基板处理方法和基板处理装置与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及一种基板处理方法和基板处理装置。背景技术：2.专利文献1公开了一种对形成于基板的表面的自然氧化膜中的位于基板的周缘部的部分供给氢氟酸等药液并通过蚀刻处理来去除该膜的基板处理方法。3.现有技术文献4.专利文献5.专利文献1：日本特开2019-040958号公报技术实现要素：6.发明要解决的问题7.本公开对能够抑制在基板上产生微粒的基板处理方法和基板处理装置进行说明。8.用于解决问题的方案9.基板处理方法的一例是一种基板处理方法，包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理，所述基板处理方法包括以下工序：第一工序，检测药液供给部的流路内的药液中产生的气泡；第二工序，获取从喷嘴排出在第一工序中检测到的药液中的气泡的排出时期；以及第三工序，基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。10.发明的效果11.根据本公开所涉及的基板处理方法和基板处理装置，能够抑制在基板上产生微粒。附图说明12.图1是示意性地表示基板处理系统的一例的俯视图。13.图2是示意性地表示处理单元的一例的侧视图。14.图3是表示基板的处理时间与从喷嘴喷出蚀刻液的喷出流量之间的关系的一例的图。15.图4是表示基板处理系统的主要部分的一例的框图。16.图5是表示控制器的硬件结构的一例的概要图。17.图6的(a)是表示动作序列1中的各液体的流量的经时变化的图，图6的(b)是表示动作序列1中的各喷嘴的位置的经时变化的图。18.图7是用于说明基于动作序列1的基板的处理过程的例子的截面图。19.图8是用于说明微粒产生区间的例子的图。20.图9的(a)是表示动作序列2中的各液体的流量的经时变化的图，图9的(b)是表示动作序列2中的各喷嘴的位置的经时变化的图。21.图10是用于说明基于动作序列2的基板的处理过程的例子的截面图。22.图11的(a)是表示动作序列3中的各液体的流量的经时变化的图，图11的(b)是表示动作序列3中的各喷嘴的位置的经时变化的图。23.图12是用于说明基于动作序列3的基板的处理过程的例子的截面图。24.图13的(a)是表示动作序列4中的各液体的流量的经时变化的图，图13的(b)是表示动作序列4中的各喷嘴的位置的经时变化的图。25.图14是用于说明基于动作序列4的基板的处理过程的例子的截面图。26.图15的(a)是表示动作序列5中的各液体的流量的经时变化的图，图15的(b)是表示动作序列5中的各喷嘴的位置的经时变化的图。27.图16是用于说明基于动作序列5的基板的处理过程的例子的截面图。具体实施方式28.在以下的说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同的附图标记，省略重复的说明。此外，在本说明书中，在提到图中的上、下、右、左时，以图中的附图标记的朝向为基准。29.[基板处理系统][0030]首先，参照图1[0031]来说明基板处理系统1(基板处理装置)，该基板处理系统1(基板处理装置)构成为对基板w进行处理。基板处理系统1具备搬入搬出站2、处理站3以及控制器ctr(控制部)。搬入搬出站2和处理站3例如可以在水平方向上排成一列。[0032]基板w可以呈圆板状，也可以呈多边形等圆形以外的板状。基板w可以具有一部分被切掉后的切口部。切口部例如可以为槽口(u字形、v字形等的槽)，也可以为直线状地延伸的直线部(所谓的定向平面)。基板w例如可以是半导体基板(硅晶圆)、玻璃基板、掩模基板、fpd(flat panel display：平板显示器)基板等其它各种基板。基板w的直径例如可以为200mm～450mm左右。[0033]搬入搬出站2包括载置部4、搬入搬出部5以及架单元6。载置部4包括在宽度方向(图1的上下方向)上排列的多个载置台(未图示)。各载置台构成为能够载置承载件7(收容容器)。承载件7构成为以密封状态收容至少一个基板w。承载件7包括用于取入和放入基板w的开闭门(未图示)。[0034]搬入搬出部5在搬入搬出站2与处理站3排列的方向(图1的左右方向)上同载置部4相邻地配置。搬入搬出部5包括与载置部4对应地设置的开闭门(未图示)。在载置部4上载置有承载件7的状态下，将承载件7的开闭门和搬入搬出部5的开闭门一同打开，由此搬入搬出部5内与承载件7内连通。[0035]搬入搬出部5内置有搬送臂a1和架单元6。搬送臂a1构成为能够进行搬入搬出部5的宽度方向(图1的上下方向)上的水平移动、铅垂方向上的上下移动以及绕铅垂轴的转动动作。搬送臂a1构成为：将基板w从承载件7取出并传递至架单元6，另外，从架单元6接受基板w并送回承载件7内。架单元6位于处理站3的附近，构成为中继搬入搬出部5与处理站3之间的基板w的交接。[0036]处理站3包括搬送部8和多个处理单元10。搬送部8例如在搬入搬出站2与处理站3排列的方向(图1的左右方向)上水平地延伸。搬送部8内置有搬送臂a2。搬送臂a2构成为能够进行搬送部8的长度方向(图1的左右方向)上的水平移动、铅垂方向上的上下移动以及绕铅垂轴的转动动作。搬送臂a2构成为：将基板w从架单元6取出并传递至各处理单元10，另外，从各处理单元10接受基板w并送回到架单元6内。[0037]多个处理单元10配置为在搬送部8的两侧分别沿着搬送部8的长度方向(图1的左右方向)排成一列。处理单元10构成为对基板w进行规定的处理(例如，基板w的清洗处理、形成于基板w的表面wa的膜f的蚀刻处理等)。在后文中叙述处理单元10的详情。[0038]控制器ctr构成为局部或整体地控制基板处理系统1。在后文中叙述控制器ctr的详情。[0039][处理单元][0040]接着，参照图2详细地说明处理单元10。处理单元10具备旋转保持部20、药液供给部30、冲洗液供给部40以及摄像部50(检测部)。[0041]旋转保持部20包括旋转部21、轴22以及保持部23。旋转部21构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来使轴22旋转。旋转部21例如可以是电动马达等动力源。[0042]保持部23设置于轴22的前端部。保持部23构成为例如通过吸附等对基板w的背面wb进行吸附保持。即，旋转保持部20可以构成为：在基板w的姿势为大致水平的状态下，使基板w绕与基板w的表面wa垂直的中心轴(旋转轴)旋转。如图2等所例示的那样，旋转保持部20可以使基板w在从上方观察时顺时针地旋转。此外，保持部23可以构成为对基板w的整个背面wb进行吸附保持。在该情况下，即使基板w存在翘曲等，也能够将基板w矫正为大致水平。[0043]药液供给部30构成为向基板w供给蚀刻液l1。蚀刻液l1例如包括用于对基板w的表面wa的膜f进行蚀刻的碱性或酸性的药液。碱性的药液例如包括sc-1液(氨、过氧化氢以及纯水的混合液)等。酸性的药液例如包括sc-2液(盐酸、过氧化氢溶液以及纯水的混合液)、spm(硫酸、过氧化氢溶液以及纯水的混合液)等。在蚀刻液l1为包含过氧化氢溶液的药液的情况下，随着时间经过，过氧化氢溶液分解而产生氧，在蚀刻液l1内产生气泡。[0044]药液供给部30包括气体源31、泵32、液源33、罐34、流量计35(检测部)、阀36(流路、气泡滞留部)、喷嘴37、配管38(流路)以及驱动源39。气体源31是非活性气体(例如氮气体)的供给源。泵32构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来将气体源31的非活性气体送出到罐34中。[0045]液源33是蚀刻液l1的供给源。罐34构成为暂时贮存从液源33供给的蚀刻液l1。通过被供给至罐34的非活性气体将罐34内的蚀刻液l1进行加压，来使该蚀刻液l1通过与罐34连接的配管38送出到喷嘴37。[0046]流量计35构成为：测量在配管38中流动的蚀刻液l1的流量，将测量出的数据发送至控制器ctr。流量计35例如可以是基于流量计35的前后的流体的压力差来计算流量的压差式流量计。如图3所例示的那样，在从喷嘴37排出气泡的前后，蚀刻液l1的流量微小地变动，因此通过利用流量计35来测量该变动，能够检测气泡从喷嘴37的排出。[0047]阀36构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来在允许配管38中的流体的流通的打开状态与妨碍配管38中的流体的流通的关闭状态间转变。在药液供给部30停止供给蚀刻液l1的情况下，在滞留于阀36和配管38内的蚀刻液l1中产生气泡，气泡被收集并滞留在阀36内的空间(气泡滞留部)中。[0048]喷嘴37以喷出口37a朝向基板w的表面wa的方式配置于基板w的上方。喷嘴37构成为从喷出口37a朝向基板w的周缘部wc喷出从罐34送出的蚀刻液l1。基板w通过旋转保持部20而旋转，因此被喷出到周缘部wc的蚀刻液l1遍及基板w的整周地在周缘部wc扩散，并从基板w的周缘向外侧甩出。[0049]在配管38中从上游侧起依次连接有罐34、流量计35、阀36以及喷嘴37。驱动源39与喷嘴37直接或间接地连接。驱动源39构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来使喷嘴37在基板w的上方沿水平方向或铅垂方向移动。[0050]冲洗液供给部40构成为向基板w供给冲洗液l2。冲洗液l2例如是用于从基板w去除(冲掉)被供给至基板w的表面wa的蚀刻液l1、基于蚀刻液l1的膜f的溶解成分(残渣)等的液体。冲洗液l2例如包括纯水(diw：deionized water：去离子水)、臭氧水、碳酸水(co2水)、氨水等。[0051]冲洗液供给部40包括液源41、泵42、阀43、喷嘴44(冲洗喷嘴)、配管45以及驱动源46。液源41是冲洗液l2的供给源。泵42构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来将从液源41吸引来的冲洗液l2经由配管45及阀43送出到喷嘴44。[0052]阀43构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来在允许配管45中的流体的流通的打开状态与妨碍配管45中的流体的流通的关闭状态间转变。喷嘴44以喷出口44a朝向基板w的表面wa的方式配置于基板w的上方。与喷嘴37同样地，喷嘴44构成为从喷出口44a朝向基板w的周缘部wc喷出从泵42送出的冲洗液l2。将基板w上的冲洗液l2的着落点设定在比蚀刻液l1的着落点更靠基板w的中心侧的位置，以通过冲洗液l2冲掉基板w上的蚀刻液l1、残渣等。基板w通过旋转保持部20而旋转，因此被喷出到周缘部wc的冲洗液l2与蚀刻液l1同样地遍及基板w的整周地在周缘部wc扩散，并从基板w的周缘向外侧甩出。[0053]在配管45中从上游侧起依次连接有液源41、泵42、阀43以及喷嘴44。驱动源46与吸嘴44直接或间接地连接。驱动源46构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来使喷嘴44在基板w的上方沿水平方向或铅垂方向移动。[0054]摄像部50构成为：基于来自控制器ctr的动作信号进行动作，来拍摄从喷嘴37喷出蚀刻液l1的喷出状态。当从喷嘴37排出气泡时，在该瞬间，来自喷嘴37的蚀刻液l1的喷出变为间歇性的，因此通过利用摄像部50对蚀刻液l1的间歇性喷出进行图像识别，能够检测气泡从喷嘴37的排出。摄像部50构成为将摄像图像发送至控制器ctr。摄像部50例如可以是ccd摄像机、coms摄像机等。摄像部50的设置部位只要在处理单元10内即可，没有特别限制。[0055][控制器的详情][0056]如图4所示，控制器ctr具有作为功能模块的读取部m1、存储部m2、处理部m3以及指示部m4。这些功能模块只是为了方便而将控制器ctr的功能划分成的多个模块，并不一定意味着构成控制器ctr的硬件被划分成这样的模块。各功能模块不限于通过执行程序来实现，也可以通过专用的电路(例如逻辑电路)、或者将该专用的电路进行集成得到的集成电路(asic：application specific integrated circuit：专用集成电路)来实现。[0057]读取部m1构成为从计算机可读记录介质rm读取程序。记录介质rm记录有用于使包括处理单元10的基板处理系统1的各部动作的程序。记录介质rm例如可以是半导体存储器、光记录盘、磁记录盘、光磁记录盘。此外，下面，基板处理系统1的各部能够包括旋转保持部20、药液供给部30、冲洗液供给部40以及摄像部50。[0058]存储部m2构成为存储各种数据。存储部m2例如可以存储由读取部m1从记录介质rm读出的程序、操作者经由外部输入装置(未图示)输入的设定数据等。存储部m2可以存储由摄像部50拍摄到的摄像图像的数据。存储部m2可以存储用于处理基板w的处理条件(例如，蚀刻液l1的种类、浓度、喷出流量、温度等)。存储部m2可以存储表示基板处理时的各部的动作过程的多个动作序列。动作序列例如可以包括喷嘴37、44的位置的经时变化、蚀刻液l1和冲洗液l2的供给流量的经时变化。[0059]处理部m3构成为对各种数据进行处理。处理部m3例如可以基于存储部m2中存储的各种数据来生成用于使基板处理系统1的各部动作的信号。[0060]指示部m4构成为将在处理部m3中生成的动作信号发送到基板处理系统1的各部。[0061]控制器ctr的硬件例如可以由一个或多个控制用的计算机构成。如图5所示，控制器ctr可以包括作为硬件结构的电路c1。电路c1可以由电路要素(circuitry)构成。电路c1例如可以包括处理器c2、存储器c3、存储部c4、驱动器c5以及输入输出端口c6。[0062]处理器c2可以构成为：与存储器c3和存储部c4中的至少一方协作地执行程序，并经由输入输出端口c6执行信号的输入和输出，由此实现上述的各功能模块。存储器c3和存储部c4可以作为存储部m2发挥功能。驱动器c5可以是构成为分别驱动基板处理系统1的各部的电路。输入输出端口c6可以构成为在驱动器c5与基板处理系统1的各部之间中继信号的输入和输出。[0063]基板处理系统1可以具备一个控制器ctr，也可以具备由多个控制器ctr构成的控制器组(控制部)。在基板处理系统1具备控制器组的情况下，上述功能模块可以分别通过一个控制器ctr来实现，也可以通过两个以上的控制器ctr的组合来实现。在控制器ctr由多个计算机(电路c1)构成的情况下，上述功能模块可以分别通过一个计算机(电路c1)来实现，也可以通过两个以上的计算机(电路c1)的组合来实现。控制器ctr可以具有多个处理器c2。在该情况下，上述功能模块可以分别通过一个处理器c2来实现，也可以通过两个以上的处理器c2的组合来实现。[0064][动作序列][0065]在此，参照图6～图16来说明用于对基板w的周缘部wc中的膜f进行蚀刻的药液供给部30和冲洗液供给部40的动作序列的例子。以下说明的动作序列只是一例，并不限定于这些例子。[0066](1)动作序列1[0067]参照图6和图7对动作序列1进行说明。假定在没有从喷嘴37排出气泡的情况下采用动作序列1。[0068]首先，在旋转保持部20使基板w旋转的状态下，控制器ctr控制药液供给部30，以从位于基板w的外侧的喷嘴37喷出蚀刻液l1。如图6的(a)所例示的那样，此时的蚀刻液l1的流量可以是5ml/min～50ml/min左右。此外，在图6的(b)的纵轴中，将从基板w的外周缘朝向基板w的中心的一侧设为正，将从基板w的外周缘朝向基板w的径向外侧的一侧设为负(在图9、图11、图13以及图15中也是同样的)。[0069]接着，控制器ctr控制药液供给部30，来在保持从喷嘴37喷出蚀刻液l1的状态下使喷嘴37位于基板w的表面wa的上方(参照图7的(a))。由此，向基板w的周缘部wc供给蚀刻液l1，利用蚀刻液l1对膜f中的配置于基板w的周缘部wc的部分(周缘部分)进行蚀刻。[0070]当经过了规定时间(例如，从向基板w供给蚀刻液l1起的3秒～300秒左右)膜f的周缘部分的蚀刻完成时，控制器ctr控制药液供给部30来使喷嘴37移动到基板w的外侧，并使喷嘴37停止喷出蚀刻液l1。在与此大致相同的时期，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使位于基板w的外侧的喷嘴44喷出冲洗液l2。如图6的(a)所例示的那样，此时的冲洗液l2的流量可以是5ml/min～50ml/min左右。[0071]接着，控制器ctr控制冲洗液供给部40，来在保持从喷嘴44喷出冲洗液l2的状态下使喷嘴44位于基板w的表面wa的上方(参照图7的(b))。在该情况下，从喷嘴44供给冲洗液l2的供给位置可以比从喷嘴37供给蚀刻液l1的供给位置更靠基板w的中心侧。由此，对基板w的周缘部wc供给冲洗液l2，利用冲洗液l2将基板w上的蚀刻液l1、通过蚀刻产生的残渣等冲掉。[0072]当经过规定时间基板w的冲洗完成时，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使喷嘴44移动到基板w的外侧，并使喷嘴44停止喷出冲洗液l2(参照图7的(c))。通过以上动作，基于动作序列1的基板处理完成。[0073]在动作序列1中，假定了没有从喷嘴37排出气泡的情况，但如果在从喷嘴37排出气泡时采用动作序列1，则有时会在基板w的表面产生微粒。推测其机理如下所述。即，当从喷嘴37排出蚀刻液l1中的气泡时，例如有时气泡由于喷嘴37的喷出口37a前后的压力差而在紧接从喷出口37a排出之后破裂，或者气泡撞击基板w的表面而破裂，或者在从喷出口37a排出气泡的瞬间蚀刻液l1从喷嘴37的喷出成为间歇性的，从而从喷嘴37再次喷出的蚀刻液l1猛烈地撞击基板w的表面wa。此时，蚀刻液l1向周围飞散，微小的蚀刻液l1附着于基板w的表面wa，由此可能在基板w的表面wa产生微粒。[0074]因此，本发明人进行认真研究的结果是得到如下见解：如图8所例示的那样，由于气泡而产生的微粒从蚀刻液l1的喷出位置朝向径向内方集中在规定的区间内。该微粒集中区间例如可以为从蚀刻液l1的喷出位置朝向径向内方0.5mm～5mm左右的位置，也可以为1mm～3mm左右的位置，还可以为2mm左右的位置。此外，在图8中，在从蚀刻液l1的喷出位置朝向径向内方的一部分区间，微粒数显示为0。这是由于所使用的微粒检测器的性能导致的，实际上在这些区间也存在微粒。[0075]另外，本发明人进行认真研究的结果是得到如下见解：从打开阀36起至从喷嘴37排出滞留于阀36内的空间的气泡为止的定时(排出时期)是基于从阀36起至喷嘴37的喷出口37a为止的容积和蚀刻液l1的流量来决定的。因此，作为一例，通过预先测定从打开阀36起至由流量计35检测到流量的变动(参照图3)为止的时间，能够在基板处理之前获取排出时期。或者，作为一例，通过预先测定从打开阀36起至由摄像部50检测到蚀刻液l1的间歇性喷出为止的时间，能够在基板处理之前获取排出时期。在以后的动作序列2～5中，基于通过这样事先获取到的排出时间来变更喷嘴37、44的位置，由此，即使在从喷嘴37排出了气泡的情况下，也抑制了在基板w的表面wa上产生微粒。[0076](2)动作序列2[0077]接着，参照图9和图10对动作序列2进行说明。动作序列2与动作序列1关于在从喷嘴37向基板w供给蚀刻液l1的中途使喷嘴37暂时移动到基板w的径向外方的位置这一点不同。以下，简洁地叙述与动作序列1共同的说明。[0078]首先，在旋转保持部20使基板w旋转的状态下，控制器ctr控制药液供给部30，以使位于基板w的外侧的喷嘴37喷出蚀刻液l1。接着，控制器ctr控制药液供给部30，以在保持从喷嘴37喷出蚀刻液l1的状态下使喷嘴37位于基板w的表面wa的上方(参照图10的(a))。[0079]之后，在到达气泡的排出时期之前，控制器ctr控制药液供给部30来使喷嘴37移动到基板w的径向外方的位置。如上所述，由于气泡而产生的微粒从蚀刻液l1的喷出位置朝向径向内方集中在规定的区间内，因此喷嘴37可以向基板w的径向外方移动微粒集中区间的大小以上的距离。在该情况下，如图9的(b)和图10的(b)所例示的那样，可以向基板w的外周缘附近供给蚀刻液l1和气泡。考虑到气泡从喷嘴37的排出与排出时期不一致，喷嘴37停留于径向外方的位置的时间例如可以为数秒左右(2秒～4秒左右)。[0080]当经过排出时期时，控制器ctr控制药液供给部30来使喷嘴37移动到基板w的径向内方的位置(参照图10的(c))。此时，喷嘴37可以移动到原来的位置，也可以移动到从原来的位置偏移了数mm左右的位置。之后，当经过规定时间膜f的周缘部分的蚀刻完成时，控制器ctr控制药液供给部30来使喷嘴37移动到基板w的外侧，并使喷嘴37停止喷出蚀刻液l1。在与此大致相同的时期，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使位于基板w的外侧的喷嘴44喷出冲洗液l2。[0081]接着，控制器ctr控制冲洗液供给部40，来在保持从喷嘴44喷出冲洗液l2的状态下使喷嘴44位于基板w的表面wa的上方(参照图10的(d))。在该情况下，从喷嘴44供给冲洗液l2的供给位置可以比从喷嘴37供给蚀刻液l1的供给位置更靠基板w的中心侧。当经过规定时间基板w的冲洗完成时，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使喷嘴44移动到基板w的外侧，并使喷嘴44停止喷出冲洗液l2(参照图10的(e))。通过以上动作，基于动作序列2的基板处理完成。[0082]在动作序列2中，在喷嘴37暂时移动到径向外方的位置时，蚀刻液l1和气泡被排出到基板w的外周缘附近。在该情况下，喷嘴37的移动为最小限度。除此以外，即使蚀刻液l1向周围飞散，也仅限于微小的蚀刻液l1附着于基板w的外周缘附近。因此，通过使在经过排出时期后喷嘴37再次移动到基板w的径向内侧，附着于基板w的外周缘的微小的蚀刻液l1被冲走。因而，能够抑制喷嘴37的移动对基板处理产生的影响，并且能够抑制在基板w上产生微粒。此外，为了进一步抑制蚀刻液l1的飞散，喷嘴37暂时移动到径向外方的位置时的喷嘴37的位置可以是蚀刻液l1的着落点不与基板w的外周缘重叠的位置。[0083](3)动作序列3[0084]接着，参照图11和图12对动作序列3进行说明。动作序列3与动作序列2关于在从喷嘴37向基板w供给蚀刻液l1的中途使喷嘴37暂时移动到基板w的径向外方的位置时的喷嘴37的位置这一点不同。下面，简洁地叙述与动作序列2共同的说明。[0085]首先，在动作序列3中，使喷嘴37位于基板w的表面wa的上方的动作与动作序列2相同(参照图11和图12的(a))。[0086]之后，在到达气泡的排出时期之前，控制器ctr控制药液供给部30来使喷嘴37移动到基板w的径向外方的位置(参照图12的(b))。此时，喷嘴37移动到基板w的外侧即可。在该情况下，如图12的(b)和图13的(b)所例示的那样，蚀刻液l1和气泡被排出到基板w的外侧。考虑到气泡从喷嘴37的排出与排出时期不一致，喷嘴37停留在基板w的外侧的时间例如可以为数秒左右(2秒～4秒左右)。[0087]在动作序列3中，经过排出时期后的动作与动作序列2相同(参照图11和图12的(c)～(e))。由此，基于动作序列3的基板处理完成。[0088]在动作序列3中，在喷嘴37暂时移动到径向外方的位置时，蚀刻液l1和气泡被排出到基板w的外侧。因此，微小的蚀刻液l1不会附着于基板w。因而，能够大幅地抑制在基板w上产生微粒。[0089](4)动作序列4[0090]接下来，参照图13和图14对动作序列4进行说明。动作序列4与动作序列3关于在与使喷嘴37暂时移动到基板w的径向外方的位置大致相同的时期向基板w供给冲洗液l2这一点不同。下面，简洁地叙述与动作序列3共同的说明。[0091]首先，在动作序列4中，使喷嘴37位于基板w的表面wa的上方的动作与动作序列3相同(参照图13和图14的(a))。[0092]之后，在到达气泡的排出时期之前，控制器ctr控制药液供给部30，来在保持从喷嘴37喷出蚀刻液l1的状态下使喷嘴37移动到基板w的径向外方的位置(参照图14的(b))。在与此大致相同的时期，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使位于基板w的外侧的喷嘴44喷出冲洗液l2。如图13的(a)所例示的那样，此时的蚀刻液l1和冲洗液l2的流量可以分别为5ml/min～50ml/min左右。[0093]接着，控制器ctr控制冲洗液供给部40，来在保持从喷嘴44喷出冲洗液l2的状态下使喷嘴44位于基板w的表面wa的上方(参照图14的(b))。在该情况下，从喷嘴44供给冲洗液l2的供给位置可以比从喷嘴37供给蚀刻液l1的供给位置更靠基板w的中心侧。由此，对基板w的周缘部wc供给冲洗液l2，利用冲洗液l2将基板w上的蚀刻液l1、因蚀刻产生的残渣等冲掉。[0094]当经过规定时间时，控制器ctr控制冲洗液供给部40来使喷嘴44移动到基板w的外侧，并使喷嘴44停止喷出冲洗液l2(参照图14的(c))。在与此大致相同的时期，控制器ctr控制药液供给部30，来在保持从喷嘴37喷出蚀刻液l1的状态下使喷嘴37向基板w的径向内方移动(参照图14的(c))。此时，喷嘴37可以移动到原来的位置，也可以移动到从原来的位置偏移了数mm左右的位置。[0095]动作序列4中的之后的动作与动作序列3相同(参照图13和图14的(d)、(e))。通过以上动作，基于动作序列4的基板处理完成。[0096]在动作序列4中，在喷嘴37暂时移动到径向外方的位置时，蚀刻液l1和气泡被排出到基板w的外侧。因此，微小的蚀刻液l1不会附着于基板w。因而，能够大幅地抑制在基板w上产生微粒。除此以外，在动作序列4中，在喷嘴37暂时移动到径向外方的位置时，暂时向基板w的周缘部wc供给冲洗液l2。因此，即使在基板w的周缘部wc存在有残渣等，该残渣等也被冲洗液l2冲走。因而，能够进一步提高基板w的清洁度。[0097](5)动作序列5[0098]接着，参照图15和图16对动作序列5进行说明。动作序列5与动作序列1关于在处理的开头时将蚀刻液l1和气泡排出到基板w的外侧这一点不同。下面，简洁地叙述与动作序列1共同的说明。[0099]首先，在旋转保持部20使基板w旋转的状态下，控制器ctr控制药液供给部30来使位于基板w的外侧的喷嘴37喷出蚀刻液l1(参照图16的(a))。[0100]此时的蚀刻液l1的流量可以与后续的处理中的蚀刻液l1的流量为相同程度，也可以比后续的处理中的蚀刻液l1的流量大。此时的蚀刻液l1的喷出时间可以是直到经过排出时期为止的时间，考虑到气泡从喷嘴37的排出与排出时期不一致，该喷出时间也可以是比排出时期长数秒左右(2秒～4秒左右)的时间。[0101]动作序列5中的之后的动作与动作序列1相同(参照图15和图16的(b)～(d))。通过以上动作，基于动作序列5的基板处理完成。[0102]在动作序列5中，与动作序列3同样地，蚀刻液l1和气泡被排出到基板w的外侧。因此，微小的蚀刻液l1不会附着于基板w。因而，能够大幅地抑制在基板w上产生微粒。特别地，在从喷嘴37排出气泡时的蚀刻液l1的流量比后续的处理中的蚀刻液l1的流量大的情况下，以比较短的时间执行气泡从喷嘴37的排出。因此，能够实现高效的基板处理。[0103][动作序列的选择][0104]控制器ctr的处理部m3可以基于存储部m2中存储的用于处理基板w的处理条件以及使用流量计35或摄像部50得到的气泡的检测结果，从上述的动作序列1～5中自动地选择适于该处理条件的一个动作序列。指示部m4可以基于在处理部m3中选择的动作序列使处理单元10的各部动作。[0105]在此，详细地说明对动作序列的选择。首先，作为虚设工艺，在规定的处理条件下例如按动作序列2或动作序列3对基板w进行处理。此时，使用流量计35或摄像部50来检测是否从喷嘴37喷出了气泡。在未检测到气泡的情况下，处理部m3在以该处理条件对后续的基板w进行处理时，自动地选择动作序列1。[0106]另一方面，在检测到气泡的情况下，处理部m3在以该处理条件对后续的基板w进行处理时，自动地选择动作序列2至5中的任一方。例如，处理部m3可以根据膜f的周缘部分的蚀刻宽度(所谓的切割宽度)的条件自动地选择动作序列2或动作序列3。例如，在该处理条件中包括切割宽度为微粒集中区间的大小以上的情况下，处理部m3可以自动地选择动作序列2，在该处理条件中包括切割宽度小于微粒集中区间的大小的情况下，处理部m3可以自动地选择动作序列3。例如，在能够缩短基板w的处理时间的情况下，处理部m3可以自动地选择不受切割宽度的影响的动作序列5。[0107]例如，在按动作序列2或动作序列3对基板w进行处理时，摄像部50拍摄基板w的表面wa，当在基板w的表面wa上确认到残渣的情况下，可以选择动作序列4。如以上那样，通过在处理部m3中自动地选择动作序列，即使在基板w的处理条件发生了变更的情况下，也能够使用根据变更后的处理条件选择的适当的动作序列来执行基板处理。因此，即使在各种基板w的处理条件下，也能够抑制在基板w上产生微粒。[0108][作用][0109]根据以上的例子，基于从喷嘴37排出蚀刻液l1中的气泡的排出时期来变更喷嘴37的位置，因此基板w不易受到从喷嘴37排出的气泡的影响。而且，由于在相同的流路中进行针对基板w的蚀刻液l1的供给和气泡的排出，因此也没有气泡的产生源增加的可能性。因而，能够抑制在基板w上产生微粒。[0110]根据以上的例子，气泡滞留于阀36内的空间中，因此能够抑制气泡在流路(阀36、喷嘴37以及配管38)内大范围地分布。因此，根据从阀36起至喷嘴37的喷出口37a为止的距离，排出时期容易变得固定。因而，只要基板w的处理条件没有变更，一旦获取排出时期，就能够使用该排出时期来对后续的多个基板w进行处理。其结果是，能够实现高效的基板处理。[0111]根据以上的例子，作为用于供给蚀刻液l1的要素的一例的阀36作为气泡滞留部发挥功能。因此，无需追加用于使气泡滞留的其它构件。因而，能够以简单的结构且以低成本实现具有气泡的滞留功能的药液供给部30。[0112]根据以上的例子，基于通过流量计35得到的蚀刻液l1的流量的变动来判断是否从喷嘴37排出了气泡、或者通过利用摄像部50对蚀刻液l1从喷嘴37的间歇性喷出进行图像识别来判断是否从喷嘴37排出了气泡。在该情况下，能够基于比较容易观察的物理现象来探测从喷嘴37排出气泡的定时。[0113][变形例][0114]应当认为本说明书中的公开在所有方面均为例示，而非限制性的。在不脱离权利要求书及其主旨的范围内可以对以上的例子进行各种省略、置换、变更等。[0115](1)本公开的技术能够广泛地应用于伴有气体的药液。作为这样的药液，例如能够列举具有发泡性的药液、溶解有气体的药液等。作为具有发泡性的药液，例如能够列举过氧化氢溶液或过氧化氢溶液的混合液。作为溶解有气体的药液，例如能够列举碳酸水、氨水、h2水、溶解有非活性气体(例如氮气)的有机溶剂等。[0116](2)本公开的技术能够广泛地应用于利用药液进行基板处理的情况。即，不仅可以将本公开的技术应用于基板w的膜f的蚀刻处理，也可以应用于基板w的清洗处理、形成于基板w的表面wa的抗蚀膜的去除处理等。[0117](3)在蚀刻液l1滞留于药液供给部30的流路(阀36、喷嘴37、配管38等)并经过了规定期间的情况下，气泡在该流路内分散，有时难以确定该流路内的气泡的大小、气泡的产生部位。在这样的情况下，可以执行暂时从流路内排出蚀刻液l1的初始化处理、使蚀刻液l1在流路内多次流通的熟化处理。[0118](4)在上述的例子中，阀36具有气泡滞留的空间，但也可以在作为与阀36相分别的其它构件的气泡收集器(未图示)中实现气泡的捕捉和滞留。该气泡收集器可以设置于配管38中的阀36的下游侧的位置处。[0119](5)可以使用摄像部50或其它摄像部实时地监视药液供给部30的流路(阀36、喷嘴37、配管38等)内的规定部位处的气泡，来追踪从阀36打开起至实际地排出气泡为止的实际期间。在该情况下，可以将预先获取到的排出时期与该实际期间进行比较，并校正预先获取到的排出时期。[0120][其它例][0121]例1.基板处理方法的一例是包括一边使基板旋转一边从药液供给部的喷嘴向基板的表面供给药液来对基板进行处理的基板处理方法，所述基板处理方法包括以下工序：第一工序，检测在药液供给部的流路内的药液中产生的气泡；第二工序，获取从喷嘴排出在第一工序中检测到的药液中的气泡的排出时期；以及第三工序，基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。另外，当从喷嘴排出药液中的气泡时，例如有时气泡由于喷嘴的喷出口前后的压力差而在紧接从喷嘴的喷出口排出之后破裂，或者气泡撞击基板的表面而破裂，或者在从喷嘴排出气泡的瞬间药液从喷嘴的喷出成为间歇性的，从喷嘴再次喷出的药液猛烈地撞击基板的表面。此时，药液向周围飞散，微小的药液附着于基板的表面，由此有时在基板的表面产生微粒。为了不使气泡喷出到基板，还考虑设置用于排出气泡的分支流路，但需要追加用于使药液朝向分支流路的阀等，可能会增加新的气泡产生源。然而，在例1的情况下，由于基于从喷嘴排出药液中的气泡的排出时期来变更喷嘴的位置，因此基板不易受到从喷嘴排出的气泡的影响。而且，由于在相同的流路中进行针对基板的药液的供给和气泡的排出，因此也没有气泡的产生源增加的可能性。因而，能够抑制在基板上产生微粒。[0122]例2.例1的方法可以在第一工序之前还包括第四工序，在该第四工序中使药液中的气泡滞留于在药液供给部的流路设置的气泡滞留部，第一工序包括：检测滞留于气泡滞留部的气泡。在该情况下，气泡滞留于气泡滞留部，因此能够抑制气泡在流路内大范围地分布。因此，根据从气泡滞留部起至喷嘴的排出口为止的距离，排出时期容易变得固定。因而，通过获取一次排出时期，能够使用该排出时期来对后续的多个基板进行处理。其结果是，能够实现高效的基板处理。[0123]例3.在例2的方法中，气泡滞留部可以设置于阀的内部空间，所述阀在允许流路中的药液的流通的打开状态与妨碍流路中的药液的流通的关闭状态间进行动作。在该情况下，作为用于药液的供给的要素的一例的阀兼作气泡滞留部。因此，无需追加用于使气泡滞留的其它构件。因而，能够以简单的结构且以低成本实现包括气泡滞留部的药液供给部。[0124]例4.在例1～例3的任一方法中，第一工序可以包括检测从喷嘴一并排出药液及药液中的气泡时的、流路内的药液的流量变动或者从喷嘴喷出药液的喷出状态的变化。在该情况下，能够基于流路内的药液的流量变动或者从喷嘴喷出药液的喷出状态的变化这样的容易观察的物理现象来探测从喷嘴排出气泡的定时。[0125]例5.在例1～例4中的任一方法中，第一工序可以包括拍摄流路内的药液中的气泡。在该情况下，能够直接探测被从喷嘴喷出前的药液中的气泡。[0126]例6.在例1～例5的任一方法中，对基板进行处理可以包括从喷嘴向基板的周缘部供给药液来对周缘部进行处理。[0127]例7.在例1～例6的任一方法中，药液可以是具有发泡性的药液或者在液体中溶解有气体的药液。[0128]例8.在例1～例7的任一方法中，第三工序可以包括：当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴暂时移动到基板的径向外方的位置。在该情况下，即使药液向周围飞散，微小的药液也仅附着于基板的周缘部附近。因此，通过经过排出时期后喷嘴再次移动到基板的径向内方的位置，附着于基板的周缘部附近的微小的药液流动。因而，能够抑制在基板上产生微粒。[0129]例9.在例8的方法中，第三工序可以包括当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴暂时移动到基板的外侧。在该情况下，由于伴有气泡的药液被排出到基板的外侧，因此微小的药液不会附着于基板。因此，能够大幅地抑制在基板上产生微粒。[0130]例10.在例8的方法中，第三工序可以包括：当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴暂时移动到基板的外侧，并从冲洗液供给部的冲洗喷嘴向基板的表面暂时供给冲洗液。在该情况下，由于暂时向基板供给冲洗液，因此即使在基板的周缘部存在残渣等，该残渣等也会被冲洗液冲走。因此，能够进一步提高基板的清洁度。[0131]例11.在例1至例7的任一方法中，第三工序可以包括：在从喷嘴在基板的外侧喷出药液直到成为排出时期为止之后，在保持从喷嘴喷出药液的状态下使喷嘴移动到基板的上方，并从喷嘴向基板的表面供给药液。在该情况下，能够得到与例9同样的作用效果。[0132]例12.在例11的方法中，第三工序可以包括：在从喷嘴以第一流量在基板的外侧喷出药液直到成为排出时期之后，在保持从喷嘴喷出药液的状态下使喷嘴移动到基板的上方，并从喷嘴以比第一流量小的第二流量向基板的表面供给药液。在该情况下，以比较短的时间执行气泡从喷嘴的排出。因此，能够实现高效的基板处理。[0133]例13.在例1～例12的任一方法中，第三工序可以包括：从表示基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置的动作过程的多个动作序列中，根据基板的处理条件来选择一个动作序列；以及基于所选择的一个动作序列来变更喷嘴相对于基板的位置。在该情况下，即使在基板的处理条件发生了变更的情况下，也能够使用根据变更后的处理条件选择出的适当的动作序列来执行喷嘴的位置的变更处理。因此，即使在各种基板的处理条件下，也能够抑制在基板上产生微粒。[0134]例14.基板处理装置的一例是构成为通过在基板的旋转过程中供给至基板的表面的药液来对基板进行处理的基板处理装置，所述基板处理装置具备：药液供给部，其构成为通过流路从喷嘴供给药液；检测部，其构成为检测在流路内的药液中产生的气泡；以及控制部。控制部构成为执行以下处理：第一处理，获取从喷嘴排出由检测部检测到的药液中的气泡的排出时期；以及第二处理，基于排出时期来变更喷嘴相对于基板的位置。在该情况下，能够得到与例1同样的作用效果。[0135]例15.在例14的装置中，药液供给部可以包括气泡滞留部，所述气泡滞留部设置于流路，构成为在停止从喷嘴喷出药液的期间使药液中的气泡滞留，检测部检测滞留于气泡滞留部的气泡。在该情况下，能够得到与例2同样的作用效果。[0136]例16.在例14或例15的装置中，药液可以是具有发泡性的药液或者在液体中溶解有气体的药液。[0137]例17.在例14～例16的任一装置中，第二处理可以包括：当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴移动到基板的径向外方的位置。在该情况下，能够得到与例8同样的作用效果。[0138]例18.在例17的装置中，第二处理可以包括：当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴移动到基板的外侧。在该情况下，能够得到与例9同样的作用效果。[0139]例19.例18的装置还可以具备冲洗液供给部，所述冲洗液供给部构成为从冲洗喷嘴供给冲洗液，第二处理包括：当在从喷嘴向基板供给药液的中途成为了排出时期的情况下，使喷嘴移动到基板的外侧，并从冲洗喷嘴向基板的表面供给冲洗液。在该情况下，能够得到与例10同样的作用效果。[0140]例20.在例14～例16的任一装置中，第二处理可以包括：在从喷嘴在基板的外侧喷出药液直到成为排出时期为止之后，在保持从喷嘴喷出药液的状态下使喷嘴移动到基板的上方，并从喷嘴向基板的表面供给药液。在该情况下，能够得到与例11同样的作用效果。[0141]附图标记说明[0142]1：基板处理系统(基板处理装置)；10：处理单元；20：旋转保持部；30：药液供给部；35：流量计(检测部)；36：阀(流路、气泡滞留部)；37：喷嘴；38：配管(流路)；40：冲洗液供给部；44：喷嘴(冲洗喷嘴)；50：摄像部(检测部)；ctr：控制器(控制部)；l1：蚀刻液(药液)；l2：冲洗液；w：基板；wc：周缘部。









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