量子点发光器件及其制备方法、显示面板与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板。背景技术：2.近年来，量子点发光二极管(qled，quantum dot light emitting diode)的出现为智能显示及照明领域带来了新的突破，其发光层由无机量子点组成，具有比oled(organic light-emitting diode，有机电致发光二极管)更窄的发射光谱、更好的稳定性甚至更高的亮度，可以通过改变量子点的尺寸来调节发光波长，因此qled被广泛认为是未来照明与显示的有力竞争者。然而，在qled中，空穴传输层的空穴迁移率通常远低于电子传输层的电子迁移率，导致电荷注入不平衡以及俄歇复合的发生，进而导致器件的外量子效率及稳定性较差。3.因此，促进载流子平衡是研究qled的重要方向之一。研究人员为了提高量子点二极管的载流子注入平衡作出了许多研究，如在电子传输层侧或空穴传输层侧添加一层电子阻隔层，以防止过多的电子注入到量子点层或空穴注入层；或者通过设置多层空穴注入层阶梯化空穴侧的注入势垒，以增加空穴的注入，从而改变器件的空穴注入能力。但以上做法均只是单方面的改变某一侧的载流子注入，从现有的研究中可以发现，由于量子点层的核壳结构及载流子传输层材料性质的不同，器件对两侧载流子注入平衡程度要求也不同，因此同时控制和改变两侧载流子注入对于量子点发光器件具有重要的意义。4.然而，基于现有的量子点发光器件的结构，难以实现调控双侧的载流子注入能力。技术实现要素：5.本发明实施例提供一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板，以解决现有的量子点发光器件结构难以实现调控双侧的载流子注入能力的问题。6.为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：7.本发明实施例提供一种量子点发光器件，包括：衬底、间隔设置于所述衬底上的第一电极和第二电极；第一绝缘层，设置于所述第一电极和第二电极上；空穴功能层，设置于所述第一绝缘层上，且与所述第一电极对应；电子功能层，设置于所述第一绝缘层上，且与所述第二电极对应；量子点发光层，设置于所述空穴功能层和所述电子功能层上；第三电极，设置于所述量子点发光层上，与所述第一电极对应；以及第四电极，设置于所述量子点发光层上，与所述第二电极对应。8.在本发明的至少一种实施例中，自所述第一电极指向所述量子点发光层的方向，所述空穴功能层包括层叠的第一金属层和空穴传输层；自所述第二电极指向所述量子点发光层的方向，所述电子功能层包括层叠的第二金属层和电子传输层。9.在本发明的至少一种实施例中，所述空穴功能层在所述量子点发光层上的正投影与所述电子功能层在所述量子点发光层上的正投影不重叠。10.在本发明的至少一种实施例中，所述空穴功能层与所述电子功能层之间设有第二绝缘层。11.在本发明的至少一种实施例中，所述第一绝缘层的材料和所述第二绝缘层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯、氧化铝中的任意一种。12.在本发明的至少一种实施例中，所述量子点发光器件还包括：阳极，设置于所述第一金属层表面，且与所述空穴传输层间隔；以及阴极，设置于所述第二金属层表面，且与所述电子传输层间隔。13.在本发明的至少一种实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层均为多孔金属层。14.在本发明的至少一种实施例中，所述第一金属层和所述第二金属层的材料包括碳纳米管、金属银纳米线中的任意一种。15.在本发明的至少一种实施例中，所述空穴传输层的材料包括nio、wo3、moo3中的任意一种。16.在本发明的至少一种实施例中，所述电子传输层的材料包括zno、sno2、mg:zno中的任意一种。17.在本发明的至少一种实施例中，所述量子点发光层的材料包括cdznse/cdzns、cdznse/znse/zncds、cdznse/znse/zns中的任意一种。18.本发明实施例还提供一种显示面板，所述显示面板包括上述实施例中的量子点发光器件。19.本发明实施例还提供一种上述量子点发光器件的制备方法，包括：在衬底上形成间隔设置的第一电极和第二电极；在所述第一电极和所述第二电极上形成第一绝缘层；在对应所述第一电极的区域形成空穴功能层，在对应所述第二电极的区域形成电子功能层；在所述空穴功能层和所述电子功能层上形成量子点发光层；在所述量子点发光层上形成与所述第一电极对应的第三电极、与所述第二电极对应的第四电极。20.在本发明的至少一种实施例中，所述在对应所述第一电极的区域形成空穴功能层，在对应所述第二电极的区域形成电子功能层的步骤包括：在所述第一绝缘层上依次层叠第一金属层和空穴传输层以形成所述空穴功能层；在所述第一绝缘层上依次层叠第二金属层和电子传输层以形成所述电子功能层；在所述空穴功能层和所述电子功能层之间形成第二绝缘层；在所述第一金属层表面形成阳极；以及在所述第二金属层表面形成阴极。21.本发明的有益效果为：在量子点发光层的同一侧设置空穴功能层和电子功能层，如此可在空穴功能层的两侧分别设置第一电极和第三电极，以及在电子功能层的两侧设置第二电极和第四电极，第一电极和第三电极所形成的电场与第二电极和第四电极所形成的电场之间能够互不干扰，通过调节第一电极对应的偏转电压vg1的大小及正负，可以不同程度地增强或抑制空穴的注入能力，通过控制第二电极对应的偏转电压vg2的大小及正负，可以不同程度地增强或抑制电子注入的能力，以达到量子点发光器件所需的最佳载流子注入状态。附图说明22.图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；23.图2为图1中aa剖面的结构示意图；24.图3为本发明实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；25.图4为本发明其他实施例提供的量子点发光器件的结构示意图；26.图5为本发明实施例提供的量子点发光器件的制备方法的步骤流程图；27.图6～图11为本发明实施例提供的量子点发光器件的制备过程的结构示意图。具体实施方式28.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。29.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。30.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。31.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本技术的不同结构。为了简化本技术的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本技术。此外，本技术可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本技术提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。32.本发明针对现有的量子点发光器件，由于采用依次层叠的空穴传输层、量子点发光层、电子传输层结构，难以实现调控量子点发光层两侧的载流子注入能力，仅能实现调控单侧的载流子注入能力，导致两侧载流子的注入不平衡，进而导致器件的外量子效率低的问题，提出本实施例以克服该缺陷。33.请参阅图1，本发明实施例提供一种显示面板1000，所述显示面板1000包括阵列分布的多个像素单元，任一像素单元可包括颜色各异的多个子像素，如红色子像素、绿色子像素、以及蓝色子像素。所述显示面板1000还包括阵列分布的量子点发光器件100，任一量子点发光器件100对应一个子像素，可发出红色、绿色或者蓝色的光。34.其中，请参阅图2和图3，所述量子点发光器件100包括衬底10、第一电极20、第二电极30、第一绝缘层40、空穴功能层50、电子功能层60、第二绝缘层70、量子点发光层80、第三电极90、第四电极110、阳极120，以及阴极130。请参阅图2，所述量子点发光器件100设置于一衬底10上，所述量子点发光器件100上设置有第三绝缘层140，所述第三绝缘层140覆盖多个所述量子点发光器件100，以起到绝缘和保护量子点发光器件100的作用。所述第三绝缘层140的材料可为环氧树脂或者其他填充型绝缘材料，环氧树脂具有良好的绝缘性能。35.所述显示面板1000还包括像素驱动电路(图中未示出)，所述像素电路用于驱动所述量子点发光器件100发光。36.在一些实施例中，所述驱动电路可包括阵列分布的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管可设置于所述衬底10上，且电性连接所述量子点发光器件100，具体与所述量子点发光器件100的阳极120电性连接。37.所述薄膜晶体管可为金属氧化物薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管以及非晶硅薄膜晶体管中的任意一种。38.请参阅图3，所述第一电极20与所述第二电极30设置于所述衬底10上，所述第一电极20和所述第二电极30间隔设置，即所述第一电极20和所述第二电极30在所述衬底10的承载面方向上间隔一定距离设置。所述第一绝缘层40设置于所述第一电极20和第二电极30上，具体地，所述第一绝缘层40覆盖所述第一电极20和所述第二电极30。39.所述空穴功能层50设置于所述第一绝缘层40上，且与所述第一电极20对应，换言之，所述空穴功能层50在量子点发光器件100的厚度方向上与所述第一电极20具有交叠面，具体地，所述空穴功能层50在所述第一电极20上的正投影可位于所述第一电极20所在的区域内；所述电子功能层60设置于所述第一绝缘层40上，且与所述第二电极对30对应，换言之，所述电子功能层60在量子点发光器件100的厚度方向上与所述第二电极30具有交叠面，具体地，所述电子功能层60在所述第二电极30上的正投影可位于所述第二电极30所在的区域内。40.所述量子点发光层80设置于所述空穴功能层50和所述电子功能层60上。41.所述第三电极90设置于所述量子点发光层80上，且与所述第一电极20对应，换言之，所述第三电极90在量子点发光器件100的厚度方向上与所述第一电极20具有交叠面，具体地，所述第三电极90在所述第一电极20上的正投影可位于所述第一电极20所在的区域内；所述第四电极110设置于所述量子点发光层80上，与所述第二电极30对应，换言之，所述第四电极110在量子点发光器件100的厚度方向上与所述第二电极30具有交叠面，具体地，所述第四电极110在所述第二电极30上的正投影可位于所述第二电极30所在的区域内。其中，所述第一电极20和所述第三电极90用于形成电场，控制空穴的注入量；所述第二电极30和所述第四电极110用于形成电场，控制电子的注入量。42.本发明实施例通过将所述空穴功能层50和所述电子功能层60设置于所述量子点发光层80的同一侧，如此可在空穴功能层50的两侧分别设置第一电极20和第三电极90，以及在电子功能层60的两侧设置第二电极30和第四电极110，第一电极20和第三电极90所形成的电场与第二电极30和第四电极110所形成的电场之间互不干扰，进而可通过控制第一电极20对应的偏转电压vg1来改变空穴注入的能力，通过控制第二电极30对应的偏转电压vg2来改变电子注入的能力。43.具体地，自所述第一电极20指向所述量子点发光层80的方向，所述空穴功能层50包括层叠的第一金属层51和空穴传输层52。由于第一金属层51的功函数与空穴传输层52的材料的能级不匹配，在第一金属层51和空穴传输层52相互接触的界面处，空穴传输层52的能带弯曲，在界面处形成肖特基势垒。肖特基势垒随着材料本征载流子的热运动平衡后趋于稳定，但会随着外部条件的激发(电压、温度、光照等)而发生变化，通过对第一电极20和第三电极90施加偏转电压vg1，改变第一电极20和第三电极90的电压，来改变第一金属层51与空穴传输层52接触的界面处的肖特基势垒，改变空穴的注入能力。44.自所述第二电极30指向所述量子点发光层80的方向，所述电子功能层包括层叠的第二金属层61和电子传输层62。由于第二金属层61的功函数与电子传输层62的材料的能级不匹配，在第二金属层61和电子传输层62相互接触的界面处形成肖特基势垒。通过对第二电极30和第四电极110施加偏转电压vg2，改变第二电极30和第四电极110的电压，来改变第二金属层61与电子传输层62接触的界面处的肖特基势垒，改变电子的注入能力。45.vg1的电压等于第一电极20的电位与第三电极90的电位之差，对于空穴侧，当vg1＜0时，空穴在第一金属层51/空穴传输层52界面堆积，肖特基势垒变窄，空穴注入增强；vg2的电压等于第二电极30的电位与第四电极110的电位之差，对于电子侧，当vg2＞0时，电子在第二金属层61/电子传输层62界面堆积，肖特基势垒变窄，电子注入增强。46.可以理解的是，当施加的电压vg1＞0时，可抑制空穴的注入量；当施加的电压vg2＜0时，可抑制电子的注入能力，对于目前电子注入过多的问题，可通过施加相反的电压vg2来抑制电子的注入量，也能提高量子点发光器件的整体性能。47.请参阅图3，所述阳极120设置于所述第一金属层51的表面，以使得阳极120产生的空穴能够从第一金属层51注入，所述阴极130设置于所述第二金属层61表面，以使得阴极130产生的电子能够从第二金属层61注入。48.空穴从所述阳极120注入，经过所述第一金属层51进入空穴传输层52，到达所述量子点发光层80；电子从所述阴极130注入，经过所述第二金属层61进入电子传输层62，到达所述量子点发光层80，最后空穴和电子在量子点发光层80中复合发光。其中，所述第一电极20、第二电极30、第三电极90以及第四电极110不参与发光过程，仅用于调节肖特基势垒的大小，来改变载流子的注入能力。49.所述第三电极90的电位和第四电极110的电位可为固定电位，因此可只通过改变第一电极20的电位、第二电极30的电位，来达到对应改变电压vg1和电压vg2的目的。50.由于第一金属层51需要与阳极120接触，因此所述第一金属层51背离所述第一电极20的表面可预留出阳极接触区域，将所述阳极120设置于所述阳极接触区域内。51.可以理解的是，阳极120产生的空穴需要先经过第一金属层51再进入空穴传输层52，因此阳极120需与空穴传输层52间隔开。52.由于所述第二金属层61需要与阴极130接触，因此所述第二金属层61背离所述第二电极30的表面可预留出阴极接触区域，将所述阴极130设置于所述阴极接触区域内。53.可以理解的是，阴极130产生的电子需要先经过第二金属层61再进入电子传输层62，因此阳极120需与空穴传输层52间隔开。54.一种实施例中，可先形成空穴功能层50、电子功能层60以及量子点发光层80的膜层后，再经过刻蚀或腐蚀的方式去除量子点发光器件100的两侧的空穴传输层52、电子传输层62以及量子点发光层80的部分膜层，以露出第一金属层51部分表面以及第二金属层61部分表面，在相应的区域形成阳极接触区域和阴极接触区域，再在所述阳极接触区域形成阳极120，在所述阴极接触区域形成阴极130。55.第一金属层51和第二金属层61因含有大量自由电子，在一定程度上会屏蔽电场，因此第一金属层51和第二金属层61优选为多孔二维金属材料，可使得电场透过金属层/载流子传输层界面。56.所述第一金属层51和所述第二金属层61的材料包括碳纳米管(cnts)、金属银纳米线(agnws)中的任意一种。所述第一金属层51的材料优选为cnts，所述第二金属层61的材料优选为agnws。57.请参阅图3，在本实施例中，所述第一绝缘层40为连续性图案，不仅覆盖所述第一电极20和所述第二电极30，还填充所述第一电极20和所述第二电极30之间的间隙。58.请参阅图4，在其他实施例中，所述第一绝缘层40为不连续图案，在所述第一电极20和所述第二电极30之间的间隙处断开，所述第一电极20和所述第二电极30之间的间隙由第二绝缘层70填充。59.为了空穴功能层50和电子功能层60在功能上不相互干扰，因此所述空穴功能层50与所述电子功能层60之间不应具有交叠面，即所述空穴功能层50在所述量子点发光层80上的正投影与所述电子功能层60在所述量子点发光层80上的正投影不重叠。60.更进一步地，所述空穴功能层50与所述电子功能层60之间可设有第二绝缘层70，所述第二绝缘层70间隔开所述空穴功能层50和所述电子功能层60，以使得第二绝缘层70的左右两侧的膜层相互绝缘，避免左右两侧形成的电场之间相互干扰。61.具体地，所述空穴功能层50、所述电子功能层60以及所述第二绝缘层70均同层设置于所述第一绝缘层40上。62.所述空穴传输层52靠近所述量子点发光层80的一侧表面、所述电子传输层62靠近所述量子点发光层80的一侧表面，以及所述第二绝缘层70靠近所述量子点发光层80的一侧表面相互齐平。将所述空穴功能层50、所述电子功能层60以及所述第二绝缘层70的高度保持一致，以提供一个平坦的基底，便于量子点材料能够在平面上均匀地旋涂。63.所述空穴传输层52的材料包括nio、wo3、moo3等无机材料中的任意一种。64.所述电子传输层62的材料包括zno、sno2、mg:zno等无机材料中的任意一种。65.所述第二绝缘层70的材料和所述第一绝缘层40的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，pmma)、氧化铝(al2o3)等透明绝缘材料中的任意一种。66.由于需要保持所述空穴功能层50、所述电子功能层60以及所述第二绝缘层70的高度一致，而原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，对沉积膜厚度的调控可以达到纳米级别，因此原子层沉积技术可以解决保持膜层高度一致性的问题。由于原子沉积对沉积的物质限制较多，本发明实施例的第二绝缘层70的材料优选为al2o3。67.对应于所述第一电极20和所述第二电极30处的所述第一绝缘层40的厚度可为120～200纳米，以保证第一电极20、第二电极30与所述阳极120、阴极130之间无电流产生。68.所述第一绝缘层40可采用旋涂法、热蒸镀法或沉积法形成，这里不做限制。69.本发明实施例的量子点发光层80为电致发光层，其材料为核壳量子点材料，所述量子点发光层80的材料可为红色量子点发光材料、蓝色量子点发光材料、绿色量子点发光材料中的任意一种，包括但不限于cdznse/cdzns、cdznse/znse/zncds、cdznse/znse/zns中的任意一种。70.所述第一电极20和所述第二电极30的材料可为透明的氧化铟锡(ito)材料。71.所述衬底10作为基底使用，可为玻璃基板，也可为其他的透明基板，这里不做限制。72.请参阅图3和图5，基于上述实施例中的量子点发光器件100，本发明实施例还提供上述量子点发光器件100的制备方法，包括：s10，在衬底10上形成间隔设置的第一电极20和第二电极30；s20，在所述第一电极20和所述第二电极30上形成第一绝缘层40；s30，在对应所述第一电极20的区域形成空穴功能层50，在对应所述第二电极30的区域形成电子功能层60；s40，在所述空穴功能层50和所述电子功能层60上形成量子点发光层80；s50，在所述量子点发光层80上形成与所述第一电极20对应的第三电极90、与所述第二电极30对应的第四电极110。73.其中，所述空穴功能层50的制备包括：在所述第一绝缘层40上依次形成层叠的第一金属层51和空穴传输层52。74.所述电子功能层60的制备包括：在所述第一绝缘层40上依次形成层叠的第二金属层61和电子传输层62。75.所述制备方法还包括：在所述空穴功能层50和所述电子功能层60之间形成第二绝缘层。76.具体地，请参阅图6，首先在所述衬底10上沉积ito膜层，再对ito膜层进行图案化处理，以形成间隔的第一电极20和第二电极30。77.之后对形成有第一电极20和第二电极30的衬底10进行预处理：先后用去离子水、丙酮、无水乙醇对衬底10进行15min超声清洗。将清洗后的衬底10进行13～17min的紫外-臭氧(ultraviolet-ozone)处理以进一步清洁衬底10以及提高ito电极表面活性及表面功函数。78.然后在所述第一电极20和所述第二电极30上沉积第一绝缘层40，所述第一绝缘层40覆盖所述第一电极20和所述第二电极30，且填充所述第一电极20和所述第二电极30之间的间隙。79.其中所述第一绝缘层40的材料包括pmma、al2o3等透明绝缘材料，优选为al2o3，可采用原子层沉积法沉积一层作为第一绝缘层40。所述第一绝缘层40的厚度可为120～200nm，优选为150nm。80.请参阅图7，在所述第一绝缘层40的对应所述第一电极20的区域，沉积一层第一金属材料51’，在所述第一绝缘层40的对应所述第二电极30的区域沉积一层第二金属材料61’。其中第一金属材料51’和第二金属材料61’的沉积先后顺序不做限制。可采用真空蒸镀的方法来沉积金属材料，在相应区域沉积其中一种金属材料时，可利用掩模板将其他区域遮盖。81.其中，沉积的所述第一金属材料51’和第二金属材料61’之间间隔一定距离，以避免后续形成的第一金属层和第二金属层接触。82.可采用真空蒸镀的方法来沉积金属材料，在相应区域沉积其中一种金属材料时，可利用掩模板将其他区域遮盖。83.所述第一金属材料51’和所述第二金属材料61’均为多孔二维金属材料，所述第一金属材料51’和所述第二金属材料61’可为cnts、agnws中的任意一种，所述第一金属材料51’优选为cnts，所述第二金属材料61’优选为agnws。84.请参阅图8，然后，在所述第一金属材料51’上沉积空穴传输材料52’，在所述第二金属材料61’上沉积电子传输材料62’。其中，空穴传输材料52’和电子传输材料62’沉积的先后顺序不做限制。可采用真空蒸镀的方法来沉积载流子传输材料，在相应区域沉积其中一种载流子传输材料时，可利用掩模板将其他区域遮盖。85.沉积的所述空穴传输材料52’和电子传输材料62’之间间隔一定距离，以避免后续形成的空穴传输层和电子传输层接触。86.所述空穴传输材料52’包括nio、wo3、moo3等无机材料，优选为nio，所述空穴传输材料的沉积厚度优选为40nm。87.所述电子传输材料51’包括zno、sno2、mg:zno等无机材料，优选为zno。所述电子传输材料51’的沉积厚度优选为40nm。88.请参阅图9，在所述空穴传输材料52’与所述电子传输材料62’之间沉积第二绝缘层70，所述第二绝缘层70的材料优选为al2o3，采用原子层沉积法沉积al2o3，可对形成的第二绝缘层70的膜层厚度的调控达到纳米级别，从而控制第二绝缘层70的上表面与所述空穴传输材料52’的上表面、所述电子传输材料51’的上表面齐平，以提供一个平坦的基底来制备量子点发光层。89.请参阅图10，在所述第二绝缘层70上、所述空穴传输材料52’上、所述电子传输材料51’上涂布量子点发光材料80’，之后将涂布有量子点发光材料80’的衬底置于加热台上，再80℃下退火10min。所述量子点发光材料80’优选为cdznse/znse/zncds，所述量子点发光材料80’的厚度可为40nm。90.请参阅图11，可采用刻蚀或溶液腐蚀的方式去除部分的空穴传输材料52’、电子传输材料51’以及量子点发光材料80’，以形成阳极接触区101和阴极接触区域102、以及图案化的空穴传输层52、电子传输层62以及量子点发光层80。91.具体地，以溶液腐蚀的方式为例，将器件的具有空穴传输材料52’的第一端浸泡到分解液中，直至该第一端处的空穴传输材料52’和量子点发光材料80’溶解；将器件的具有电子传输材料62’的第二端浸泡到分解溶液中，直至该第二端处的电子传输材料62’和量子点发光材料80’被溶解，之后将器件置于加热台上加热以使得分解液挥发，分解液可为氯苯溶液，能够很好地溶解载流子传输层及量子点发光层中的物质，加热时间优选为5min，加热温度优选为80℃。92.所述制备方法还包括：在所述第一金属层51表面形成阳极120，以产生空穴；在所述第二金属层61上形成阴极130，以产生电子。93.请参阅图3，具体地，在去除空穴传输层、电子传输层以及量子点发光层的部分膜层后，利用真空蒸镀法分别在相应的区域沉积金属以形成阳极120、阴极130、第三电极90以及第四电极110。其中所述阳极120优选为au金属，所述阴极130优选为ag金属，所述第三电极90以及第四电极110优选为al金属，各个电极的膜层厚度优选为50nm。94.请参阅图2，最后，可在各个量子点发光器件100上及各个量子点发光器件100之间的间隙内形成第三绝缘层140，以起到绝缘和作用。95.本发明的实施例提供的量子点发光器件100及其制备方法、显示面板，在量子点发光层80的同一侧设置空穴功能层50和电子功能层60，如此可在空穴功能层50的两侧分别设置第一电极20和第三电极90，以及在电子功能层60的两侧设置第二电极30和第四电极110，第一电极20和第三电极90所形成的电场与第二电极30和第四电极110所形成的电场之间能够互不干扰，通过调节第一电极20对应的偏转电压vg1的大小及正负，可以不同程度地增强或抑制空穴的注入能力，通过控制第二电极30对应的偏转电压vg2的大小及正负，可以不同程度地增强或抑制电子注入的能力，以达到量子点发光器件100所需的最佳载流子注入状态。96.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。97.以上对本发明实施例所提供的一种量子点发光器件及其制备方法、显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。









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