志的部分，另一部分为承载电路及电路标志的待后续切割的切割层，此时，可以撕去没有承载电路及电路标志的部分，留下承载有电路及电路标识的待切割层，以待后续切割。61.s142、根据电路及电路标识的切割轨迹及第二激光切割线切断双面胶层，并去除没有承载电路及电路标识的双面胶层。切断双面胶层后，多层复合膜上的双面胶层亦分成两部分，一部分为没有承载电路及电路标志的部分，另一部分为承载电路及电路标志的待后续切割的切割层，此时，可以撕去没有承载电路及电路标志的双面胶层，留下承载有电路及电路标识的待切割层，以待进一步切割。62.s143、根据电路标识的切割轨迹及第三激光切割线切断第一pet膜，并分开第一pet膜及第二pet膜，以使电路位于第一pet膜上，电路标识位于第二pet膜上。对第一pet膜的切割可以结合电路或电路标识的切割轨迹来实现。本方案中，需要将电路留于第一pet膜上，电路标识留于第二pet膜上。故将电路标识的切割轨迹及第三激光切割线结合，对第一pet膜进行切割，第一pet膜切断后，分开第一pet膜及第二pet膜，此时，电路标识留于第二pet膜上，电路留于第一pet膜上。具体的，第一pet膜为白膜，第二pet膜为蓝膜，第一pet膜及第二pet膜可以根据实际的要求来选择，此处不做限定。63.在一并列的实施例，根据电路及电路标识的切割轨迹及第二激光切割线切断双面胶层，并去除没有承载电路及电路标识的双面胶层之后，还包括：64.根据电路的切割轨迹及第三激光切割线切断第一pet膜，并分开第一pet膜及第二pet膜，以使电路标识位于第一pet膜上，电路位于第二pet膜上。本方案中，对第一pet膜的切割可以结合电路或电路标识的切割轨迹来实现。本方案中，也可以将电路留于第二pet膜上，电路标识留于第一pet膜上。本方案中将电路的切割轨迹及第三激光切割线结合，对第一pet膜进行切割，第一pet膜切断后，分开第一pet膜及第二pet膜，此时，电路留于第二pet膜上，电路标识留于第一pet膜上。65.在基于上述实施例的基础上进一步参照图5，图5为本发明另一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s120的具体流程示意图。在一具体的实施例，待切割层包括pi层及双面胶层。该根据待切割层中各层的切割属性确定对应的激光切割信息，具体包括：66.s121`、根据pi层的切割属性确定第一激光切割信息，第一激光切割信息为在激光软件中的第一图层设置的第一激光切割线。67.s122`、根据双面胶层的切割属性确定第二激光切割信息，第二激光切割信息为在激光软件中的第二图层设置的第二激光切割线。68.s123`、将第一激光切割线以及第二激光切割线确定为激光切割信息。69.其中，上述第一激光切割线及第二激光切割线请参照上述s121、s122、s124的描述，此处不再赘述。70.在基于上述实施例的基础上进一步参照图6，图6为本发明另一实施例多层复合膜的激光半切方法中步骤s140的具体流程示意图。在一具体的实施例，该根据激光切割信息及产品的切割轨迹对待切割层由pi层至第二pet膜的方向进行逐层激光切割，具体包括：71.s141`、根据产品的切割轨迹及第一激光切割线切断pi层，并去除没有承载产品的pi层。72.s142`、根据产品的切割轨迹及第二激光切割线切断双面胶层，并去除没有承载产品的双面胶层，以使产品位于第一pet膜及第二pet膜上。73.其中，上述第一激光切割线及第二激光切割线请参照上述s141、s142的描述，此处不再赘述。应该指出的，在切断双面胶层后，产品位于第一pet膜及第二pet膜上，满足对多层复合膜的pi层及双面胶层的切割。74.在实际应用中，上述的第一激光切割线、第二激光切割线及第三激光切割线还均包括可调节参数，该可调参数具体为空跳速度、激光开延时、激光关延时、跳转延时、拐弯延时、走笔延时、点脉冲个数等。通过上述的可调节参数，可以准确的控制激光的切割，保证激光切割的可调性及灵活性，方便生产。75.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。









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