一种晶圆测试方法及装置与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术1.本技术涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种晶圆测试方法及装置。背景技术：2.晶圆针测(chip probing，cp)是指根据预设的参数规范，利用测试机台、针测机与探针卡之间的搭配组合对晶圆上每一个晶粒进行电性测试。目的是通过电性测试来判断每个晶粒的参数规范(例如，电压、电流和时序等)是否符合生产前预先设置的规范要求，以此筛选出不合格的晶粒，并通过打点工艺将其打掉。并在打点完成后，会在晶圆背后粘一层蓝膜以进行划片操作，使得晶圆上的每个晶粒分离。因此，通过cp测试可以减少划片操作的工艺成本。3.然而，在对晶圆背面粘了蓝膜后，经常会遇到需要对预先设置的规范要求进行更改的情况。例如，更新后的规范要求晶粒的工作电压更低，然而更新规范要求后，之前通过打点工艺保留的晶粒不一定均满足新的规范要求，此时就需要根据新的规范要求重新进行cp测试，但是蓝膜不具有导电性，因此粘了蓝膜的晶圆(也可以称为蓝膜片)无法直接进行cp测试，从而无法筛选出不符合新规范要求的晶粒。技术实现要素：4.本技术提供一种晶圆测试方法及装置，能够快速筛选出不符合新规范要求的晶粒，从而提高cp测试的效率。5.为了实现上述目的，第一方面，本技术提供一种激光测距传感器的校正方法，该方法包括：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果包括晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。6.在一种可能的实现方式中，第一测试结果包括第一图像，所述第一图像用于指示每个第一晶粒在晶圆上的位置，第二测试结果包括第二图像，第二图像用于指示每个第二晶粒在晶圆上的位置。第二图像的管芯坐标与第一图像的管芯坐标相同。7.在一种可能的实现方式中，根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，包括：根据第一图像的管芯坐标，新建第二图像；对第一图像中的每个第一坐标位置的标志进行检测；若第一坐标位置的标志为预设的第一标志，根据第二参数规范对处于第一坐标位置的晶粒的产品参数进行检测；若检测到晶粒的产品参数不符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为预设的第二标志；若检测到晶粒的产品参数符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志；若第一坐标位置的标志为第二标志，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志。8.在一种可能的实现方式中，当n大于0，且晶圆上粘有蓝膜时，该方法还包括：根据第二图像对晶圆进行补打点操作。9.在一种可能的实现方式中，根据第二图像对晶圆进行补打点操作，包括:根据第二图像中各个第二坐标位置的标志，对第一图像中与各个第二坐标位置对应的第一坐标位置的标志进行更新，得得到第三图像，第三图像的格式与第二图像的格式不同；根据第三图像对晶圆进行补打点操作。10.在一种可能的实现方式中，补打点操作包括：在晶圆底部设置圆片，圆片用于支撑蓝晶圆；在晶圆上，对处于第三图像中标志为第二标志的各个第一坐标位置的第二晶粒进行打点操作。11.在一种可能的实现方式中，该方法还包括：统计并输出第二晶粒的数量。12.第二方面，本技术提供一种晶圆测试装置，该装置包括：获取模块，用于获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果用于指示晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的位置信息，m≥1，m为整数；检测模块，用于根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果用于指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒的位置信息，0≤n≤m，n为整数。13.第三方面，本技术提供一种终端设备，包括：存储器、处理器以及存储在存储器中并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现如第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。14.第四方面，本技术提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。15.第五方面，本技术实施例提供了一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行上述第一方面或第一方面的任一可能的实现方式所述方法的步骤。16.本技术所提供的晶圆测试方法，由于根据晶圆的第一测试结果和第二参数规范可以直接对第一测试结果中符合第一参数规范的每个第一晶粒的产品参数进行二次检测，从而无需重复进行cp测试，因此能够快速筛选出不符合第二参数规范的第一晶粒，从而大大提高了cp测试的效率，也减少了芯片的生产时间。同时，也避免了在对晶圆背面贴了蓝膜的情况下，由于无法直接进行cp测试而无法筛选出不符合第二参数规范的晶粒的问题。附图说明17.图1为本技术实施例提供的一种产品为晶圆状态的示意图；18.图2为本技术实施例提供的一种产品为蓝膜片状态的示意图；19.图3为本技术实施例提供的一种晶圆测试方法的流程示意图；20.图4为本技术实施例提供的一种晶圆的第一测试结果的数据图；21.图5为本技术实施例提供的一种第二图像的示意图；22.图6为本技术实施例提供的一种第三图像的示意图；23.图7为本技术实施例提供的一种晶圆测试方法的另一流程示意图；24.图8为本技术实施例提供的一种晶圆测试装置的结构示意图；25.图9为本技术实施例提供的一种终端设备的结构示意图。具体实施方式26.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。27.应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。且在此本技术说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本技术。如在本技术说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。28.首先对晶圆针测(chip probing，cp)的过程进行说明，cp测试是指根据预设的参数规范，利用测试机台、针测机与探针卡之间的搭配组合对晶圆上每一个晶粒进行电性测试。目的是通过电性测试来判断每个晶粒的参数规范(例如，电压、电流和时序等)是否符合生产前预先设置的规范要求，以此筛选出不合格的晶粒。29.在晶圆完成cp测试之后，点墨设备会根据测试结果将晶圆上不符合规范要求的每个晶粒通过打点工艺将其打掉，使得保留下的晶粒均满足规范要以进行后续的划片操作。30.示例性的，如图1所示，为本技术实施例提供的一种产品为晶圆状态的示意图，其中，该晶圆已经根据预设的规范要求完成了cp测试，点墨设备也根据cp测试结果完成了对不符合规范要求的晶粒的打点操作。31.接下来对晶圆的划片操作进行说明，划片操作是指对晶圆上保留下的晶粒进行切割，使得每个晶粒成为独立的芯片，最后进行单独的封装。但是为了减少切割过程中晶粒所产生的崩碎，以及确保晶粒在正常传送过程中不会有位移和掉落的情况，通常会在切割之前，在晶圆背后粘一层蓝膜以避免这种情况。32.示例性的，如图2所示，为本技术实施例提供的一种产品为蓝膜片状态的示意图，其中，蓝膜片是点墨设备根据cp测试结果对晶圆完成打点后，并在晶圆背面粘有蓝膜后的晶圆。33.然而，在生产过程中，经常会遇到突发情况，需要更新预先设置的规范要求，因此需要对晶圆进行二次cp测试，增加时间了成本，且当在对晶圆背面粘了蓝膜后，由于蓝膜不具有导电性，因此粘了蓝膜的晶圆无法直接进行cp测试而无法筛选出不符合新规范要求的晶粒。34.为此，本技术提供一种晶圆测试方法，能够快速筛选出不符合新规范要求的晶粒，从而提高cp测试的效率。35.下面以具体地实施例对本技术的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。36.示例性的，如图3所示，为本技术实施例提供的一种晶圆测试方法的流程示意图，包括：37.s301：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果用于指示晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的位置信息，m≥1，m为整数。38.可以理解的是，第一测试结果是根据预先设置的第一参数规范对晶圆上每一个晶粒的产品参数进行检测后得到的结果。39.示例性的，如图4所示，为本技术实施例提供的一种晶圆的第一测试结果的示意图，例如，第一测试结果可以包括晶圆上每一个晶粒的第一坐标位置信息，以及处于该第一坐标位置上的晶粒的产品参数。40.示例性的，产品参数可以包括但不限于反向峰值电压(repetitive peak reverse voltage，vr)、反向电流(dc reverse current，ir)、正向压降(instantaneous forward voltage，vf)等。如图4所示，处于(-23，5)位置上的晶粒的vr为51.944v、ir为5.284μa、vf为0.506v；处于(-21，5)位置上的晶粒的vr为51.778v、ir反向电流值为5.216μa、vf为0.502v；处于(-20，5)位置上的晶粒的vr为51.594v、ir为5.306μa、vf正向压降值为0.499v；处于(-19，5)位置上的晶粒的vr为51.447v、ir为5.393μa、vf为0.498v；处于(-18，5)位置上的晶粒的vr为51.312、ir为5.416μa、vf为0.501v。41.可选的，如图4所示，晶圆的第一测试结果还可以包括晶圆上每一个晶粒的产品参数是否符合第一参数规范的指示信息。例如，在上述第一坐标位置的晶粒中，处于(-23，5)位置上的晶粒的产品参数不符合预先设置的第一参数规范，此时cp测试结果显示为false，并将(-23，5)位置上的标志设置为第二标志；处于(-20，5)位置上的晶粒的产品参数符合预先设置的第一参数规范，此时cp测试结果显示为true，并将(-20，5)位置上的标志设置为第一标志，同理可知，将处于(-21，5)位置上的晶粒的标志设置为第二标志；将处于(-19，5)位置上的晶粒的标志设置为第一标志；将处于(-18，5)位置上的标志设置为第二标志。42.可选的，第一标志和第二标志可以由任意不同的两个符号、数字或者字母表示。例如，在图4中，第一标志表示为1，第二标志表示为4，本技术实施例对此不做限制。43.s302：根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果用于指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒的位置信息，0≤n≤m，n为整数。44.可选的，第二参数规范可以是对第一参数规范中的任意一个或多个产品参数进行了更改。例如，第二参数规范可以是对第一参数规范中vr反向峰值电压做了更改的参数规范，也可以是对第一参数规范中vr反向峰值电压和ir反向电流均做了更改的参数规范，本技术实施例对此不做限制。45.例如，处于(-20，5)位置上的晶粒为第一晶粒，根据上述第一测试结果可知，其产品参数中的vr为51.594v、ir为5.306μa、vf正向压降值为0.499v。46.例如，处于(-19，5)位置上的晶粒为第一晶粒，根据上述第一测试结果可知，其产品参数中的vr为51.447v、ir为5.393μa、vf正向压降值为0.498v。47.假设，第二参数规范要求晶粒的vr的数值在[51.450v，51.650]区间内，由此对比可知，处于(-20，5)位置上的晶粒的vr符合第二参数规范；处于(-19，5)位置上的晶粒的vr不符合第二参数规范，即将处于(-19，5)位置上的晶粒改为第二晶粒。[0048]通过本技术所提供的晶圆测试方法，由于根据第一测试结果已经获知了晶圆的产品参数，如此，当更新第一参数规范后，可以通过数据对比直接将不符合第二参数规范的晶粒改为第二晶粒，无需再次测试，从而大大提高了cp测试的效率，也减少了芯片的生产时间。同时，也避免了在对晶圆背面贴了蓝膜的情况下，由于无法直接进行cp测试而无法筛选出不符合第二参数规范的晶粒的问题。[0049]在一个示例中，第一测试结果还可以包括第一图像，在第一图像上可知符合第一参数规范的晶粒和不符合第一参数规范的晶粒；第二测试结果包括第二图像，第二测试结果可以包括第二图像，第二图像可以用于指示每个第二晶粒在晶圆上的位置，第二图像的管芯坐标与第一图像的管芯坐标相同。[0050]其中，第二图像的可以是新建的图像图，即根据第一图像中的管芯坐标(即第一测试结果的数据中的第一坐标位置信息)在新建的表格中重新画制第二图像。[0051]可选的，新建的表格可以是任何可以进行图案绘制的表格，例如excel表格，本技术实施例对此不做限制。[0052]在一个示例中，根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果可以包括：根据第一图像的管芯坐标，新建第二图像；对第一图像中的每个第一坐标位置的标志进行检测；若第一坐标位置的标志为预设的第一标志，根据第二参数规范对处于第一坐标位置的晶粒的产品参数进行检测；若检测到晶粒的产品参数不符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为预设的第二标志；若检测到晶粒的产品参数符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志；若第一坐标位置的标志为第二标志，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志。[0053]示例性的，由图4可知处于(-20，5)位置上的晶粒的标志为第一标志(例如，标志为1)，因此当检测到处于(-20，5)位置上晶粒时，会根据第二参数规范对处于(-20，5)位置的晶粒的产品参数进行检测，若检测到该晶粒的产品参数不符合第二参数规范时，则将第二图像中的(-20，5)位置的标志设置为4；同理可知，当检测到处于(-19，5)位置上晶粒时，也会根据第二参数规范对处于(-19，5)位置的晶粒的产品参数进行检测，并根据检测结果，相应设置第二图像中的(-20，5)位置的标志；由图4可知处于(-23，5)位置上晶粒的坐标位置的标志为4，因此当检测到处于(-23，5)位置上晶粒时，则将第二图像中的(-23，5)位置的标志设置为1；同理可知，当检测到处于(-18，5)位置上晶粒时，则将第二图像中的(-18，5)位置的标志设置为1。[0054]示例性的，如图5所示，为本技术实施例提供的一种第二图像的示意图，在图5中，第一标志表示为1，第二标志表示为4。其中，第一标志在第二图像中表示所有第一晶粒中符合第二参数规范的第一晶粒以及已经完成打点的晶粒(其中已经完成打点的晶粒可以描述为不符合第一参数规范的晶粒)；第二标志在第二图像中表示所有第一晶粒中不符合第二参数规范的晶粒，也可以理解为第二标志用于表示在第二图像中需要打掉的晶粒。[0055]在一个示例中，当n大于0时，且晶圆上粘有蓝膜时，上述方法还包括：点墨设备可以根据第二图像对晶圆进行补打点操作。由于第二图像是新建的图，第二图像的格式可能无法被点墨设备识别，因此，需要对第二图像的格式进行转换。[0056]在一个示例中，可以直接利用第一图像的格式，即将第二图像的内容直接覆盖到第一图像的格式中，得到第三图像，以使得点墨设备可以根据第三图像对晶圆进行补打点操作。[0057]其中，将第二图像的内容直接覆盖到第一图像的格式中，得到第三图像的具体操作可以是：打开第一图像的txt文本格式的数据，将该数据复制到新建的excel表格中，并将txt格式的数据分列到独立的单元格中；再根据特征点将分列后的第一图像与第二图像对齐，最后将第二图像的单元格的内容覆盖到txt分列的单元格中，由此完成将第二图像的内容覆盖到第一图像的格式中的操作，最终得到txt格式的第三图像。[0058]示例性的，如图6所示，为本技术实施例提供的一种第三图像的示意图，其中，在txt格式的第三图像中，第一标志表示为1，第二标志表示为x。[0059]示例性的，在本技术实施例中，所有的数据处理均使用的是excel中宏语言功能(visual basic for applications，vba)。[0060]可选的，数据处理也可以采用c语言、(visual basic，vb)编程语言等进行处理，本技术实施例对此不做限制。[0061]可以理解的是，将txt格式的第三图像输入至点墨设备中，点墨设备识别第三图像中的内容后，会依次对第三图像中每个晶粒的坐标位置的标志进行检测，当检测到坐标位置的标志为1时，则跳过该晶粒，依次对下一个晶粒的坐标位置的标志进行检测；当检测到坐标位置的标志为x时，对处于该坐标位置的晶粒执行打点操作，以此完成对处于第三图像中标志为x的各个第二晶粒的打点操作。[0062]在另一个示例中，第二图像还可以是由第一图像直接转换得到的。即把第一图像中的第一标志更新为第二标志。这种情况下，由于是对第一图像内容更新，生成的第二图像，因此第二图像与第一图像的格式相同，可以直接输入到点墨设备中，以使得点墨设备对晶圆进行补打点操作。[0063]其中，由于蓝膜片(即晶圆上粘有蓝膜的晶圆)会因承片台真空发生形变，损伤晶粒的管芯进而无法正常进行补打点操作，因此在对蓝膜片进行补打点操作之前，需要在蓝膜片底部设置圆片，圆片可以用于支撑蓝膜片。[0064]除此之外，若点墨设备作业过程中需要烘干工艺时，则需要注意缩短工艺时间。[0065]可选的，当n大于0时，点墨设备还可以根据第二图像对打点后的晶圆进行补打点操作，根据第二图像对晶圆进行补打点的操作原理与上述的描述相同，此处不再赘述。[0066]由此可知，利用本技术提供的晶圆测试方法，不仅能够根据第一图像的格式和第二图像的内容，得到一个点墨设备可以识别的新建的第三图像，还能直接将第一图像中的第一标志更新为第二标志，得到格式相同的第二图像，以使得点墨设备可以识别完成打点操作。[0067]在一个示例中，如图7所示，为本技术实施例提供的一种晶圆测试方法的另一流程示意图，包括：[0068]s701：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果包括晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；[0069]s702：根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。[0070]s703：统计并输出第二晶粒的数量信息。[0071]通过设置输出第二晶粒的数量可以更加直观的知晓符合第二参数规范的晶粒数量，还可以有利于对晶圆进行补打点操作后，对剩余晶粒数量的审核，以此提高产品的合格率。[0072]应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本技术实施例的实施过程构成任何限定。[0073]基于同一发明构思，作为对上述方法的实现，本技术实施例提供了一种晶圆测试装置，该装置实施例与前述方法实施例对应，为便于阅读，本装置实施例不再对前述方法实施例中的细节内容进行逐一赘述，但应当明确，本实施例中的装置能够对应实现前述方法实施例中的全部内容。[0074]图8为本技术实施例提供的晶圆测试装置的结构示意图，如图8所示，本实施例提供的晶圆测试装置包括：获取模块801、检测模块802。[0075]获取模块801，用于获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果用于指示晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的位置信息，m≥1，m为整数；[0076]检测模块802，用于根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果用于指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒的位置信息，0≤n≤m，n为整数。[0077]可选的，第一测试结果包括第一图像，第一图像用于指示每个第一晶粒在晶圆上的位置，第二测试结果包括第二图像，第二图像用于指示每个第二晶粒在晶圆上的位置。第二图像的管芯坐标与第一图像的管芯坐标相同。[0078]可选的，根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，包括：根据第一图像的管芯坐标，新建第二图像；对第一图像中的每个第一坐标位置的标志进行检测；若第一坐标位置的标志为预设的第一标志，根据第二参数规范对处于第一坐标位置的晶粒的产品参数进行检测；若检测到晶粒的产品参数不符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为预设的第二标志；若检测到晶粒的产品参数符合第二参数规范，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志；若第一坐标位置的标志为第二标志，则将第二图像中与第一坐标位置对应的第二坐标位置的标志设置为第一标志。[0079]可选的，当n大于0时，且晶圆上粘有蓝膜时，该方法还包括：根据第二图像对晶圆进行补打点操作。[0080]可选的，根据第二图像对晶圆进行补打点操作，包括：根据第二图像中各个第二坐标位置的标志，对第一图像中与各个第二坐标位置对应的第一坐标位置的标志进行更新，得得到第三图像，第三图像的格式与第二图像的格式不同；根据第三图像对晶圆进行补打点操作。[0081]可选的，补打点操作包括：在晶圆底部设置圆片，圆片用于支撑蓝晶圆；在晶圆上，对处于第三图像中标志为第二标志的各个第一坐标位置的第二晶粒进行打点操作。[0082]可选的，该方法还包括：统计并输出第二晶粒的数量。[0083]本实施例提供的晶圆测试装置可以执行上述方法实施例，其实现原理与技术效果类似，此处不再赘述。[0084]在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。[0085]基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种终端设备。如图9所示，该实施例的终端设备90包括：处理器900、存储器901以及存储在所述存储器901中并可在所述处理器900上运行的计算机程序902。所述处理器900执行所述计算机程序902时实现上述各个晶圆测试方法实施例中的步骤，例如图1所示，或者所述处理器900执行所述计算机程序902时实现上述各装置实施例中各模块/单元的功能，例如图8所示获取模块801至检测模块802的功能。[0086]示例性的，所述计算机程序902可以被分割成一个或多个模块/单元，所述一个或者多个模块/单元被存储在所述存储器901中，并由所述处理器900执行，以完成本技术。所述一个或多个模块/单元可以是能够完成特定功能的一系列计算机程序指令段，该指令段用于描述所述计算机程序902在所述终端设备90中的执行过程。[0087]本领域技术人员可以理解，图9仅仅是终端设备90的示例，并不构成对终端设备90的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件，例如所述终端设备90还可以包括输入输出设备、网络接入设备、总线等。[0088]所述处理器900可以是中央处理单元(central processing unit，cpu)，还可以是其它通用处理器、数字信号处理器(digital signal processor，dsp)、专用集成电路(application specific integrated circuit，asic)、现场可编程门阵列(field-programmable gate array，fpga)或者其它可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。[0089]所述存储器901可以是所述终端设备90的内部存储单元，例如终端设备90的硬盘或内存。所述存储器901也可以是所述终端设备90的外部存储设备，例如所述终端设备90上配备的插接式硬盘，智能存储卡(smart media card，smc)，安全数字(secure digital，sd)卡，闪存卡(flash card)等。进一步地，所述存储器901还可以既包括所述终端设备90的内部存储单元也包括外部存储设备。所述存储器901用于存储所述计算机程序以及所述终端设备90所需的其它程序和数据。所述存储器901还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。[0090]本实施例提供的终端设备可以执行上述方法实施例，其实现原理与技术效果类似，此处不再赘述。[0091]本技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述方法实施例所述的方法。[0092]本技术实施例还提供一种计算机程序产品，当计算机程序产品在终端设备上运行时，使得终端设备执行时实现上述方法实施例所述的方法。[0093]上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术实现上述实施例方法中的全部或部分流程，可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一计算机可读存储介质中，该计算机程序在被处理器执行时，可实现上述各个方法实施例的步骤。其中，所述计算机程序包括计算机程序代码，所述计算机程序代码可以为源代码形式、对象代码形式、可执行文件或某些中间形式等。所述计算机可读存储介质至少可以包括：能够将计算机程序代码携带到拍照装置/终端设备的任何实体或装置、记录介质、计算机存储器、只读存储器(read-only memory，rom)、随机存取存储器(random access memory，ram)、电载波信号、电信信号以及软件分发介质。例如u盘、移动硬盘、磁碟或者光盘等。在某些司法管辖区，根据立法和专利实践，计算机可读介质不可以是电载波信号和电信信号。[0094]在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。[0095]本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、或者计算机软件和电子硬件的结合来实现。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本技术的范围。[0096]在本技术所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置/设备和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置/设备实施例仅仅是示意性的，例如，所述模块或单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通讯连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通讯连接，可以是电性，机械或其它的形式。[0097]应当理解，当在本技术说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。[0098]还应当理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。[0099]另外，在本技术说明书和所附权利要求书的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。[0100]在本技术说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本技术的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。[0101]最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。









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