监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法。背景技术：2.随着半导体集成电路制造技术的发展，晶圆生产过程中的关键缺陷尺寸也越来越小，很多缺陷在生成时难以被扫描机台捕捉到。而在形成双栅极(dual gate)时，栅氧化层的厚度多为10-1～100nm，常规的扫描机台很难捕捉到形成于100nm以下的栅氧化层中的缺陷(defect)，因此，在栅氧化层生长阶段也就很难监测到氧化物残留，且只有当后续多晶硅沉积上去使得缺陷放大才能使得缺陷被监测到，但为时已晚，缺陷已无法去除。3.在晶圆形成双栅极工艺流程中，对栅氧化层表面的光阻进行修剪作业时，会从高温冷却至低温，在这种情况下，晶圆表面会形成水汽化合物，而水汽化合物的存在会使得栅氧化层的刻蚀受到影响，从而形成氧化物残留。因此，对水汽化合物及时有效的监测和预防对氧化物残留的减少十分重要。技术实现要素：4.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，用于解决现有的双栅极易产生氧化物残留的问题。5.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：6.提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；7.于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；8.通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。9.可选地，在利用所述去离子水对所述栅氧化层进行清洗时的转速包括1800r/min～2200r/min。10.可选地，所述去离子水中包括二氧化碳。11.可选地，利用所述去离子水进行清洗的时间包括55s～65s。12.可选地，在利用所述去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后，所述方法还包括对漏出的所述栅氧化层进行刻蚀的步骤。13.可选地，对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后及进行刻蚀之前，所述方法还包括对形成有所述光刻胶层的晶圆进行干燥处理的步骤。14.可选地，通过采用氮气或惰性气体对所述晶圆进行干燥处理。15.可选地，通过甩干的方式对所述晶圆进行干燥处理。16.可选地，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。17.如上所述，本发明的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，通过在图案化处理光刻胶后设立扫描站点，对晶圆进行扫描以实现对水汽化合物的有效监测；利用去离子水对存在水汽化合物的晶圆进行冲洗，可有效避免氧化物残留的产生。而且由于去离子水价格便宜，对晶圆不会产生影响，因此，通过利用去离子水去除所述水汽化合物具有很高的经济性。附图说明18.图1显示为本发明的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法的流程图。具体实施方式19.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。20.请参阅图1。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。21.如图1所示，本实施例提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：22.提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；23.于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；24.通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。25.本实施例中，所述半导体衬底的材质包括硅或绝缘体上硅。在本实施例中，对所述光刻胶层进行图案化处理后，温度会由高温降为低温，从而于漏出的所述栅氧化层表面形成水汽化合物(condense)，而水汽化合物的存在会影响所述栅氧化层的刻蚀，使得所述栅氧化层的刻蚀无法进行而产生氧化物残留。而通过在刻蚀所述栅氧化层之前设立扫描站点，对形成有所述光刻胶层的晶圆进行扫描以监测是否有水汽化合物的存在，从而达到有效监测的目的，而对于存在水汽化合物的晶圆，通过利用去离子水进行清洗，以达到有效避免产生氧化物残留的目的。26.具体的，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。27.具体的，在利用所述去离子水对所述栅氧化层进行清洗时的转速包括1800r/min～2200r/min。28.本实施例中，在利用所述去离子水对所述栅氧化层进行清洗时的转速为2000r/min。29.具体的，所述去离子水中包括二氧化碳。本实施例中，所述二氧化碳的浓度为5西门子每平方厘米。30.具体的，利用所述去离子水进行清洗的时间包括55s～65s。31.本实施例中，利用所述去离子水进行清洗的时间可根据需要进行选择，可选地，本实施例中，清洗时间为50s。32.具体的，在利用所述去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后，所述方法还包括对漏出的所述栅氧化层进行刻蚀的步骤。33.具体的，对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后及进行刻蚀之前，所述方法还包括对形成有所述光刻胶层的晶圆进行干燥处理的步骤。34.在一示例中，通过采用氮气或惰性气体对所述晶圆进行干燥处理。本实施例中，所述惰性气体包括氩气或氦气。35.在另一示例中，通过甩干的方式对所述晶圆进行干燥处理。36.综上所述，本发明的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，通过在图案化处理光刻胶后设立扫描站点，对晶圆进行扫描以实现对水汽化合物的有效监测；利用去离子水对存在水汽化合物的晶圆进行冲洗，可有效避免氧化物残留的产生。而且由于去离子水价格便宜，对晶圆不会产生影响，因此，通过利用去离子水去除所述水汽化合物具有很高的经济性。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。37.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。技术特征：1.一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。2.根据权利要求1所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，在利用所述去离子水对所述栅氧化层进行清洗时的转速包括1800r/min～2200r/min。3.根据权利要求1所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，所述去离子水中包括二氧化碳。4.根据权利要求1所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，利用所述去离子水进行清洗的时间包括55s～65s。5.根据权利要求1～4任一项所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，在利用所述去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后，所述方法还包括对漏出的所述栅氧化层进行刻蚀的步骤。6.根据权利要求5所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，对漏出的所述栅氧化层进行清洗之后及进行刻蚀之前，所述方法还包括对形成有所述光刻胶层的晶圆进行干燥处理的步骤。7.根据权利要求6所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，通过采用氮气或惰性气体对所述晶圆进行干燥处理。8.根据权利要求6所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，通过甩干的方式对所述晶圆进行干燥处理。9.根据权利要求1所述的监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，其特征在于，所述栅氧化层的材质包括氧化硅。技术总结本发明提供一种监测和预防在双栅极产生氧化物残留的方法，所述方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括半导体衬底及形成于所述半导体衬底表面形成栅氧化层；于所述栅氧化层表面形成光刻胶层，并对其进行图案化处理以漏出需刻蚀掉的所述栅氧化层；通过扫描判断漏出的所述栅氧化层表面是否存在水汽化合物，若判断结果为是，利用去离子水对漏出的所述栅氧化层进行清洗。通过本发明解决了现有的双栅极易产生氧化物残留的问题。化物残留的问题。化物残留的问题。技术研发人员：何亮受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司技术研发日：2023.03.14技术公布日：2023/6/27









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