用于处理基板的装置和用于处理基板的方法与流程 专利技术说明

电气元件制品的制造及其应用技术用于处理基板的装置和用于处理基板的方法1.相关申请的交叉引用2.本技术要求于2021年12月24日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0186952和2022年02月15日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2022-0019253的韩国专利申请的优先权和权益，它们的全部内容通过引用结合在本技术中。技术领域3.本发明为关于一种用于处理基板的装置及用于处理基板的方法，更特别地，为关于一种用于处理基板的装置及可以通过供应液体至基板来用液体处理基板的用于处理基板的方法。背景技术：4.一般而言，为了制造半导体装置，执行诸如光工艺、蚀刻工艺、离子植入工艺、及沉积工艺的各种工艺。5.在执行工艺中的每一者的过程中，产生诸如颗粒、有机污染物、及金属杂质的各种异物。产生的异物可以导致基板中的缺陷，并作为直接影响半导体装置的性能及产率的因子发挥作用。因此，在执行半导体装置的制造工艺之前及之后，执行移除残留于基板上的异物的清洁工艺。6.清洁工艺包括使用化学品移除残留于基板上的异物的步骤、使用诸如去离子水(deionized water；diw)的清洁液移除残留于基板上的化学品的步骤、使用表面张力低于清洁液的有机溶剂移除残留于基板上的清洁液的步骤、及干燥残留于基板的表面上的有机溶剂的步骤。7.在执行清洁工艺的过程中使用的各种液体具有流动性。因此，在转移基板以执行干燥步骤时，存在供应至基板的液体可能偏离基板的问题。此外，当将过量的液体供应至基板以移除残留于基板上的颗粒时，供应至基板的液体可能偏离基板。偏离基板的液体充当污染源，其在转移基板的过程中或由于残留于腔室中的液体而污染后续基板。技术实现要素：8.本发明致力于提供一种能够有效地清洁基板的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。9.本发明也致力于提供一种能够使供应至基板的液体从基板的上边缘区的偏差最小化的用于处理基板的装置及用于处理基板的方法。10.本发明的目的不限于此，一般技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其他目的。11.本发明的示例性实施方案提供一种用于处理基板的方法，该方法包括用液体处理基板，并干燥经液体处理的基板。液体处理步骤包括将第一液体供应至旋转基板的上表面的第一液体供应步骤、及将第二液体供应至旋转基板的上表面的第二液体供应步骤，且在第二液体供应步骤中，调整基板的旋转速度，使得供应至基板上的第二液体仅从基板的中心区流动至基板的边缘区。12.根据示例性实施方案，第二液体供应步骤包括用第二液体替换供应至基板的第一液体的替换步骤、补偿供应至基板的第二液体的量的补偿步骤、及通过在感应速度范围内改变基板的旋转速度来感应供应至基板的第二液体仅流动至基板的边缘区的感应步骤。13.根据示例性实施方案，第一清洁腔室可以包括配置为支承并旋转基板的支承单元、配置为清洁由支承单元支承的基板的刷子单元、及配置为将处理液体供应至由支承单元支承的基板的液体供应单元。14.根据示例性实施方案，感应步骤包括将第二液体供应至以第一感应速度旋转的基板的第一感应步骤，及停止对基板的第二液体的供应及旋转基板的第二感应步骤。15.根据示例性实施方案，在第二感应步骤中，基板的旋转速度从第一感应速度改变为第二感应速度，且第一感应速度比第二感应转速快。16.根据示例性实施方案，在替换步骤中，将第二液体供应至以第一速度旋转的基板，且在补偿步骤中，将第二液体供应至以第二速度旋转的基板，且第一速度比第二速度快。17.根据示例性实施方案，第二速度比第一感应速度快。18.根据示例性实施方案，第二速度为限制供应至基板的第二液体流动至基板的后表面的速度。19.根据示例性实施方案，在第二液体供应步骤中，第二液体仅流动至基板的上边缘区。20.根据示例性实施方案，干燥步骤通过超临界流体执行，且第二溶液具有比第一溶液更高的超临界流体溶解度。21.根据示例性实施方案，在支承基板的后边缘区的状态下执行干燥步骤。22.根据示例性实施方案，在液体处理腔室中执行液体处理步骤，在干燥腔室中执行干燥步骤，且在液体处理腔室中，通过转移机械手将在其上完成液体处理的基板转移至干燥腔室。23.本发明的另一示例性实施方案提供一种用于处理基板的装置，该装置包括配置为通过将液体供应至基板来用液体处理基板的液体处理腔室、配置为从基板移除液体的干燥腔室、配置为在液体处理腔室与干燥腔室之间转移基板的转移单元、及配置为控制液体处理腔室、干燥腔室、及转移单元的控制器。液体处理腔室包括具有内部空间的壳体、配置为在内部空间中支承及旋转基板的支承单元、及配置为将液体供应至放置于支承单元上的基板的上表面的液体供应单元，且液体供应单元包括：配置为将第一液体供应至基板的第一液体供应喷嘴，及配置为将第二液体供应至基板的第二液体供应喷嘴，且控制器配置为分别控制第一液体供应喷嘴及第二液体供应喷嘴，从而将第一流体供应至基板，且将第二液体供应至供应有第一液体的基板，并在将第二液体供应至基板期间通过调整基板的旋转速度来控制支承单元，使得供应至基板的第二液体仅流动至基板的边缘区。24.根据示例性实施方案，控制器控制支承单元，使得在将第二液体供应至基板期间，基板的旋转速度从第一速度改变至比第一速度慢的感应速度，且感应速度为供应至基板的第二液体仅流动至基板的上边缘区的速度。25.根据示例性实施方案，感应速度包括第一感应速度及比第一感应速度慢的第二感应速度，且控制器控制支承单元，使得基板的旋转速度以第一速度、第一感应速度、及第二感应速度依序改变。26.根据示例性实施方案，控制器控制第二液体供应喷嘴，使得在基板以第一速度、第一感应速度及第二感应速度中的第一速度及第一感应速度旋转期间，将第二液体供应至基板。27.根据示例性实施方案，控制器控制支承单元，使得基板的旋转速度改变为第一速度与感应速度之间的、比第一速度慢并比感应速度快的第二速度。28.根据示例性实施方案，控制器控制第二液体供应喷嘴，从而在基板以第二速度旋转期间将第二液体供应至基板。29.根据示例性实施方案，干燥腔室包括用于支承基板的支承件，且支承件支承基板的后边缘区，液体处理在基板上完成。30.根据示例性实施方案，在干燥腔室中，使用超临界流体从基板移除第二液体，且第二液体具有比第一液体更高的超临界流体溶解度。31.此外，本发明的另一示例性实施方案提供一种用于处理基板的方法，该方法包括液体处理步骤，在液体处理腔室中通过将液体供应至基板来用液体处理基板；及干燥步骤，在干燥腔室中使用超临界流体从经液体处理的基板移除液体。液体处理步骤包括：第一液体供应步骤，将第一液体供应至旋转基板的上表面；及第二液体供应步骤，将第二液体供应至旋转基板的上表面，且在第二液体供应步骤中，在将第二液体供应至基板期间，基板的旋转速度从第一速度改变为比第一速度慢的第二速度，从第二速度改变为比第二速度慢的第一感应速度，及从第一感应速度改变为比第一感应速度慢的第二感应速度，使得供应至基板的第二液体经感应，以仅流动至上表面的边缘区，且在第二液体供应步骤中，在基板以第一速度、第二速度、第一感应速度、及第二感应速度中的第一速度、第二速度及第一感应速度旋转的同时，供应供应至基板的第二流体。32.根据本发明的示例性实施方案，有效地清洁基板是可能的。33.此外，根据本发明的示例性实施方案，使供应至基板的液体从基板的上边缘区偏差最小化是可能的。34.本发明的效果不限于上述效果，本领域技术人员将从本说明书及附图中清楚地理解未提及的效果。附图说明35.图1为示意性示出了根据本发明的用于处理基板的装置的一实施方案的视图。36.图2为示意性示出了图1的液体处理腔室的一实施方案的视图。37.图3为示意性示出了图1的干燥腔室的一实施方案的视图。38.图4为根据本发明的一实施方案的用于处理基板的方法的流程图。39.图5为示意性示出了根据图4的一实施方案的在第一液体供应步骤中处理基板的状态的视图。40.图6为根据图4的一实施方案的第二液体供应步骤的流程图。41.图7为示出了图6的第二液体供应步骤中的基板的旋转速度的一实施方案的视图。42.图8为示意性示出了根据图6的一实施方案的在替换步骤中处理基板的状态的视图。43.图9为示意性示出了根据图6的一实施方案在补偿步骤中处理基板的状态的视图。44.图10为示意性示出了根据图6的一实施方案的在第一感应步骤中处理基板的状态的视图。45.图11及图12为示意性示出了根据图6的一实施方案的在第二感应步骤中处理基板的状态的视图。46.图13为示意性示出了图6的第二液体供应步骤完成的基板的状态的视图。47.图14为示意性示出了根据图4的一实施方案的在转移步骤中转移基板的状态的示意图。48.图15及图16为示意性示出了根据图4的一实施方案的在干燥步骤中处理基板的状态的视图。49.【符号说明】50.1:装置；2:第一方向；4:第二方向；6:第三方向；10:索引模块；20:处理模块；30:控制器；120:装载端口；140:索引框架；142:索引轨道；144:索引机械手；146:索引手部；220:缓冲单元；240:转移框架；242:导引轨道；244:转移机械手；246:转移手部；300:液体处理腔室；310:壳体；320:处理容器；321:导引壁；323:收集罐；323a:第一入口；323b:第一出口；323c:收集管线；325:收集罐；325a:第二入口；325b:第二出口；325c:收集管线；327:收集罐；327a:第三入口；327b:第三出口；327c:收集管线；330:支承单元；331:旋转卡盘；333:支承销；335:卡盘销；337:旋转轴；339:驱动器；340:液体供应单元；341:支承杆；342:臂；343:驱动器；344:第一液体供应喷嘴；345:第二液体供应喷嘴；346:第三液体供应喷嘴；350:提升单元；360:气流供应单元；370:排气单元；400:干燥腔室；401:内部空间；410:壳体；412:第一主体；414:第二主体；416:提升构件；417:提升罐；418:提升杆；419:加热器；430:支承件；432:固定杆；434:保持器；450:流体供应单元；451:主供应线；452:第一分支线；453:第一阀；454:第二分支线；455:第二阀；460:排气管线；470:阻挡板；472:支承件；d1:第一厚度；d2:第二厚度；f:容器；l1:第一液体；l2:第二液体；s10:液体处理步骤；s12:第一液体供应步骤；s14:第二液体供应步骤；51.s20:转移步骤；s30:干燥步骤；s141:替换步骤；s143:补偿步骤；s145:感应步骤；s147:第一感应步骤；s149:第二感应步骤；v1:第一速度；v2:第二速度；v3:第一感应速度；v4:第二感应速度；w:基板。具体实施方式52.以下将参考附图更详细地描述本发明的示例性实施方案。可以各种形式修改本发明的示例性实施方案，且不应将本发明的范围解译为受下述示例性实施方案的限制。提供本示例性实施方案是为了向本领域技术人员更全面地解释本发明。因此，附图中组件的形状经夸大以强调更清晰的描述。53.诸如第一及第二的术语用于描述各种组成组件，但组成组件不受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个组成组件与另一组成组件。举例而言，在不脱离本发明的范围的情况下，可以将第一组成组件命名为第二组成组件，且类似地，可以将第二组成组件命名为第一组成组件。54.根据示例性实施方案，将描述通过将诸如清洁液的液体供应至基板w来用液体处理基板w的工艺作为实施例。然而，这一实施方案不限于清洁工艺，且可以适于使用液体处理基板w的各种工艺，诸如蚀刻工艺、灰化工艺、或显影工艺。55.以下将参考图1至图16详细描述本发明的一实施方案。根据本发明的一实施方案的用于处理基板的装置1可以执行清洁工艺，包括使用工艺流体干燥基板w的干燥工艺。56.图1为示意性示出了根据本发明的用于处理基板的装置的一实施方案的视图。参考图1，用于处理基板的装置1包括索引模块10及处理模块20。根据示例性实施方案，索引模块10与处理模块20在一个方向上布置。以下将索引模块10及处理模块20的布置方向界定为第一方向2。当从顶部观察时，将垂直于第一方向2的方向界定为第二方向4，将垂直于包括第一方向2及第二方向4的平面的方向界定为第三方向6。57.索引模块10将基板w从容纳有基板w的容器f转移至处理模块20以处理基板w。索引模块10将已在处理模块20中经处理的基板w容纳于容器f中。索引模块10的纵向方向在第二方向4上设置。索引模块10具有装载端口120及索引框架140。58.容纳有基板w的容器f安置于装载端口120中。装载端口120布置于处理模块20的基于索引框架140的一相对侧上。可以配置多个装载端口120。多个装载端口120可以在第二方向4上配置成一直线。装载端口120的数目可以根据处理模块20的工艺效率及占地面积条件而增加或减少。59.在容器f中形成多个槽(未示出)。槽(未示出)可以基板w相对于地面水平配置的状态容纳基板w。可以使用诸如前开式统一舱(front opening unified pod；foup)的密封容器作为容器f。容器f可以由操作者或诸如高架传输机、高架输送机、或自动导引车辆的传输构件(未示出)放置于装载端口120中。60.索引轨道142及索引机械手144设置于索引框架140内部。索引轨道142的纵向方向沿索引框架140中的第二方向4设置。索引机械手144可以转移基板w。索引机械手144可以在索引模块10与下述缓冲单元220之间转移基板w。61.索引机械手144包括索引手部146。基板w安置于索引手部146上。索引手部146设置成在索引轨道142上可以在第二方向4上移动。因此，索引手部146可以沿索引轨道142向前及向后移动。此外，索引手部可以设置成可以第三方向6为轴旋转。此外，索引手部146可以设置成可以在第三方向6上垂直移动。可以设置多个索引手部146。多个索引手部146可以设置成在垂直方向上彼此间隔开。多个索引手部146可以向前及向后移动，并彼此独立地旋转。62.控制器30可以控制用于处理基板的装置1。控制器30具有由执行用于处理基板的装置1的控制的微处理器(即，计算机)、操作者经由其执行命令输入操作以管理用于处理基板的装置1的键盘、由可视化并显示用于处理基板的装置1的操作状态的显示器组成的用户接口、及存储用于在工艺控制器的控制下执行在用于处理基板的装置1中执行的处理的控工艺式的存储单元、或用于根据各种数据及处理条件(即，处理配方)在各个组件中执行处理的程序。此外，用户接口及存储单元可以连接至工艺控制器。处理配方可以存储于存储单元的存储媒体中，且存储媒体可以为硬盘、诸如cd-rom或dvd的可携式硬盘、或诸如闪存的半导体内存。63.控制器30可以控制用于处理基板的装置1，以执行用于下述处理基板的方法。举例而言，控制器30可以通过控制设置于下述液体处理腔室300中的组件来执行下述用于处理基板的方法。64.处理模块20包括缓冲单元220、转移框架240、液体处理腔室300、及干燥腔室400。缓冲单元220提供缓冲空间，带入处理模块20中的基板w及从处理模块20取出的基板w暂时停留于缓冲空间中。转移框架240提供用于在缓冲单元220、液体处理腔室300、及干燥腔室400之间转移基板w的转移空间。65.液体处理腔室300可以通过将液体供应至基板w来执行用液体处理基板w的液体处理工艺。干燥腔室400可以执行干燥处理以移除残留于基板w上的液体。液体处理腔室300及干燥腔室400可以执行清洁工艺。可以按照液体处理腔室300及干燥腔室400的次序执行清洁工艺。举例而言，在液体处理腔室300中，基板w可以通过对基板w供应化学品、冲洗液、及/或有机溶剂来进行处理。举例而言，在干燥腔室400中，可以使用超临界流体执行干燥处理以移除残留于基板w上的液体。66.缓冲单元220可以布置于索引框架140与转移框架240之间。缓冲单元220可以布置于转移框架240的一个末端上。缓冲单元220内部设置有将基板w放置于其上的槽(未示出)。设置有多个槽(未示出)。多个槽(未示出)可以在第三方向6上彼此间隔开。在缓冲单元220中，正面及背面是打开的。前表面可以是面对索引模块10的表面，后表面可以是面对承载框架240的表面。索引机械手144可以经由前表面存取缓冲单元220，且以下将描述可以经由后表面存取缓冲单元220的转移机械手244。67.转移框架240的长度方向可以沿第一方向2设置。液体处理腔室300及干燥腔室400可以布置于转移框架240的相对两侧上。液体处理腔室300及干燥腔室400可以布置于转移框架240的侧部中。转移框架240及液体处理腔室300在第二方向4上布置。此外，转移框架240及干燥腔室400可以在第二方向4上布置。68.根据示例性实施方案，液体处理腔室300布置于转移框架240的相对两侧上，且干燥腔室400布置于转移框架240的相对两侧上。液体处理腔室300可以布置于比干燥腔室400相对靠近缓冲单元220的位置处。液体处理腔室300可以在转移框架240的一侧中在第一方向2与第三方向6上以a×b的数组(a及b中的各者均为1或大于1的自然数)设置。此处，a为在第一方向2上设置成一直线的液体处理腔室300的数目，b为在第三方向6上设置成一直线的液体处理腔室300的数目。举例而言，当在转移框架240的一侧中设置四个液体处理腔室时，液体处理腔室300可以2×2的数组配置。液体处理腔室的数目可以增加或减少。与上述描述不同，液体处理腔室300可以仅设置于转移框架240的一侧中，且仅干燥腔室400可以布置于与一侧相对的另一侧中。此外，液体处理腔室300及干燥腔室400可以设置于转移框架240的一侧及相对两侧中的单个层中。69.转移框架240具有导引轨道242及转移机械手244。导引轨道242的长度方向在第一方向2上设置于转移框架240中。转移机械手244可以设置成在导引轨道242上可以在第一方向2上线性移动。转移机械手244在缓冲单元220、液体处理腔室300、及干燥腔室400之间转移基板w。70.转移机械手244包括转移手部246，基板w放置于转移手部246上。转移手部246可以设置成在导引轨道242上可以在第一方向2上移动。因此，转移手部246可以沿导引轨道242向前及向后移动。此外，转移手部246可以设置成绕第三方向6作为轴旋转，并可以在第三方向6上移动。可以设置多个转移手部246。多个转移手部246可以设置成在垂直方向上彼此间隔开。多个转移手部246可以向前及向后移动，并彼此独立地旋转。71.液体处理腔室300在基板w上执行液体处理工艺。举例而言，液体处理腔室300可以是执行移除附着于基板w上的工艺副产物的清洁工艺的腔室。液体处理腔室300可以具有不同的结构，这取决于处理基板w的工艺的类型。或者，液体处理腔室300中的各者可以具有相同的结构。72.图2为示意性示出图1的液体处理腔室的一实施方案的视图。参考图2，液体处理腔室300包括壳体310、处理容器320、支承单元330、及液体供应单元340。73.壳体310具有内部空间。壳体310设置成大体矩形的平行六面体形状。在壳体310的一侧中形成开口(未示出)。开口(未示出)用作入口，基板w经由入口通过转移机械手244带入或带出壳体310的内部空间。处理容器320、支承单元330、及液体供应单元340布置于壳体310的内部空间中。74.处理容器320具有上部打开的处理空间。处理容器320可以是具有处理空间的碗。处理容器320可以设置成围绕处理空间。处理容器320的处理空间设置为一空间，其中下述支承单元330支承并旋转基板w。处理空间设置为一空间，其中后述液体供应单元340将液体供应至基板w并对基板w进行处理。75.根据示例性实施方案，处理容器320可以具有导引壁321及多个收集罐323、325及327。收集罐323、325及327中的各者自用于处理基板w的液体分离并收集不同的液体。收集罐323、325及327中的各者可以具有用于收集用于处理基板w的液体的收集空间。76.导引壁321及收集罐323、325、及327以围绕支承单元330的圆环形状设置。当将液体供应至基板w时，通过基板w的旋转而散射的液体可以经由下述收集罐323、325及327中的各者的入口，也就是说，收集罐323、325及327引入收集空间中。不同类型的液体可以引入收集罐323、325及327中的各者中。77.处理容器320具有导引壁321、第一收集罐323、第二收集罐325、及第三收集罐327。导引壁321以围绕支承单元330的圆环形状设置。第一收集罐323以围绕导引壁321的圆环形状设置。第二收集罐325以围绕第一收集罐323的圆环形状设置。第三收集罐327以围绕第二收集罐325的圆环形状设置。78.导引壁321与第一收集罐323之间的空间用作液体经由其引入的第一入口323a。第一收集罐323与第二收集罐325之间的空间用作液体经由其引入的第二入口325a。第二收集罐325与第三收集罐327之间的空间用作液体经由其引入的第三入口327a。第二入口325a可以布置于第一入口323a之上，第三入口327a可以布置于第二入口325a之上。引入第一入口323a中的液体、引入第二入口325a中的液体、及引入第三入口327a中的液体可以是不同类型的液体。79.导引壁321的下部末端与第一收集罐323之间的空间用作第一出口323b，空气及产生自液体的烟气经由第一出口323b排放。第一收集罐323的下部末端与第二收集罐325之间的空间用作第二出口325b，空气及产生自液体的烟气经由第二出口325b排放。第二收集罐325的下部末端与第三收集罐327之间的空间用作第三出口327b，空气及产生自液体的烟气经由第三出口327b排放。从第一出口323b、第二出口325b、及第三出口327b排放的烟气及空气经由下述排气单元370排出至液体处理腔室300外部。80.在向下方向上垂直延伸的收集管线323c、325c及327c连接至收集罐323、325及327中的各者的底表面。收集管线323c、325c及327c中的各者将经由收集罐323、325及327中的各者引入的液体排放。排放的处理液体可以经由外部液体再生系统(未示出)来重新使用。81.支承单元330在处理空间内支承并旋转基板w。支承单元330可以具有旋转卡盘331、支承销333、卡盘销335、旋转轴337、及驱动器339。82.当从顶部观察时，旋转卡盘331具有以大体圆形形状设置的上表面。旋转卡盘331的上表面可以具有比基板w的直径更大的直径。83.设置多个支承销333。支承销333布置于旋转卡盘331的上表面上。支承销333在旋转卡盘331的上表面边缘部分上以预定间隔彼此间隔开。支承销333形成为从旋转卡盘331的上表面向上突出。支承销333通过其组合布置成在整体上具有圆环形状。支承销333支承基板w的后边缘区，使得基板w与旋转卡盘331的上表面以预定距离间隔开。84.设置多个卡盘销335。卡盘销335比支承销333相对远离旋转卡盘331的中心区地布置。卡盘销335从旋转卡盘331的上表面向上突出。卡盘销335支承基板w的侧部，从而在基板w旋转时不会在侧向方向上从常规位置偏离。卡盘销335设置成在旋转卡盘331的径向方向上可以在等待位置与支承位置之间线性移动。等待位置界定为当从转移机械手244接收基板w或基板w移交至转移机械手244时卡盘销335的位置。支承位置界定为当在基板w上执行工艺时卡盘销335的位置。在支承位置中，卡盘销335与基板w的侧部接触。等待位置比支承位置相对远离旋转卡盘331的中心区地布置。85.旋转轴337联接至旋转卡盘331。旋转轴337联接至旋转卡盘331的下表面。旋转轴的纵向方向可以设置成面对第三方向6。旋转轴337设置成通过从驱动器339接收动力而可以旋转。旋转轴337通过驱动器339旋转，且旋转卡盘331经由旋转轴337旋转。驱动器339旋转旋转轴337。驱动器339可以改变旋转轴337的旋转速度。驱动器339可以使提供驱动力的马达。然而，本发明不限于此，且可以对驱动器进行各种修改，并将其设置为提供驱动力的已知装置。86.液体供应单元340将液体供应至基板w。液体供应单元340将液体供应至由支承单元330支承的基板w。多个液体通过液体供应单元340供应至基板w。根据示例性实施方案，通过液体供应单元340供应至基板w的液体可以包括第一液体及第二液体。第一液体及第二液体可以依序供应至基板w。87.液体供应单元340可以包括支承杆341、臂342、驱动器343、第一液体供应喷嘴344、及第二液体供应喷嘴345。88.支承杆341布置于壳体310的内部空间中。支承杆341可以布置于内部空间中处理容器320的一侧中。支承杆341的纵向方向可以具有面对第三方向6的杆状。支承杆341设置成可以通过下述驱动器343旋转。89.臂342联接至支承杆341的上部末端。臂342在支承杆341中的长度方向上垂直延伸。臂342的纵向方向可以在第三方向6上形成。将在下文描述的第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345可以固定联接至臂342的一末端。90.臂342可以设置成在纵向方向上前后移动。臂342可以通过驱动器343旋转支承杆341而经由支承杆341摆动。通过臂342的旋转，第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345也可以摆动，以允许在工艺位置与等待位置之间运动。91.工艺位置可以是第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345中的一者面对由支承单元330支承的基板w的位置。根据示例性实施方案，工艺位置可以是第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345中的一者的中心面对由支承单元330支承的基板w的中心的位置。等待位置可以是第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345两者从工艺位置偏离的位置。92.驱动器343联接至支承杆341。驱动器343可以布置于壳体310的底表面上。驱动器343提供用以旋转支承杆341的驱动力。驱动器343可以作为提供驱动力的已知马达提供。93.第一液体供应喷嘴344在基板w上供应第一液体。第一液体供应喷嘴344可以将第一液体供应至由支承单元330支承的基板w。第一液体可以是移除残留于基板w上的薄膜或异物的液体。根据示例性实施方案，第一液体可以是包括酸或碱的化学品，诸如硫酸(h2so4)、硝酸(hno3)、盐酸(hcl)等。94.第二液体供应喷嘴345在基板w上供应第二液体。第二液体供应喷嘴345将第二液体供应至由支承单元330支承的基板w。根据示例性实施方案，第二液体可以系中和第一液体的液体。根据示例性实施方案，第二液体可以是容易溶解于工艺流体中的液体。此外，第二液体可以是容易溶解于在下述干燥腔室400中使用的超临界流体中的液体。根据示例性实施方案，第二液体可以是比第一液体相对更易溶于下述工艺流体中的液体。根据一个实施方案的第二液体可以提供为纯水及诸如异丙醇(ipa)的醇中的任意者。95.根据本发明的示例性实施方案的液体供应单元340已描述为其中第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345两者均联接至臂342的实施例，但本发明不限于此。举例而言，第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345中的各者可以独立地具有臂、支承杆、及驱动器，并可以独立地向前及向后摆动及移动，以允许在工艺位置与等待位置之间的运动。96.根据本发明的示例性实施方案的液体供应单元340已描述为具有第一液体供应喷嘴344及第二液体供应喷嘴345，但本发明不限于此。举例而言，液体供应单元340可以包括第一液体供应喷嘴344、第二液体供应喷嘴345、及第三液体供应喷嘴346。从第一液体供应喷嘴344供应至基板w的第一液体可以是化学品。从第二液体供应喷嘴345供应至基板w的第二液体可以是纯水。从第三液体供应喷嘴346供应至基板w的第三液体可以是含异丙醇等的有机溶剂。97.提升单元350布置于壳体310的内部空间中。提升单元350调整处理容器320与支承单元330之间的相对高度。提升单元350可以在第三方向6上线性移动处理容器320。因此，由于收集液体的收集罐323、325及327的高度根据供应至基板w的液体的类型而不同，故液体可以经分离并收集。与上述描述不同，处理容器320经固定安装，且提升单元350可以通过垂直移动支承单元330来改变支承单元330与处理容器320之间的相对高度。98.气流供应单元360将气流供应至壳体310的内部空间。气流供应单元360可以供应降流至内部空间。气流供应单元360可以作为风扇过滤器单元设置。气流供应单元360可以安装于壳体310的上部部分上。经由气流供应单元350供应至壳体310的内部空间的气体在内部空间中形成降流。工艺推进期间在处理空间中产生的副产物或类似者通过在内部空间及处理空间中形成的降流经由下述排气单元370排放至壳体310外部。99.排气单元370排出在处理空间中产生的工艺副产物，诸如烟气及气体。在用液体处理基板w期间，通过设置于排气单元370中的减压单元(未图标)产生的诸如烟气及气体的工艺副产物经排出。排气单元370可以联接至处理容器320的底表面。举例而言，排气单元370可以布置于旋转轴337与处理容器320的内壁之间的空间中。100.干燥腔室400使用工艺流体移除残留于基板w上的液体。根据示例性实施方案，干燥腔室400使用超临界流体移除残留于基板w上的第二液体。在干燥腔室400中，使用超临界流体的特性执行超临界工艺。其代表性实施例包括超临界干燥工艺及超临界蚀刻工艺。以下将基于超临界干燥工艺来描述超临界工艺。然而，由于这仅系为了便于描述，故干燥腔室400可以执行除超临界干燥工艺以外的另一超临界工艺。根据示例性实施方案，超临界二氧化碳(scco2)可以用作超临界流体。101.图3是示意性地示出图1的干燥腔室的一实施方案的视图。参考图3，干燥腔室400可以包括壳体410、支承件430、流体供应单元450、排气管线460、及阻挡板470。壳体410提供内部空间401，在内部空间401中在基板w上执行干燥处理。壳体410可以包括第一主体412、第二主体414、及提升构件416。102.第一主体412与第二主体414彼此组合以提供内部空间401。第一主体412可以布置于第二主体414之上。第一主体412的位置是固定的，而第二主体414可以通过下述提升构件416来提升。103.当第二主体414下降并与第一主体412间隔开时，内部空间401打开。当内部空间401打开时，基板w可以带入内部空间401中，或基板w可以从内部空间401带出。带入内部空间401中的基板w可以是已在液体处理腔室300中用液体处理过的基板w。根据示例性实施方案，第二液体可以保留于带入内部空间401中的基板w中。104.当第二主体414上升并与第一主体412紧密接触时，内部空间401经密封。当内部空间401处于密封状态时，可以通过供应工艺流体来对基板w进行干燥处理。105.提升构件416使第二主体414上升及下降。提升构件416可以包括提升罐417及提升杆418。提升罐417可以联接至第二主体414。提升罐417可以在基板w的干燥期间克服高于内部空间401的临界压力的高压，并通过使第一主体412与第二主体414彼此靠近来密封内部空间401。106.提升杆418在垂直方向上产生提升力。举例而言，提升杆418可以产生在第三方向6上移动的力。提升杆418中的长度方向可以在垂直方向上形成。提升杆418的一个末端可以插入提升罐417中。提升杆418的另一末端可以联接至第一主体412。第二主体414可以通过提升罐417与提升杆418之间的相对提升运动在垂直方向上移动。当第二主体414在垂直方向上移动时，提升杆418防止第一主体412及第二主体414在水平方向上移动。提升杆418导引第二主体414的垂直运动方向。提升杆418可以防止第一主体412及第二主体414从常规位置偏离。107.根据上述本发明的示例性实施方案，其已描述第二主体414垂直移动以密封内部空间401，但本发明不限于此。举例而言，第一主体412及第二主体414可以分别在垂直方向上移动。此外，第一主体412可以在垂直方向上移动，而第二主体414的位置可以是固定的。108.与上述实施例不同，壳体410可以设置为单个壳体410，其中在壳体410的一侧处形成开口(未示出)，基板w经由开口带入及带出。可以在壳体410中设置门(未示出)。门(未示出)可以垂直移动以打开及关闭开口(未示出)，并可以保持壳体410密封。109.加热器419可以安装于壳体410中。根据示例性实施方案，加热器419可以嵌入并安装于第一主体412及第二主体414中的至少一者内。加热器419将供应至内部空间401的工艺流体加热至临界温度之上，并将其保持在超临界流体相，或可以在工艺流体经液化时，将工艺流体再次加热至超临界流体相。110.支承件430在内部空间401中支承基板w。支承件430可以固定地安装于第一主体412的下表面上。支承件430可以具有固定杆432及保持器434。111.固定杆432可以固定地安装于第一主体412上，从而从第一主体412的底表面向下突出。固定杆432中的长度方向设置于垂直方向上。可以设置多个固定杆432。多个固定杆432彼此间隔开。当将基板w带入或带出由多个固定杆432围绕的空间时，多个固定杆432布置于其不会干扰基板w的位置中。保持器434联接至固定杆432中的各者。112.保持器434从固定杆432延伸。保持器434可以从固定杆432的下部末端延伸至由固定杆432围绕的空间。保持器434支承基板w的后边缘区。举例而言，基板w的后表面可以是其上未形成图案的表面，而基板w的上表面可以是其上形成有图案的表面。由于上述结构，带入内部空间401中的基板w的边缘区可以放置于保持器434上。此外，基板w的整个上表面区的部分、基板w的底表面的中心区、及基板w的底表面的边缘区可以曝光于供应至内部空间401中的工艺流体。113.流体供应单元450将工艺流体供应至内部空间401。根据一个实施方案的工艺流体可以以超临界状态供应至内部空间401。然而，本发明不限于此，工艺流体可以以气态供应至内部空间401，并在内部空间401中相改变为超临界状态。流体供应单元450可以具有主供应线451、第一分支线452、及第二分支线454。114.主供应线451的一个末端连接至其中储存工艺流体的供应源(未示出)。主供应线451的另一末端分支成第一分支线452及第二分支线454。第一分支线452连接壳体410的上表面。根据示例性实施方案，第一分支线452可以连接至第一主体412。举例而言，第一分支线452可以联接至第一主体412的中心部分。第一分支线452可以布置于放置于支承件430上的基板w的上部中心区中。第一阀453可以安装于第一分支线452上。第一阀453可以提供为打开/关闭阀。工艺流体可以根据第一阀453的打开或关闭选择性地供应至内部空间401。115.第二分支线454连接至壳体410的下表面。根据示例性实施方案，第二分支线454可以连接至第二主体414。举例而言，第二分支线454可以联接至第二主体414的中心部分。第二分支线454可以垂直布置于放置于支承件430上的基板w的中心区之下。第二阀455可以安装于第二分支线454中。第二阀455可以提供为打开/关闭阀。工艺流体可以根据第二阀455的打开或关闭选择性地供应至内部空间401。116.排气管线460排出内部空间401的气氛。排气管线460可以联接至第二主体414。根据示例性实施方案，当从顶部观察时，排气管线460可以从第二主体414的下表面的中心错位。流动经过内部空间401的超临界流体经由排气管线460排放至壳体410外部。117.阻挡板470布置于内部空间401中。阻挡板470可以设置成当从顶部观察时与第二分支线454的出口及排气管线460的入口重迭。阻挡板470可以通过将经由第二分支线454供应的工艺流体朝向基板w直接排放来防止对基板w的损坏。118.阻挡板470可以与壳体410的底表面以预定距离向上间隔开。举例而言，阻挡板470可以由支承件472支承，以在向上方向上与壳体410的底表面间隔开。支承件472可以以杆状提供。可以设置多个支承件472。多个支承件472以预定距离彼此间隔开。119.以下将详细描述根据本发明的示例性实施方案的用于处理基板的方法。下述用于处理基板的方法可以由转移机械手244、液体处理腔室300、及干燥腔室400来执行。此外，控制器30可以通过控制转移机械手244、液体处理腔室300、及干燥腔室400的组件来执行下述用于处理基板的方法。120.图4是根据本发明的一个实施方案的用于处理基板的方法的流程图。参考图4，根据示例性实施方案的用于处理基板的方法包括液体处理步骤s10、转移步骤s20、及干燥步骤s30。依序执行液体处理步骤s10、转移步骤s20、及干燥步骤s30。此外，液体处理步骤s10、转移步骤s20、及干燥步骤s30可以共同界定为清洁工艺。121.在液体处理腔室300中执行液体处理步骤s10。在液体处理步骤s10中，将液体供应至基板w以用液体处理基板w。根据示例性实施方案，液体处理步骤s10可以包括第一液体供应步骤s12及第二液体供应步骤s14。122.在第一液体供应步骤s12中，可以通过将第一液体供应至基板w来处理基板w。第一液体可以是化学品，包括诸如硫酸(h2so4)、硝酸(hno3)及盐酸(hcl)的酸或碱。在第二液体供应步骤s14中，可以通过将第二液体供应至基板w来处理基板w。第二液体可以提供为纯水及诸如异丙醇(ipa)的醇中的任意者。第一液体及第二液体可以依序供应至基板w。123.转移步骤s20由转移机械手244执行。在转移步骤s20中，转移机械手244将基板w从液体处理腔室300转移至干燥腔室400。在转移步骤s20中，将在液体处理腔室300中在其上完成液体处理步骤s10的基板w转移至干燥腔室400。124.干燥步骤s30在干燥腔室400中执行。在转移步骤s20中，将由转移机械手244转移的基板w带入干燥腔室400的内部空间401中。在干燥步骤s30中，将供应至基板w的工艺流体带入干燥腔室400中以移除残留于基板w上的液体。125.以下将参考图5至图16详细描述根据本发明的示例性实施方案的经由液体处理步骤s10、转移步骤s20、及干燥步骤s30处理基板w的工艺。126.图5是示意性示出根据图4的一个实施方案的在第一液体供应步骤中处理基板的状态的视图。参考图5，在第一液体供应步骤s12中，将第一液体l1供应至基板w。在第一液体供应步骤s12中，第一液体供应喷嘴344可以布置于与旋转基板w的中心区相对的区中，且第一液体供应喷嘴344可以将第一液体供应至基板w的中心区。根据示例性实施方案，在第一液体供应步骤s12中，第一液体可以供应至基板的中心。127.图6是根据图4的示例性实施方案的第二液体供应步骤的流程图。图7是示出图6的第二流体供应步骤中基板的旋转速度的示例性实施方案的示意图。图8至图13是依序示出在第二液体供应步骤中包括的各个步骤中处理基板的状态的视图。128.以下将参考图6至图13详细描述在第二液体处理步骤中处理基板w的工艺。129.在第二液体供应步骤s14中，将第二液体l2供应至基板w。在第二液体供应步骤s14中，第二液体供应喷嘴345布置于与旋转基板w的中心区相对的区中，且第二液体供应喷嘴345将第二液体l2供应至基板w的中心区。根据示例性实施方案，在第二液体供应步骤s14中，第二液体l2可以供应至基板w的中心。在第二液体供应步骤s14中，调整基板w的旋转速度，使得供应至基板w的中心区的第二液体l2仅从基板w的中心区流动至基板w的边缘区。130.参考图6，第二液体供应步骤s14可以包括替换步骤s141、补偿步骤s143、及感应步骤s145。感应步骤s145可以包括第一感应步骤s147及第二感应步骤s149。替换步骤s141、补偿步骤s143、及第一感应步骤s147、以及第二感应步骤s149可以在液体处理腔室300中依序执行。131.在替换步骤s141中，将第二液体l2供应至旋转基板w。根据示例性实施方案，在替换步骤s141中，可以将第二液体l2供应至以第一速度v1旋转的基板的中心区。在补偿步骤s143中，将第二液体l2供应至旋转基板w。根据示例性实施方案，可以将第二液体l2供应至以第二速度v2旋转的基板的中心区。132.在感应步骤s145中，可以通过改变基板w的旋转速度来调整供应至基板w的第二液体l2的流动区。根据示例性实施方案，在感应步骤s145中，可以在感应速度范围内改变基板w的旋转速度，以感应供应至基板w的第二液体l2仅流动至基板w的边缘区。133.第一感应步骤s147将第二液体l2供应至旋转基板w。根据示例性实施方案，第一感应步骤s147可以将第二液体l2供应至以第一感应速度v3旋转的基板的中心区。在第二感应步骤s149中，基板w可以旋转。举例而言，在第二感应步骤s149中，可以停止对基板w供应第二液体l2，且基板w可以以第二感应速度v4旋转。134.以下根据参考图7描述的本发明的示例性实施方案的在替换步骤s141、补偿步骤s143、第一感应步骤s147、及第二感应步骤s149中的基板的旋转速度将基于相对数字关系而非绝对值来描述，以便于解释。135.参考图7，在替换步骤s141中，基板w可以以第一速度v1旋转。在补偿步骤s143中，基板w可以以第二速度v2旋转。在第一感应步骤s147中，基板可以以第一感应速度v3旋转。在第二感应步骤s149中，基板w可以以第二感应速度v4旋转。根据示例性实施方案，第一速度v1可以比第二速度v2快。此外，第二速度v2可以比第一感应速度v3快。此外，第一感应速度v3可以比第二感应速度v4快。可选地，第一感应速度v3可以与第二感应速度v4相同。136.参考图8，在替换步骤s141中，将第二液体l2供应至以第一速度v1旋转的基板w，且将在第一液体供应步骤s12中先前供应至基板w的第一液体l1替换为第二液体l2。在替换步骤s141中，可以以不超出基板w的边缘的量将第二液体l2供应至基板w。根据示例性实施方案，可以执行替换步骤s141，直到先前供应至基板的第一液体l1全部由第二液体l2替换。在替换步骤s141完成之后，供应至基板w的上表面的第二液体l2可以具有第一厚度d1。137.参考图9，在补偿步骤s143中，可以将第二液体l2供应至以第二速度v2旋转的基板w，以补偿在替换步骤s141中先前供应的第二液体的量。在补偿步骤s143中，可以将第二液体l2进一步供应至基板w，以增加先前供应至基板的上表面的第二液体l2的厚度。举例而言，在完成补偿步骤s143之后，供应至基板w的上表面的第二液体l2可以具有第二厚度d2。根据示例性实施方案，在补偿步骤s143中供应至基板w的第二液体l2的量可以相对小于在替换步骤s141中供应至基板w的第二液体l2的量。138.在补偿步骤s143中，通过将第二液体l2供应至基板w的上表面来增加先前供应至基板w的第二液体l2的量，但可以调整供应至基板w的第二液体l2的量，使得第二液体l2不会渗透基板w的后表面。此外，在补偿步骤s143中基板w旋转的第二速度v2可以是限制供应至基板w的第二液体l2流动至基板w的后表面的速度。139.参考图10，在第一感应步骤s147中，可以将第二液体l2供应至以第一感应速度v3旋转的基板w。举例而言，在第一感应步骤s147中，可以将第二液体l2供应至包括基板w的中心的区。第一感应速度v3比第一速度v1及第二速度v2慢。供应至相对缓慢旋转的基板w的第二液体l2可以仅在包括基板w的中心的区中流动。140.参考图11及图12，在第二感应步骤s149中，停止对基板w供应第二液体l2，且第二液体供应喷嘴345可以从工艺位置移动至等待位置。在第二感应步骤s149中，基板w可以以第二感应速度v4旋转。第二导入速度v4可以是限制在第一感应步骤s147中先前供应至基板w的第二液体l2渗透至基板w的后表面的速度。也就是说，第二感应速度v4可以是在第一感应步骤s147中先前供应至基板w的中心区的第二液体l2仅流动至基板w的上边缘的速度。因此，在第二感应步骤s149中，基板w可以以等于或低于第一感应速度v3的速度旋转，以允许供应至基板w的中心区的第二液体l2在第一感应步骤s149中流动至基板w的边缘区。举例而言，在第二感应步骤s149中，在第一感应步骤s147中排放至包括基板w的中心的区的第二液体l2可以仅流动至基板w的上边缘区。由于在第二感应步骤s149中基板w以低速旋转，故可以通过离心力形成熔池，在熔池中形成于基板w的中心区中的第二液体l2比形成于基板的边缘区中的第二液体l2相对更厚。141.参考图13，在第二感应步骤s149期间在基板w的中心区流动的第二液体l2逐渐移动至基板w的边缘区。由于基板w在第二感应步骤s149中以第二感应速度v4的缓慢速度旋转，所以供应至基板w的中心区的第二液体l2可以不从基板w的边缘区偏离。此外，由于在第二感应步骤s149期间第二液体l2从基板w的中心区流动至基板w的边缘区，所以在完成第二感应步骤s149之后，基板w的边缘区可以具有比基板w的中心区相对高的第二液体l2厚度。142.图14是示意性示出根据图4的一个实施方案的在转移步骤中转移基板的状态的示意图。参考图14，转移步骤s20由转移机械手244执行。在转移步骤s20中，在液体处理腔室300中在基板w上完成液体处理之后，将基板w从液体处理腔室300转移至干燥腔室400。当基板w由转移机械手244转移时，液体保留于基板w上。根据本发明的示例性实施方案的液体处理步骤s10，当转移机械手244转移基板w时，由于可以使液体渗透至基板w的后表面中最小化，所以液体可以不残留于基板w的后表面中。143.图15及图16是示意性示出根据图4的一实施方案的在干燥步骤中处理基板的状态的视图。参考图15，在干燥步骤s30中，基板w经干燥。在干燥步骤s30中，对在其上完成液体处理步骤s10的基板w进行干燥。举例而言，在干燥步骤s30中，可以移除供应至基板w的第二液体l2。在干燥腔室400中执行干燥步骤s30。在干燥步骤s31中，在内部空间401打开的状态下将基板w转移至支承件430。转移至支承件430的基板w可以是在其上完成第二感应步骤s149的基板w。144.参考图16，当基板w安置于支承件430上时，第一主体412与第二主体414彼此紧密接触，且内部空间401密封于外部。举例而言，当基板w安置于保持器434上且基板w的后边缘区由保持器434支承时，内部空间401切换至密封状态。在密封内部空间401之后，流体供应单元450将工艺流体供应至内部空间401。根据示例性实施方案，流体供应单元450可以将超临界流体供应至内部空间401。通过将工艺流体供应至内部空间401，基板w经干燥。也就是说，通过将工艺流体供应至内部空间401，存在于基板w的上表面上的第二液体l2经移除。145.在密封内部空间401之后，打开第二阀455，使得工艺流体可以先前经由第二分支线454供应至内部空间401。在将工艺流体供应至内部空间401的下部区之后，可以打开第一阀453，使得工艺流体可以经由第一分支线452供应至内部空间401。146.由于基板可以在内部空间401低于临界压力的状态下的初始阶段经干燥，所以供应至内部空间401的工艺流体可以经液化。当在干燥基板的初始阶段经由第一分支线452将工艺流体供应至内部空间401时，工艺流体可以经液化并通过重力而下落至基板w，导致基板w受损。因此，在根据本发明的示例性实施方案的干燥步骤s30中，通过先前经由第二分支线454将工艺流体供应至内部空间401，在内部空间401中的压力达到临界压力之后，开始在第一分支线452中供应工艺流体，接着供应至内部空间401的工艺流体可以经液化，从而使对基板w的损坏最小化。147.在干燥步骤s30的稍后阶段，内部空间401的内部气氛经由排气管线460排出。当内部空间401中的压力降低至临界压力之下时，工艺流体可以经液化。经液化的工艺流体可以通过重力经由排气管线460排出。148.当用液体处理基板w时，供应至基板w的液体具有流动性。在将液体供应至基板w的过程中，供应至基板w的液体可以能从基板w的边缘区偏离并渗透至基板w的后表面中。渗透至基板w的后表面中的液体需要很长时间来自然干燥。此外，当对基板w执行液体处理时，由于基板w通常由支承件支承，所以难以人为地将渗透至基板w的后表面中的液体轻易移除。渗透至基板w的后表面中的液体充当污染源，在执行基板的转移工艺或在转移之后执行其他处理工艺时会污染后续基板。149.根据上述本发明的示例性实施方案，当将液体供应至基板w以执行液体处理时，基板w的旋转速度经改变，以使液体渗透至基板w的后表面中最小化。因此，可以使由于液体渗透至基板w的后表面中而对后续基板的污染最小化。150.具体地，根据本发明的示例性实施方案，在液体处理腔室300中在基板w上执行液体处理之后，将液体处理转移至干燥腔室400，在干燥腔室400中执行干燥处理，以移除供应至基板w的液体。在干燥腔室400中，在支承件430支承基板w的后边缘区的状态下在基板w上执行干燥处理。通过在用液体处理基板w时抑制基板w的后表面上的液体的流动，支承件430可以在干燥腔室400中支承其上没有液体的基板w的后边缘区。因此，在干燥腔室400中可以能发生的污染后续基板w的污染源可以经预先阻断。151.上述详细描述说明了本发明。此外，上述内容示出并描述本发明的示例性实施方案，且本发明可以用于各种其他组合、修改、及环境中。也就是说，上述内容可以在本说明书中揭示的本发明概念的范围内、等效于本公开内容范围的范围内、及/或本领域的技术或知识的范围内进行修改或校正。上述示例性实施方案描述用于实施本发明的技术精神的最佳状态，且在本发明的特定应用领域及用途中所需的各种改变系可以能的。因此，以上对本发明的详细描述并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。此外，随附申请专利范围应解译为也包括其他示例性实施方案。









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