杂环化合物以及包括其的有机发光元件的制作方法 专利技术说明

有机化合物处理,合成应用技术1.本技术案主张于2020年10月8日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请案第10-2020-0130104号的优先权及权益，所述韩国专利申请案的全部内容并入本案供参考。2.本说明书涉及一种杂环化合物以及包括其的有机发光元件。背景技术：3.有机电致发光元件为一种自发光显示元件，且具有视角宽、及响应速度快以及对比度优异的优点。4.有机发光元件具有在两个电极之间设置有机薄膜的结构。当向具有此种结构的有机发光元件施加电压时，自所述两个电极注入的电子及空穴在有机薄膜中结合成对，且当该些电子及空穴湮灭时发光。有机薄膜可根据需要形成单层或多层。5.有机薄膜的材料可根据需要具有发光功能。例如，作为有机薄膜的材料，可使用能够自身单独形成发光层的化合物，或者亦可使用能够发挥基于主体-掺杂剂的发光层的主体或掺杂剂的作用的化合物。除此之外，能够发挥空穴注入、空穴传输、电子阻挡、空穴阻挡、电子传输、电子注入等作用的化合物亦可用作有机薄膜的材料。6.为增强有机发光元件的效能、寿命或效率，一直需要开发有机薄膜材料。7.需要对有机发光元件进行研究，所述有机发光元件包含能够满足可用于有机发光元件中的材料所需条件(例如，满足适当的能级、电化学稳定性、热稳定性等)的化合物，并且具有能够依据取代基执行有机发光元件中所需的各种作用的化学结构。8.现有技术文献9.专利文献10.美国专利第4,356,429号技术实现要素：11.技术问题12.本技术案是有关于杂环化合物以及包括其的有机发光元件。13.技术解决方案14.本技术案的一个实施例提供一种由以下化学式1表示的杂环化合物。15.[化学式1][0016][0017]在化学式1中，[0018]r1与r2彼此相同或不同，并且各自独立地选自由氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”组成的群组，或者二或更多个彼此相邻的基团彼此键结以形成经取代或未经取代的c6至c60脂族或芳族烃环或经取代或未经取代的c2至c60脂族或芳族杂环，[0019]n-het为经取代或未经取代的单环或多环c2至c60杂环基，并且包含一或多个n，[0020]x为o；或者s，[0021]l1至l3彼此相同或不同，并且各自独立地为直接键；经取代或未经取代的c6至c60亚芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60亚杂芳基，[0022]ar1与ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-nr201r202；-p(＝o)rr'；或者-sirr'r”，[0023]a至c为0至4的整数，[0024]m及n为0至3的整数，[0025]当a至c、m及n为2或大于2时，括弧中的取代基彼此相同或不同，且[0026]r201、r202、r、r'及r”彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0027]此外，本技术案的一个实施例提供一种有机发光元件，所述有机发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；以及一或多个有机材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述有机材料层中的一或多个层包含一或多种类型的由化学式1表示的所述杂环化合物。[0028]有利效果[0029]在本说明书中描述的化合物可用作有机发光元件的有机材料层的材料。所述化合物能够在有机发光元件中执行空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料等的作用。具体而言，所述化合物可用作有机发光元件的发光材料。[0030]本公开的杂环化合物是使用二苯并呋喃或二苯并噻吩的核心结构的化合物，并且通过二苯并呋喃或二苯并噻吩的一侧苯环的3号位置被由n-het表示的杂环基取代、并且另一侧苯环被胺系取代基取代，获得了作为双极主体的优异性质。[0031]具体而言，当根据本技术案的杂环化合物的核心结构被胺取代时，胺基的杂原子增强空穴传输基团的空穴注入能力，此增加效率及寿命。附图说明[0032]图1至图3是各自示意性示出根据本技术案的一个实施例的有机发光元件的叠层结构的图式。[0033][符号说明][0034]100:基板[0035]200:阳极[0036]300:有机材料层[0037]301:空穴注入层[0038]302:空穴传输层[0039]303:发光层[0040]304:空穴阻挡层[0041]305:电子传输层[0042]306:电子注入层[0043]400:阴极具体实施方式[0044]在下文中，将详细描述本技术案。[0045]在本说明书中，“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”是指氢原子与碳原子键结。然而，由于氘(2h)是氢的同位素，因此一些氢原子可为氘。[0046]在本技术案的一个实施例中，“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”可指可作为取代基的位置可全部为氢或氘。换言之，由于氘是氢的同位素，因此一些氢原子可为作为同位素的氘，并且在本文中，氘的含量可为0％至100％。[0047]在本技术案的一个实施例中，在“在化学式或化合物结构中未指明取代基的情况”下，当未明确排除氘(例如，氘含量为0％或氢含量为100％)时，氢与氘可混合在化合物中。换言之，不同于氢含量为100％或氘含量为0％，“取代基x为氢”此表达不排除氘，且因此，可指氢与氘混合的状态。[0048]在本技术案的一个实施例中，氘是氢的同位素中的一者，是具有以一个质子及一个中子形成的氘核作为核的元素，并且可表示为氢-2，并且元素符号亦可写成d或2h。[0049]在本技术案的一个实施例中，同位素是指具有相同原子序数(z)但具有不同质量数(a)的原子，且亦可解释为具有相同质子数但具有不同中子数的元素。[0050]在本技术案的一个实施例中，当基本化合物可具有的取代基的总数被定义为t1，并且其中特定取代基的数量被定义为t2时，特定取代基的含量t％的含义可被定义为t2/t1×100＝t％。[0051]换言之，在一个实例中，在由表示的苯基中具有20％的氘含量是指苯基可具有的取代基的总数是5(式中的t1)，并且所述取代基中氘的数量是1(式中的t2)。换言之，在苯基中具有20％的氘含量可由以下结构式表示。[0052][0053]此外，在本技术案的一个实施例中，“苯基的氘含量为0％”可指不包括氘原子的苯基，即具有5个氢原子的苯基。[0054]在本说明书中，卤素可为氟、氯、溴或碘。[0055]在本说明书中，烷基包括具有1至60个碳原子的直链或支链烷基，并且可进一步被其他取代基取代。烷基的碳原子数可为1至60，具体而言为1至40，且更具体而言为1至20。其具体实例可包括甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、第三丁基、第二丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、第三戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并非仅限于此。[0056]在本说明书中，烯基包括具有2至60个碳原子的直链或支链烯基，并且可进一步被其他取代基取代。烯基的碳原子数可为2至60，具体而言为2至40，且更具体而言为2至20。其具体实例可包括乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯基-2-(萘基-1-基)乙烯基-1-基、2,2-双(二苯基-1-基)乙烯基-1-基、二苯乙烯基、苯乙烯基等，但并非仅限于此。[0057]在本说明书中，炔基包括具有2至60个碳原子的直链或支链炔基，并且可进一步被其他取代基取代。炔基的碳原子数可为2至60，具体而言为2至40，且更具体而言为2至20。[0058]在本说明书中，烷氧基可为直链、支链或环状烷氧基。烷氧基的碳原子数不受特别限制，但较佳地为1至20。其具体实例可包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、异丙基氧基、正丁氧基、异丁氧基、第三丁氧基、第二丁氧基、正戊氧基、新戊氧基、异戊氧基、正己氧基、3,3-二甲基丁氧基、2-乙基丁氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、苄氧基、对甲基苄氧基等，但并非仅限于此。[0059]在本说明书中，环烷基包括具有3至60个碳原子的单环或多环环烷基，并且可进一步被其他取代基取代。在本文中，多环是指其中环烷基直接连接至其他环状基团或与其他环状基团稠合的基团。在本文中，其他环状基团可为环烷基，但亦可为不同类型的环状基团，例如杂环烷基、芳基及杂芳基。环烷基的碳基团数可为3至60，具体而言为3至40，且更具体而言为5至20。其具体实例可包括环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-第三丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并非仅限于此。[0060]在本说明书中，杂环烷基包括o、s、se、n或si作为杂原子，包括具有2至60个碳原子的单环或多环杂环烷基，并且可进一步被其他取代基取代。在本文中，多环是指其中杂环烷基直接连接至其他环状基团或与其他环状基团稠合的基团。在本文中，其他环状基团可为杂环烷基，但亦可为不同类型的环状基团，例如环烷基、芳基及杂芳基。杂环烷基的碳原子数可为2至60，具体而言为2至40，且更具体而言为3至20。[0061]在本说明书中，芳基包括具有6至60个碳原子的单环或多环芳基，并且可进一步被其他取代基取代。在本文中，多环是指其中芳基直接连接至其他环状基团或与其他环状基团稠合的基团。在本文中，其他环状基团可为芳基，但亦可为不同类型的环状基团，例如环烷基、杂环烷基及杂芳基。芳基的碳原子数可为6至60，具体而言为6至40，且更具体而言为6至25。芳基的具体实例可包括苯基、联苯基、三苯基、萘基、蒽基、基、菲基、苝基、萤蒽基、联三亚苯基、萉基、芘基、稠四苯基、稠五苯基、茚基、苊基、2,3-二氢-1h-茚基、其稠环基等，但并非仅限于此。[0062]在本说明书中，芴基可被取代，并且相邻的取代基可彼此键结以形成环。[0063]当芴基被取代时，可包括以下结构等，然而，所述结构并非仅限于此。[0064][0065]在本说明书中，杂芳基包括s、o、se、n或si作为杂原子，包括具有2至60个碳原子的单环或多环杂芳基，且可进一步经其他取代基取代。在本文中，多环意指其中杂芳基与其他环状基直接连接或稠合的基团。在本文中，其他环状基可为杂芳基，但亦可为不同类型的环状基，例如环烷基、杂环烷基及芳基。杂芳基的碳原子数可为2至60、具体而言为2至40且更具体而言为3至25。杂芳基的具体实例可包括吡啶基、吡咯基、嘧啶基、哒嗪基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、吡唑基、恶唑基、异恶唑基、噻唑基、异噻唑基、三唑基、呋呫基、恶二唑基、噻二唑基、二噻唑基、四唑基、吡喃基、噻喃基、二嗪基、恶嗪基、噻嗪基、二恶英基(dioxynyl group)、三嗪基、四嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、异喹唑啉基、喹嗪啉基(qninozolinyl group)、萘啶基、吖啶基、菲啶基、咪唑并吡啶基、二氮杂萘基、三氮杂茚基、吲哚基、中氮茚基、苯并噻唑基、苯并恶唑基、苯并咪唑基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、啡嗪基、二苯并硅杂环戊二烯基(dibenzosilole group)、螺环二(二苯并硅杂环戊二烯基)、二氢啡嗪基、啡恶嗪基、菲啶基、咪唑并吡啶基、噻吩基、吲哚并[2,3-a]咔唑基、吲哚并[2,3-b]咔唑基、吲哚啉基、10,11-二氢-二苯并[b,f]氮环庚烯基、9,10-二氢吖啶基、酚嗪基、啡噻嗪基、酞嗪基、萘啶基、啡啉基、苯并[c][1,2,5]噻二唑基、5,10-二氢苯并[b,e][1,4]氮杂硅啉基、吡唑并[1,5-c]喹唑啉基、吡啶并[1,2-b]吲唑基、吡啶并[1,2-a]咪唑并[1,2-e]二氢吲哚基、5,11-二氢茚并[1,2-b]咔唑基等，但并非仅限于此。[0066]在本说明书中，胺基可选自由单烷基胺基；单芳基胺基；单杂芳基胺基；-nh2；二烷基胺基；二芳基胺基；二杂芳基胺基；烷基芳基胺基；烷基杂芳基胺基；及芳基杂芳基胺基组成的群组，且尽管并非特别受限于此，但碳原子数较佳为1至30。胺基的具体实例可包括甲基胺基、二甲基胺基、乙基胺基、二乙基胺基、苯基胺基、萘基胺基、联苯基胺基、二联苯基胺基、蒽基胺基、9-甲基-蒽基胺基、二苯基胺基、苯基萘基胺基、二甲苯基胺基、苯基甲苯基胺基、三苯基胺基、联苯基萘基胺基、苯基联苯基胺基、联苯基芴基胺基、苯基联三亚苯基胺基、联苯基联三亚苯基胺基等，但并非仅限于此。[0067]在本说明书中，亚芳基意指具有两个键结位点的芳基，即二价基团。除了各自为二价基团者之外，以上提供的关于芳基的描述可应用于此。此外，亚杂芳基意指具有两个键结位点的杂芳基，即二价基团。除了各自为二价基团者之外，以上提供的关于杂芳基的描述可应用于此。[0068]在本说明书中，氧化膦基由-p(＝o)r101r102表示，并且r101与r102彼此相同或不同，并且可各自独立地为由氢；氘；卤素基；烷基；烯基；烷氧基；环烷基；芳基；及杂环基中的至少一者形成的取代基。氧化膦的具体实例可包括二苯基氧化膦基、二萘基氧化膦基等，但并非仅限于此。[0069]在本说明书中，硅烷基是包含si、直接连接si原子作为自由基的取代基，并且由-sir104r105r106表示。r104至r106彼此相同或不同，并且可各自独立地为由氢；氘；卤素基；烷基；烯基；烷氧基；环烷基；芳基；及杂环基中的至少一者形成的取代基。硅烷基的具体实例可包括三甲基硅烷基、三乙基硅烷基、第三丁基二甲基硅烷基、乙烯基二甲基硅烷基、丙基二甲基硅烷基、三苯基硅烷基、二苯基硅烷基、苯基硅烷基等，但并非仅限于此。[0070]在本说明书中，“相邻”基团可指取代直接连接至被相应取代基取代的原子上的原子的取代基、空间上最接近相应取代基定位的取代基、或取代被相应取代基取代的原子的另一取代基。例如，取代苯环中邻位的两个取代基、以及取代脂族环中相同碳的两个取代基可被解释为彼此“相邻”的基团。[0071]作为相邻基团可形成的脂族或芳族烃环或杂环，除了并非单价基团者之外，可使用上述被示出为环烷基、环杂烷基、芳基及杂芳基的结构。[0072]在本说明书中，术语“取代”意指键结至化合物的碳原子的氢原子被改变为另一取代基，并且取代的位置不受限制，只要其为氢原子被取代的位置(即取代基能够进行取代的位置)即可，并且当二或更多个取代基进行取代时，所述二或更多个取代基可彼此相同或不同。[0073]在本说明书中，“经取代或未经取代”是指被选自由以下组成的群组中的一或多个取代基取代：c1至c60直链或支链烷基；c2至c60直链或支链烯基；c2至c60直链或支链炔基；c3至c60单环或多环环烷基；c2至c60单环或多环杂环烷基；c6至c60单环或多环芳基；c2至c60单环或多环杂芳基；-sirr'r”；-p(＝o)rr'；及-nrr'，或未经取代，或者经连接选自上述取代基中的二或更多个取代基的取代基取代，或未经取代，且[0074]r、r'及r”彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0075]本技术案的一个实施例提供由化学式1表示的化合物。[0076]在本技术案的一个实施例中，r1与r2彼此相同或不同，并且各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”，或者二或更多个彼此相邻的基团可彼此键结以形成经取代或未经取代的c6至c60脂族或芳族烃环或经取代或未经取代的c2至c60脂族或芳族杂环。[0077]在另一实施例中，r1与r2彼此相同或不同，并且可各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”。[0078]在另一实施例中，r1与r2彼此相同或不同，并且可各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c40烷基；经取代或未经取代的c2至c40烯基；经取代或未经取代的c2至c40炔基；经取代或未经取代的c1至c40烷氧基；经取代或未经取代的c3至c40环烷基；经取代或未经取代的c2至c40杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c40芳基；经取代或未经取代的c2至c40杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”。[0079]在另一实施例中，r1与r2彼此相同或不同，并且可各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c40烷基；经取代或未经取代的c6至c40芳基；经取代或未经取代的c2至c40杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”。[0080]在另一实施例中，r1与r2彼此相同或不同，并且可各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；c1至c40烷基；c6至c40芳基；c2至c40杂芳基；-p(＝o)rr'；及-sirr'r”。[0081]在另一实施例中，r1及r2可为氢。[0082]在本技术案的一个实施例中，x可为o。[0083]在本技术案的一个实施例中，x可为s。[0084]在本技术案的一个实施例中，化学式1可由以下化学式2至化学式5中的任一者表示。[0085][化学式2][0086][0087][化学式3][0088][0089][化学式4][0090][0091][化学式5][0092][0093]在化学式2至化学式5中，[0094]每个取代基具有与化学式1中相同的定义。[0095]在本技术案的一个实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c60杂环基，并且包含一或多个n。[0096]在另一实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c60杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个n。[0097]在另一实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个n。[0098]在另一实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个n。[0099]在另一实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个＝n-键。[0100]在另一实施例中，n-het可为经取代或未经取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个通过双键连接的n。[0101]在本技术案的一个实施例中，在另一实施例中，n-het可为未经取代或经选自由c6至c40芳基；及c2至c40杂芳基组成的群组中的一或多个取代基取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个n。[0102]在另一实施例中，n-het可为未经取代或经选自由c6至c40芳基；及c2至c40杂芳基组成的群组中的一或多个取代基取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个＝n-键。[0103]在另一实施例中，n-het可为未经取代或经选自由c6至c40芳基；及c2至c40杂芳基组成的群组中的一或多个取代基取代的单环或多环c2至c40杂环基，并且包含一或多个及三个或小于三个通过双键连接的n。[0104]在本技术案的一个实施例中，n-het可为经取代或未经取代的嘧啶基；经取代或未经取代的三嗪基；经取代或未经取代的喹唑啉基；经取代或未经取代的苯并[4,5]噻吩并[3,2-d]嘧啶基；经取代或未经取代的啡啉基；或者经取代或未经取代的喹恶啉基。[0105]在本技术案的一个实施例中，n-het可为未经取代或经选自由苯基、联苯基、萘基及二苯并呋喃基组成的群组中的一或多个取代基取代的嘧啶基；未经取代或经选自由苯基、联苯基、萘基、二甲基芴基、二苯并噻吩基、咔唑基及二苯并呋喃基组成的群组中的一或多个取代基取代的三嗪基；未经取代或经苯基、联苯基或萘基取代的喹唑啉基；未经取代或经苯基或萘基取代的苯并[4,5]噻吩并[3,2-d]嘧啶基；未经取代或经苯基取代的啡啉基；或者未经取代或经苯基取代的喹恶啉基。[0106]在本技术案的一个实施例中，n-het可再次经萘基；或者咔唑基取代。[0107]在本技术案的一个实施例中，n-het可由以下化学式1-1至化学式1-5中的任一者表示。[0108][化学式1-1][0109][0110][化学式1-2][0111][0112][化学式1-3][0113][0114][化学式1-4][0115][0116][化学式1-5][0117][0118]在化学式1-1至化学式1-5中，[0119]是指连接至化学式1的位置，[0120]x1至x3彼此相同或不同，并且各自独立地为n或cra，[0121]x4与x5彼此相同或不同，并且各自独立地为n或cra，[0122]x6与x7彼此相同或不同，并且各自独立地为n或cra，[0123]x8与x9彼此相同或不同，并且各自独立地为n或cra，[0124]x10与x11彼此相同或不同，并且各自独立地为n或cra，[0125]x1至x3中的至少一者、x6及x7中的至少一者、x8及x9中的至少一者以及x10及x11中的至少一者为n，[0126]y为o；或者s，[0127]r11至r13彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基，[0128]r21至r24彼此相同或不同，并且各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或经取代或未经取代的c2至c60杂芳基，且[0129]ra为氢；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0130]在本技术案的一个实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0131]在另一实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0132]在另一实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；经取代或未经取代的c6至c40芳基；或者经取代或未经取代的c2至c40杂芳基。[0133]在另一实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；未经取代或经c1至c40烷基、c6至c40芳基或c2至c40杂芳基取代的c6至c40芳基；或未经取代或经c6至c40芳基取代的c2至c40杂芳基。[0134]在另一实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为未经取代或经c1至c40烷基、c6至c40芳基或c2至c40杂芳基取代的c6至c40芳基；或者未经取代或经c6至c20芳基取代的c2至c40杂芳基。[0135]在另一实施例中，r11至r13彼此相同或不同，并且可各自独立地为未经取代或经咔唑基或萘基取代的苯基；联苯基；萘基；三联苯基；二甲基芴基；未经取代或经苯基取代的咔唑基；二苯并呋喃基；或二苯并噻吩基。[0136]在本技术案的一个实施例中，r21至r24彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0137]在另一实施例中，r21至r24彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0138]在另一实施例中，r21至r24彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；氘；经取代或未经取代的c6至c40芳基；或者经取代或未经取代的c2至c40杂芳基。[0139]在另一实施例中，r21至r24彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；氘；c6至c40芳基；或者c2至c40杂芳基。[0140]在另一实施例中，r21至r24彼此相同或不同，并且可各自独立地为氢；或者氘。[0141]在本技术案的一个实施例中，ra可为氢。[0142]在本技术案的一个实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；经取代或未经取代的c6至c60亚芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60亚杂芳基。[0143]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；经取代或未经取代的c6至c40亚芳基；或者经取代或未经取代的c2至c40亚杂芳基。[0144]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；或者经取代或未经取代的c6至c40亚芳基。[0145]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；或者c6至c40亚芳基。[0146]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；或者单环或多环c6至c40亚芳基。[0147]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；单环c6至c10亚芳基；或者多环c10至c40亚芳基。[0148]在另一实施例中，l1至l3彼此相同或不同，并且可各自独立地为直接键；或者亚苯基。[0149]在本技术案的一个实施例中，ar1与ar2彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-nr201r202；-p(＝o)rr'；或者-sirr'r”。[0150]在另一实施例中，ar1与ar2彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c6至c60芳基；经取代或未经取代的c2至c60杂芳基；-nr201r202；-p(＝o)rr'；或者-sirr'r”。[0151]在另一实施例中，ar1与ar2彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c6至c40芳基；经取代或未经取代的c2至c40杂芳基；或者-nr201r202。[0152]在另一实施例中，ar1与ar2彼此相同或不同，并且可各自独立地为未经取代或经c1至c40烷基或c6至c40芳基取代的c6至c40芳基；未经取代或经c6至c40芳基取代的c2至c40杂芳基；或者-nr201r202。[0153]在另一实施例中，ar1与ar2彼此相同或不同，并且可各自独立地为苯基；未经取代或经苯基取代的联苯基；萘基；二苯并呋喃基；二苯并噻吩基；二甲基芴基；螺二芴基；三联苯基；未经取代或经苯基取代的咔唑基；-nr201r202或螺[芴-9,9'-呫吨]。[0154]在本技术案的一个实施例中，r201与r202彼此相同或不同，并且可各自独立地为c6至c60芳基；或者c2至c60杂芳基。[0155]在另一实施例中，r201与r202彼此相同或不同，并且可各自独立地为c6至c40芳基；或者c2至c40杂芳基。[0156]在另一实施例中，r201与r202彼此相同或不同，并且可各自独立地为c6至c20芳基；或者c2至c20杂芳基。[0157]在另一实施例中，r201与r202彼此相同或不同，并且可各自独立地为苯基；联苯基；或萘基。[0158]在本技术案的一个实施例中，化学式1的可由以下化学式1-1-1至化学式1-1-5中的任一者表示。[0159][化学式1-1-1][0160][0161][化学式1-1-2][0162][0163][化学式1-1-3][0164][0165][化学式1-1-4][0166][0167][化学式1-1-5][0168][0169]在化学式1-1-1至化学式1-1-5中，[0170]ar1、l3及c具有与化学式1中相同的定义，并且意指连接至化学式1的位置，[0171]ar12为经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者-nr201r202，[0172]y1为o；s；或者nrb，[0173]y2为o；或者s，[0174]ar21与ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；或者经取代或未经取代的c6至c60芳基，或者彼此相邻的两个基团彼此键结以形成经取代或未经取代的c6至c60芳族烃环，[0175]r31至r38彼此相同或不同，并且各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；及经取代或未经取代的c2至c60杂芳基，[0176]r201及r202具有与化学式1中相同的定义，[0177]rb为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或经取代或未经取代的c2至c60杂芳基，且[0178]p、q及r为0至4的整数。[0179]在本技术案的一个实施例中，ar12可为经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者-nr201r202。[0180]在另一实施例中，ar12可为经取代或未经取代的c6至c40芳基；或者-nr201r202。[0181]在另一实施例中，ar12可为未经取代或经c6至c10芳基取代的c6至c40芳基；或者-nr201r202。[0182]在另一实施例中，ar12可为苯基；萘基；未经取代或经苯基取代的联苯基；三联苯基；菲基；或者-nr201r202。[0183]在本技术案的一个实施例中，rb可为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0184]在另一实施例中，rb可为经取代或未经取代的c6至c60芳基。[0185]在另一实施例中，rb可为经取代或未经取代的c6至c40芳基。[0186]在另一实施例中，rb可为c6至c40芳基。[0187]在另一实施例中，rb可为单环或多环c6至c40芳基。[0188]在另一实施例中，rb可为苯基。[0189]在本技术案的一个实施例中，r31至r38彼此相同或不同，并且可各自独立地选自由以下组成的群组：氢；氘；卤素；氰基；经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c2至c60烯基；经取代或未经取代的c2至c60炔基；经取代或未经取代的c1至c60烷氧基；经取代或未经取代的c3至c60环烷基；经取代或未经取代的c2至c60杂环烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；及经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0190]在另一实施例中，r31至r38可为氢。[0191]在本技术案的一个实施例中，ar21与ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；或者经取代或未经取代的c6至c60芳基，或者彼此相邻的两个基团可彼此键结以形成经取代或未经取代的c6至c60芳族烃环。[0192]在另一实施例中，ar21与ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的c1至c40烷基；或者经取代或未经取代的c6至c40芳基，或者彼此相邻的两个基团可彼此键结以形成经取代或未经取代的c6至c40芳族烃环。[0193]在另一实施例中，ar21与ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为c1至c40烷基；或者c6至c40芳基，或者彼此相邻的两个基团可彼此键结以形成c6至c40芳族烃环。[0194]在另一实施例中，ar21与ar22彼此相同或不同，并且各自独立地为甲基；或者苯基，或者彼此相邻的两个基团可彼此键结以形成芴基环。[0195]在本技术案的一个实施例中，r、r'及r”彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c1至c60烷基；经取代或未经取代的c6至c60芳基；或者经取代或未经取代的c2至c60杂芳基。[0196]在另一实施例中，r、r'及r”彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c6至c60芳基。[0197]在另一实施例中，r、r'及r”彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c6至c60单环或多环芳基。[0198]在另一实施例中，r、r'及r”彼此相同或不同，并且可各自独立地为经取代或未经取代的c6至c40单环芳基。[0199]在另一实施例中，r、r'及r”彼此相同或不同，并且可各自独立地为c6至c20单环芳基。[0200]在另一实施例中，r、r'及r”可为苯基。[0201]根据本技术案的一个实施例，化学式1可由以下化合物中的任一者表示，但并非仅限于此。[0202][0203][0204][0205][0206][0207][0208][0209][0210][0211][0212][0213][0214][0215][0216][0217][0218][0219][0220][0221][0222][0223][0224]此外，通过将各种取代基引入至化学式1中的结构，可合成具有所引入取代基的独特性质的化合物。举例而言，通过将通常用作用于制造有机发光元件的空穴注入层材料、空穴传输层材料、发光层材料、电子传输层材料及电荷产生层材料的取代基引入至核心结构中，可合成满足每一有机材料层所需要的条件的材料。[0225]此外，通过将各种取代基引入化学式1的结构中，可精密地控制能带间隙，且同时增强有机材料之间的介面处的性质，且材料应用可变得多样化。[0226]此外，本技术案的一个实施例提供一种有机发光元件，所述有机发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；以及一或多个有机材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述有机材料层中的一或多个层包含一或多种类型的根据化学式1的杂环化合物。[0227]另一实施例提供一种有机发光元件，所述有机发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；以及一或多个有机材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述有机材料层中的一或多个层包含一种类型的根据化学式1的杂环化合物。[0228]另一实施例提供一种有机发光元件，所述有机发光元件包括：第一电极；第二电极，与所述第一电极相对设置；以及一或多个有机材料层，设置于所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述有机材料层中的一或多个层包含两种类型的根据化学式1的杂环化合物。[0229]由化学式1表示的杂环化合物的具体细节与以上提供的描述相同。[0230]在本技术案的一个实施例中，第一电极可为阳极，且第二电极可为阴极。[0231]在另一实施例中，第一电极可为阴极，且第二电极可为阳极。[0232]在本技术案的一个实施例中，有机发光元件可为蓝色有机发光元件，并且根据化学式1的杂环化合物可用作蓝色有机发光元件的材料。举例而言，根据化学式1的杂环化合物可包含在蓝色有机发光元件的蓝色发光层的主体材料中。[0233]在本技术案的一个实施例中，有机发光元件可为绿色有机发光元件，并且根据化学式1的杂环化合物可用作绿色有机发光元件的材料。举例而言，根据化学式1的杂环化合物可包含在绿色有机发光元件的绿色发光层的主体材料中。[0234]在本技术案的一个实施例中，有机发光元件可为红色有机发光元件，并且根据化学式1的杂环化合物可用作红色有机发光元件的材料。举例而言，根据化学式1的杂环化合物可包含在红色有机发光元件的红色发光层的主体材料中。[0235]除使用上述杂环化合物形成一或多个有机材料层以外，本公开的有机发光元件可使用常见有机发光元件制造方法及材料来制造。[0236]当制造有机发光元件时，所述杂环化合物可通过溶液涂布方法以及真空沉积方法而被形成为有机材料层。在本文中，所述溶液涂布方法意指旋转涂布(spin coating)、浸涂(dip coating)、喷墨印刷(inkjet printing)、网版印刷(screen printing)、喷雾(spray)方法、辊涂(roll coating)及类似方法，但不限于此。[0237]本公开的有机发光元件的有机材料层可被形成为单层结构，或者亦可被形成为其中叠层有二或更多个有机材料层的多层式结构。举例而言，根据本公开的一个实施例的有机发光元件可具有包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及类似层作为有机材料层的结构。然而，有机发光元件的结构不限于此，而是可包括更小数目的有机材料层。[0238]在本公开的有机发光元件中，有机材料层可包括发光层，并且发光层可包含杂环化合物。[0239]在另一有机发光元件中，有机材料层包括发光层，发光层包含主体材料，并且主体材料可包含杂环化合物。[0240]在另一实施例中，包含杂环化合物的有机材料层包含由化学式1表示的杂环化合物作为主体，并且可与其一起使用铱系掺杂剂。[0241]在本公开的有机发光元件中，有机材料层包括电子注入层或电子传输层，并且电子传输层或电子注入层可包含杂环化合物。[0242]在另一有机发光元件中，有机材料层包括电子阻挡层或空穴阻挡层，并且电子阻挡层或空穴阻挡层可包含杂环化合物。[0243]在本公开的有机发光元件中，有机材料层包括空穴传输层，并且空穴传输层可包含杂环化合物。[0244]本公开的有机发光元件可还包括选自由发光层、空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层、电子阻挡层及空穴阻挡层组成的群组中的一、二或更多个层。[0245]图1至图3示出根据本技术案一个实施例的有机发光元件的电极及有机材料层的叠层顺序。然而，本技术案的范围不限于该些图，且此项技术中已知的有机发光元件的结构亦可用于本技术案中。[0246]图1示出其中阳极200、有机材料层300及阴极400连续叠层在基板100上的有机发光元件。然而，所述结构不限于此种结构，且如图2所示，亦可获得其中阴极、有机材料层及阳极连续叠层在基板上的有机发光元件。[0247]图3示出有机材料层为多层的情况。根据图3的有机发光元件包括空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、空穴阻挡层304、电子传输层305及电子注入层306。然而，本技术案的范围不限于此种叠层结构，且根据需要，可不包括除发光层之外的层，并且可进一步添加其他需要的功能层。[0248]根据需要，包含具有化学式1的化合物的有机材料层可还包含其他材料。[0249]在根据本技术案的一个实施例的有机发光元件中，以下示出除了具有化学式1的杂环化合物之外的材料，然而，该些仅用于说明的目的，而非限制本技术案的范围，且可由此项技术中已知的材料替代。[0250]作为阳极材料，可使用具有相对大的功函数的材料，且可使用透明导电氧化物、金属、导电聚合物等。阳极材料的具体实例包括：金属，例如钒、铬、铜、锌、及金，或其合金；金属氧化物，例如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(indium tin oxide，ito)、及氧化铟锌(indium zinc oxide，izo)；金属与氧化物的组合，例如zno:al或sno2:sb；导电聚合物(conductive polymer)，例如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧)噻吩](poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene]，pedot)、聚吡咯、及聚苯胺等，但不限于此。[0251]作为阴极材料，可使用具有相对小的功函数的材料，且可使用金属、金属氧化物、导电聚合物等。阴极材料的具体实例包括：金属，例如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、及铅，或其合金；多层式结构材料，例如lif/al或lio2/al等，但不限于此。[0252]作为空穴注入材料，可使用已知的空穴注入材料，且例如，可使用酞菁化合物，例如在美国专利第4,356,429号中公开的铜酞菁；或星形猝发型胺衍生物，例如在文献[高级材料(advanced material)，6，第677页(1994)]中阐述的三(4-咔唑基-9-基苯基)胺(tcta)、4,4',4”‑三[苯基(间甲苯基)胺基]三苯基胺(m-mtdata)或1,3,5-三[4-(3-甲基苯基苯胺基)苯基]苯(m-mtdapb)、作为具有溶解度的导电聚合物的聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)、聚苯胺/樟脑磺酸或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)等。[0253]作为空穴传输材料，可使用吡唑啉衍生物、芳基胺系衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物等，且亦可使用低分子或高分子材料。[0254]作为电子传输材料，可使用恶二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、二苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物等的金属错合物，且亦可使用高分子材料以及低分子材料。[0255]作为电子注入材料的实例，此项技术中通常使用lif，然而，本技术案不限于此。[0256]作为发光材料，可使用红色、绿色或蓝色发光材料，且根据需要，可混合并使用二或更多种发光材料。在本文中，可通过沉积为单独的供应源或者通过预混合并沉积为一种供应源来使用二或更多种发光材料。此外，萤光材料亦可用作发光材料，然而，亦可使用磷光材料。作为发光材料，可单独使用通过键结分别自阳极及阴极注入的电子及空穴来发光的材料，然而，亦可使用具有一起参与发光的主体材料及掺杂剂材料的材料。[0257]当混合发光材料主体时，可混合相同系列的主体，或者可混合不同系列的主体。例如，可选择n型主体材料或p型主体材料中的任何二或更多种材料，并将其用作发光层的主体材料。[0258]依据所使用的材料，根据本技术案的一个实施例的有机发光元件可为顶部发射型(top-emission type)、底部发射型(bottom-emission type)、或双发射型(dual-emission type)。[0259]根据本技术案一个实施例的杂环化合物亦可在有机发光元件中使用的相似原理之下用于包括有机太阳电池(solar cell)、有机光导体、有机晶体管等在内的有机电子元件中。[0260]在下文中，将参照实例更详细地阐述本说明书，然而该些仅用于说明的目的，且本技术案的范围不限于此。[0261]《制备例1》化合物6的制备[0262][0263]中间物6-2的制备[0264]将7-溴-1-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物6-2(16.8克，72％)。[0265]中间物6-1的制备[0266]将中间物6-2(16.8克，51.1毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.7克，51.1毫摩尔)、pd(pph3)4(2.95克，2.56毫摩尔)及k2co3(21.2克，153毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(170毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物6-1(20.2克，91％)。[0267]化合物6的制备[0268]将中间物6-1(7.00克，16.1毫摩尔)、n-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺(4.35克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及t-buona(3.09克，32.0毫摩尔)引入二甲苯中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物6(8.76克，85％)。[0269]除了使用下表1的a及b作为中间物之外，以与制备例1的化合物6的制备相同的方式合成了以下化合物。[0270][表1][0271][0272][0273][0274]《制备例2》化合物47的制备[0275][0276]中间物47-2的制备[0277]将7-溴-1-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物47-2(16.8克，72％)。[0278]中间物47-1的制备[0279]将中间物47-2(16.8克，72.3毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.7克，51.1毫摩尔)、pd(pph3)4(2.95克，2.56毫摩尔)及k2co3(21.2克，153毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(170毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物47-1(20.2克，91％)。[0280]化合物47的制备[0281]将中间物47-1(7.00克，16.1毫摩尔)，(4-(二(萘-1-基)胺基)苯基)硼酸(6.89克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及naoh(1.28克，32.0毫摩尔)引入二恶烷/h2o(70毫升/20毫升)中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物47(8.85克，74％)。[0282]除了使用下表2的a及b作为中间物之外，以与制备例2的化合物47的制备相同的方式合成了以下化合物。[0283][表2][0284][0285]《制备例3》化合物127的制备[0286][0287]中间物127-2的制备[0288]将7-溴-2-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物127-2(15.9克，68％)。[0289]中间物127-1的制备[0290]将中间物127-2(15.9克，48.4毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.0克，48.4毫摩尔)、pd(pph3)4(2.80克，2.42毫摩尔)及k2co3(20.0克，145毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(160毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物127-1(19.8克，94％)。[0291]化合物127的制备[0292]将中间物127-1(7.00克，16.1毫摩尔)、n-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺(4.35克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及t-buona(3.09克，32.0毫摩尔)引入二甲苯中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物127(6.79克，66％)。[0293]除了使用下表3的a及b作为中间物之外，以与制备例3的化合物127的制备相同的方式合成了以下化合物。[0294][表3][0295][0296]《制备例4》化合物162的制备[0297][0298]中间物162-2的制备[0299]将7-溴-2-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物162-2(15.9克，68％)。[0300]中间物162-1的制备[0301]将中间物162-2(16.8克，72.3毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.7克，51.1毫摩尔)、pd(pph3)4(2.95克，2.56毫摩尔)及k2co3(21.2克，153毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(170毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物162-1(19.8克，94％)。[0302]化合物162的制备[0303]将中间物162-1(7.00克，16.1毫摩尔)、(4-([1,1'-联苯]-4-基(苯基)胺基)苯基)硼酸(6.46克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及naoh(1.28克，32.0毫摩尔)引入二恶烷/h2o(70毫升/20毫升)中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物162(7.95克，68％)。[0304]除了使用下表4的a及b作为中间物之外，以与制备例4的化合物162的制备相同的方式合成了以下化合物。[0305][表4][0306][0307]《制备例5》化合物229的制备[0308][0309]中间物229-2的制备[0310]将7-溴-3-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物229-2(15.9克，68％)。[0311]中间物229-1的制备[0312]将中间物229-2(15.9克，48.4毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.0克，48.4毫摩尔)、pd(pph3)4(2.80克，2.42毫摩尔)及k2co3(20.0克，145毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(160毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物229-1(19.8克，94％)。[0313]化合物229的制备[0314]将中间物229-1(7.00克，16.1毫摩尔)、二([1,1'-联苯]-4-基)胺(5.69克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及t-buona(3.09克，32.0毫摩尔)引入二甲苯中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物229(7.13克，61％)。[0315]除了使用下表5的a及b作为中间物之外，以与制备例5的化合物229的制备相同的方式合成了以下化合物。[0316][表5][0317][0318]《制备例6》化合物259的制备[0319][0320]中间物259-2的制备[0321]将7-溴-3-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物259-2(15.9克，68％)。[0322]中间物259-1的制备[0323]将中间物259-2(16.8克，72.3毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.7克，51.1毫摩尔)、pd(pph3)4(2.95克，2.56毫摩尔)及k2co3(21.2克，153毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(170毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物259-1(19.8克，94％)。[0324]化合物259的制备[0325]将中间物259-1(7.00克，16.1毫摩尔)、(4-([1,1'-联苯]-4-基(苯基)胺基)苯基)硼酸(6.46克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及naoh(1.28克，32.0毫摩尔)引入二恶烷/h2o(70毫升/20毫升)中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物259(7.95克，68％)。[0326]《制备例7》化合物325的制备[0327][0328]中间物325-2的制备[0329]将7-溴-4-氯二苯并[b,d]呋喃(20.0克，71.0毫摩尔)、b2pin2(27.1克，107毫摩尔)、pd(dppf)cl2(5.20克，7.10毫摩尔)及koac(20.9克，213毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物325-2(15.9克，68％)。[0330]中间物325-1的制备[0331]将中间物325-2(15.9克，48.4毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(13.0克，48.4毫摩尔)、pd(pph3)4(2.80克，2.42毫摩尔)及k2co3(20.0克，145毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(160毫升/50毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物325-1(19.8克，94％)。[0332]化合物325的制备[0333]将中间物325-1(7.00克，16.1毫摩尔)、二([1,1'-联苯]-4-基)胺(5.69克，17.7毫摩尔)、pd2dba3(0.74克，0.81毫摩尔)、xphos(0.77克，1.61毫摩尔)及t-buona(3.09克，32.0毫摩尔)引入二甲苯中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物325(7.13克，61％)。[0334]除了使用下表6的a及b作为中间物之外，以与制备例7的化合物325的制备相同的方式合成了以下化合物。[0335][表6][0336][0337]《制备例9》化合物395的制备[0338][0339]中间物395-2的制备[0340]将7-溴-1-氯二苯并[b,d]噻吩(20.0克，67.2毫摩尔)、b2pin2(25.6克，101毫摩尔)、pd(dppf)cl2(4.92克，6.72毫摩尔)及koac(19.8克，202毫摩尔)引入1,4-二恶烷(200毫升)中，并在100℃下搅拌了3小时。趁热对结果进行了过滤，并用dcm洗涤几次。对滤液进行了真空浓缩，且然后进行了硅胶过滤。用meoh对结果进行了洗涤，以获得中间物395-2(19.1克，82％)。[0341]中间物395-1的制备[0342]将中间物395-2(19.0克，55.1毫摩尔)、2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(14.8克，55.1毫摩尔)、pd(pph3)4(3.18克，2.76毫摩尔)及k2co3(22.8克，165毫摩尔)引入1,4-二恶烷/h2o(190毫升/60毫升)中，并在100℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温，进行过滤，且然后用h2o及meoh进行了洗涤以获得中间物395-1(21.3克，86％)。[0343]化合物395的制备[0344]将中间物395-1(7.00克，15.6毫摩尔)、n-苯基-[1,1'-联苯基]-4-胺(4.02克，16.4毫摩尔)、pd2dba3(0.71克，0.78毫摩尔)、xphos(0.74克，1.56毫摩尔)及t-buona(2.99克，31.2毫摩尔)引入二甲苯中，并在150℃下搅拌了2小时。将结果冷却至室温并静置12小时，且对所产生的固体进行了过滤。对结果进行了硅胶过滤，且然后进行了真空浓缩，并对所产生的固体进行了过滤，以获得化合物395(8.50克，83％)。[0345]还以与上述制备例中描述的方法相同的方式制备了除了在制备例1至制备例9及表1至表7中描述的化合物之外的对应于化学式1的杂环化合物。[0346]以上制备的化合物的合成识别数据如下[表8]及[表9]所述。表8示出1h核磁共振(nuclear magnetic resonance，nmr)(cdcl3，200mhz)的测量值，且表9示出fd-质谱(fd-ms：场解吸质谱)的测量值。[0347][表8][0348][0349][0350][表9][0351][0352][0353]《实验例1》-有机发光元件的制造[0354]1)有机发光元件的制造[0355]用蒸馏水超音波对上面氧化铟锡(ito)作为薄膜被涂布至1,500埃厚度的玻璃基板进行了清洗。用蒸馏水清洗完成后，用例如丙酮、甲醇及异丙醇等溶剂对基板进行了超音波清洗，然后干燥，并在紫外线(ultraviolet，uv)清洁器中使用uv将紫外线臭氧(ultraviolet ozone，uvo)处理进行了5分钟。之后，将基板传输至等离体子清洁器(plasma cleaner，pt)，且在真空下进行等离体子处理以达成ito功函数并移除残留膜之后，将基板传输至热沉积设备以进行有机沉积。[0356]在透明ito电极(阳极)上，形成了作为共用层的空穴注入层2-tnata(4,4',4”‑三[2-萘基(苯基)胺基]三苯胺)及空穴传输层npb(n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺)。[0357]如下在其上热真空沉积了发光层。具体而言，通过使用在下表10的实例1至实例42及比较例1至比较例6中描述的每种化合物作为发光层的红色主体、并将红色磷光掺杂剂(piq)2(ir)(acac)以3重量％掺杂至红色主体中而将发光层沉积至500埃的厚度。此后，将浴铜灵(以下称为bcp)沉积至60埃作为空穴阻挡层，且将alq3在其上沉积至200埃作为电子传输层。[0358]最后，通过将氟化锂(lif)沉积至10埃的厚度在电子传输层上形成了电子注入层，且然后通过将铝(al)阴极沉积至1,200埃的厚度在电子注入层上形成了阴极，且因此，制造了有机发光元件。[0359]同时，对于将在有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)制造中使用的每种材料而言，制造oled所需的全部有机化合物在10-8托至10-6托下进行真空升华纯化。[0360]2)有机发光元件的驱动电压及发光效率[0361]对于如上制造的实例1至实例42以及比较例1至比较例6的有机发光元件中的每一者，使用麦克赛恩斯公司(mcscience inc.)制造的m7000测量了电致发光(electroluminescent，el)性质，且利用测量结果，当标准亮度为6,000坎德拉/平方米(cd/m2)时，通过麦克赛恩斯公司制造的寿命测量系统(m6000)测量了t90。t90意指寿命(单位：h，时间)，即变为相对于初始亮度的90％所需的时间。[0362]有机发光元件的测量性质如下表10所示。[0363][表10][0364][0365][0366][0367]根据本技术案的杂环化合物具有将用于有机发光元件的发光层中的合适的分子量及带隙，同时具有高的热稳定性。合适的分子量有助于有机发光元件的发光层的形成，且合适的带隙防止在发光层中损失电子及空穴，由此有助于复合区的有效形成。[0368]换言之，已识别出，芳基胺基在合适的位置经取代的作为根据本技术案的杂环化合物的化合物中，在所述位置取代的芳基胺基的强空穴传输(hole transfer，ht)性质解决了掺杂剂中出现的空穴阻挡(空穴陷阱)现象。此是通过下表11及表12的最高占用分子轨域(highest occupied molecular orbital，homo)/最低未占用分子轨域(lowest unoccupied molecular orbital，lumo)数据识别出的。[0369][表11][0370][0371][0372][表12][0373] s1t1偶极矩实例1-12.692.461.08实例1-22.672.511.60实例1-32.552.380.55实例1-42.702.381.52实例1-52.622.420.60比较例1-12.762.611.20比较例1-22.822.740.93[0374]相较于电子传输(electron transfer，et)基团在另一位置取代的化合物，电子传输基团在合适的位置经取代作为根据本技术案的杂环化合物的化合物具有较低的t1值。一般的红色掺杂剂具有低的t1值，并且认为效率通过易于发生自主体至掺杂剂的能量传输而增加。此外，临限电压可依据电子传输(et)基团的趋势来调整。具体而言，当根据本技术案的杂环化合物的核心结构被胺取代时，胺基的杂原子增强空穴传输基团的空穴注入能力，由此提高效率及寿命。[0375]已识别出，当根据本技术案的杂环化合物的核心结构被胺取代时，胺基的杂原子增强空穴传输基团的空穴注入能力，由此提高效率及寿命。[0376]《实验例2》-有机发光元件的制造[0377]1)有机发光元件的制造[0378]用蒸馏水超音波对上面氧化铟锡(ito)作为薄膜被涂布至1,500埃厚度的玻璃基板进行了清洗。用蒸馏水清洗完成后，用例如丙酮、甲醇及异丙醇等溶剂对基板进行了超音波清洗，然后干燥，并在紫外线(uv)清洁器中使用uv将紫外线臭氧(uvo)处理进行了5分钟。之后，将基板传输至等离体子清洁器(pt)，且在真空下进行等离体子处理以达成ito功函数并移除残留膜之后，将基板传输至热沉积设备以进行有机沉积。[0379]在透明ito电极(阳极)上，形成了作为共用层的空穴注入层2-tnata(4,4',4”‑三[2-萘基(苯基)胺基]三苯胺)及空穴传输层npb(n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺)。[0380]如下在其上热真空沉积了发光层。具体而言，通过使用在下表13的实例1至实例9中描述的每种化合物作为发光层的红色主体、并将红色磷光掺杂剂(piq)2(ir)(acac)以3重量％掺杂至红色主体中而将发光层沉积至500埃的厚度。此后，将浴铜灵(以下称为bcp)沉积至60埃作为空穴阻挡层，且将alq3在其上沉积至200埃作为电子传输层。[0381]最后，通过将氟化锂(lif)沉积至10埃的厚度在电子传输层上形成了电子注入层，且然后通过将铝(al)阴极沉积至1,200埃的厚度在电子注入层上形成了阴极，且因此，制造了有机发光元件。[0382]同时，对于将在oled制造中使用的每种材料而言，制造oled所需的全部有机化合物在10-8托至10-6托下进行真空升华纯化。[0383]2)有机发光元件的驱动电压及发光效率[0384]对于如上制造的表13的实例1至实例9的有机发光元件中的每一者，使用麦克赛恩斯公司制造的m7000测量了电致发光(el)性质，且利用测量结果，当标准亮度为6,000坎德拉/平方米时，通过麦克赛恩斯公司制造的寿命测量系统(m6000)测量了t90。t90意指寿命(单位：h，时间)，即变为相对于初始亮度的90％所需的时间。[0385]有机发光元件的测量性质如下表13所示。[0386][表13][0387][0388][0389]如自表13的结果可见，识别出当混合及沉积根据本技术案的杂环化合物与化合物a及b的杂环化合物作为有机发光元件的有机材料层时，能够适当地调节临限电压及驱动电压，并且在有机发光元件中提高了效率或寿命的效果。[0390]具体而言，识别出当将根据本技术案的杂环化合物与特定的n型主体化合物(如化合物a)结合时，元件寿命得到改善。将具有强电子传输性质的n型主体化合物与具有强空穴传输性质的p型主体化合物结合起到达成元件中电荷平衡的作用，此显著改善了寿命。[0391]此外，当将削弱电子传输基团能力的化合物81或87与具有强电子传输基团能力的化合物6结合时，削弱电子传输基团能力的化合物起到提高元件效率及寿命的电子阻挡层(electron blocking layer，ebl)的作用，并且可通过增加的lumo水准形成合适的临限电压。









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