集成电路及半导体模块的制作方法 专利技术说明

控制;调节装置的制造及其应用技术1.本发明涉及集成电路及半导体模块。背景技术：2.利用半导体带隙电压的基准电压电路已为公众所知(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献3.专利文献1：日本专利特开2005-202704号公报技术实现要素：发明所要解决的技术问题4.在包含双极晶体管的带隙型基准电压电路中，当双极晶体管温度升高时，覆盖集电极端子的n阱区与基板之间有时会产生漏电流。因此，从基准电压电路的基板输出的电流会增大，从基准电压电路输出的电压有时也会上升。5.本发明是鉴于上述以往的问题而提出的，其目的在于提供一种即使在高温下也能够使基准电压电路的输出稳定的集成电路。用于解决技术问题的技术手段6.为了解决上述问题，在本发明的第一方面中，提供一种集成电路，其包括施加电源电压的电源线、电连接到所述电源线的恒定电流源、以及电连接到所述恒定电流源的基准电压电路。7.在本发明的第二方面中，提供一种包括所述集成电路的半导体模块。发明效果8.能提供一种即使在高温下也能够使基准电压电路的输出稳定的集成电路。9.另外，上述发明内容并不是对本发明的所有必要特征进行列举。此外，这些特征组的子组合也可以构成发明。附图说明10.图1表示半导体模块10的结构的一个示例。图2表示电压生成电路40a的电路图的一个示例。图3表示基准电压电路53的电路图的一个示例。图4表示基准电压电路53的双极晶体管87中的漏电流发生的概念图的一个示例。图5表示电压生成电路40a中的电流和电压的温度变化的示意图的一个示例。图6表示比较例的电压生成电路110的电路图的一个示例。图7表示电压生成电路110中的电流和电压的温度变化的示意图的一个示例。图8表示电压生成电路40a的电流im和电压生成电路110的电流ibg的温度变化的示意图的一个示例。图9a表示电压生成电路40c的电路图的一个示例。图9b表示电压生成电路40d的电路图的一个示例。图10a表示电压生成电路40e的电路图的一个示例。图10b表示电压生成电路40f的电路图的一个示例。图10c表示电压生成电路40g的电路图的一个示例。具体实施方式11.[相关申请的相互参照]该申请基于2021年5月14日提交的日本专利申请、特愿2021-082486要求优先权，并援引其内容。[0012]以下通过发明的实施方式对本发明进行说明，但以下的实施方式并不用于对权利要求所涉及的发明进行限定。此外，实施方式中所说明的特征的组合并不全是发明的解决手段所必需的。[0013]在本说明书中，使用术语“电连接”和“连接”，在没有特别指定的情况下，“连接”是指“电连接”。[0014]＝＝＝实施例＝＝＝《《半导体模块10的结构例》图1表示半导体模块10的结构的一个示例。半导体模块10是用于基于设置在外部的微机(未图示)发出的指示来驱动负载11的模块。[0015]半导体模块10使用设置在外部的电源12作为主电源。电源12将电压hv施加到半导体模块10。半导体模块10构成为包括半导体芯片20a、20b、电源21a、21b和集成电路22a、22b。[0016]这里，构成半导体模块10的芯片等中，半导体芯片20a、电源21a和集成电路22a设置在低电平侧，半导体芯片20b、电源21b和集成电路22b设置在高电平侧。另外，本实施方式中，低电平侧电路的结构和高电平侧电路的结构相同，因此，下文以低电平侧电路为中心进行说明。[0017]负载11例如是电动机线圈，通过从设置在半导体芯片20a、20b之间的触点所在的节点输出的电压vout进行驱动。[0018]半导体芯片20a包括驱动负载11的开关元件和测温元件。本实施方式的半导体芯片20a包括igbt(insulated gate bipolar transistor：绝缘栅型双极晶体管)30a作为开关元件，包括igbt30a用的二极管31a作为测温元件。[0019]但设置在半导体芯片20a中的开关元件并不限于igbt30a，开关元件也可以是mos晶体管或双极晶体管。半导体芯片20a还可以包括用于将负载电流流转到igbt 30a的二极管。[0020]电源21a是针对集成电路22a的电源，向电源线l1a施加电源电压vcc1。另外，本实施方式的电源21a由设置在半导体模块10内部的电源电路(未图示出)生成，但是例如也可以从外部提供。[0021]集成电路22a是低耐压集成电路(lvic：low voltage integrated circuit：低压集成电路)，是基于从微机(未图示)输入的信号lin，向igbt 30a的栅电极输出驱动信号lo来控制igbt 30a的电路。集成电路22a具备电压生成电路40a、温度检测电路41a和控制电路42a。[0022]本实施方式的电压生成电路40a是基于电源线l1a的电源电压vcc1生成基准电压vref1的电路。[0023]温度检测电路41a向二极管31a提供规定电流，并且基于二极管31a的正向电压，向控制电路42a输出与igbt30a的温度相应的温度传感信号tsns 1。[0024]控制电路42a基于从微机(未图示)输入的信号lin、基准电压vref1和温度传感信号tsns 1，控制igbt30a的动作。[0025]具体地，控制电路42a基于信号lin控制igbt 30的开关。控制电路42a还基于基准电压vref1和温度传感信号tsns1，检测半导体芯片20a的过热。在检测到半导体芯片20a过热的情况下，控制电路42a例如通过使igbt30a截止，对igbt30a进行过热保护。[0026]作为高电平侧的对应结构，半导体芯片20b具备igbt30b和二极管31b，电源21b向电源线l1b施加电源电压vcc2。集成电路22b具备电压生成电路40b、温度检测电路41b和控制电路42b。[0027]电压生成电路40b与电压生成电路40a同样，向控制电路42b提供基准电压vref2，温度检测电路41b与温度检测电路41a同样，基于二极管31b的正向电压，向控制电路42b输出与igbt30b的温度相应的温度传感信号tsns2。控制电路42b基于从微机(未图示)输入的信号hin、基准电压vref2和温度传感信号tsns2，控制igbt30b的动作。控制电路42b具备将基准电压为gnd的信号hin转换为基准电压为vout的信号的电平转换电路。[0028]由此，电压生成电路40b和温度检测电路41b分别具有与电压生成电路40a和温度检测电路41a相同的功能和结构。因此，下文中，对高电平侧的包括电压生成电路40b、温度检测电路41b和控制电路42b的集成电路22b省略说明。[0029]＜＜电压生成电路40a的结构例＞＞图2表示电压生成电路40a的电路图的一个示例。电压生成电路40a是生成温度补偿后的规定电平的基准电压vref1的电路。本实施方式的电压生成电路40a包括偏置电流源50a、电流镜电路51、电阻52和基准电压电路53。[0030]偏置电流源50a是生成规定的偏置电流ibias的电路。本实施方式的偏置电流源50包括栅极端子和源极端子进行二极管连接的耗尽型mos晶体管61。[0031]这里，偏置电流源50a由单个元件，即耗尽型mos晶体管61构成。因此，通过使用本实施方式的偏置电流源50a，电压生成电路40a的电路尺寸减小。[0032]电流镜电路51是基于偏置电流ibias向基准电压电路53提供恒定电流的电流im的电路。电流镜电路51电连接到被施加电源电压vcc1的电源线l1a。本实施方式的电流镜电路51由流过偏置电流ibias的mos晶体管70和mos晶体管71构成。另外，本实施方式的mos晶体管70、71是pmos晶体管。[0033]在mos晶体管70中，栅极端子和源极端子进行二极管连接。mos晶体管70、71各自的栅极端子彼此电连接。因此，基于流过mos晶体管70的偏置电流ibias从mos晶体管71提供电流im。[0034]电阻52从电流镜电路51的电流im生成用于使基准电压电路53动作的电压vdd1。电阻52的一端电连接到电流镜电路51，另一端电连接到基准电压电路53。[0035]基准电压电路53是基于输入的电流im和电压vdd1输出在其他电路中使用的基准电压vref1的电路。另外，在后面详细阐述，在本实施方式的基准电压电路53中，与输出基准电压vref1的节点不同的节点接地。因此，当在基准电压电路53中没有产生漏电流时，电流ibg变为电流im。[0036]另外，本实施方式的电流镜电路51相当于“恒定电流源”，电流im相当于“第一电流”。另外，mos晶体管70相当于“第一mos晶体管”，mos晶体管71相当于“第二mos晶体管”。另外，电阻52相当于“第一电阻”。[0037]这里，以设为电源电压vcc1、电源线l1a、电源基准电压gnd、以及输出的基准电压vref1的低电平侧的电压生成电路40a为例进行了说明。高电平侧的电压生成电路40b也具有相同的结构，在该情况下，成为替换为电源电压vcc2、电源线l1b、电源基准电压vout、以及输出的基准电压vref2的结构。[0038]＜＜基准电压电路53的结构例＞＞图3表示基准电压电路53的电路图的一个示例。本实施方式的基准电压电路53包括mos晶体管81～84、电阻85和双极晶体管86、87。即，本实施方式的基准电压电路53是包括双极元件的带隙型电路。另外，本实施方式的mos晶体管81、82是pmos晶体管，mos晶体管83、84是nmos晶体管。[0039]在mos晶体管82、83中，栅极端子和源极端子进行二极管连接。mos晶体管81、82构成p沟道的电流镜电路，mos晶体管83、84构成n沟道的电流镜电路。[0040]若电流im从电流镜电路51提供给进行二极管连接的mos晶体管82，则mos晶体管81导通。由此，mos晶体管81基于mos晶体管82中流过的电流输出电流。结果是，mos晶体管81、82分别向mos晶体管83、84提供电流。[0041]此外，若电流被提供给进行二极管连接的mos晶体管83，则mos晶体管84导通。由此，mos晶体管84基于mos晶体管83中流过的电流输出电流。结果是，mos晶体管83向双极晶体管86提供电流，mos晶体管84向电阻85提供电流。[0042]本实施方式中，mos晶体管81、82的尺寸相等，mos晶体管83、84的尺寸相等。因此，来自由mos晶体管83、84构成的电流镜电路的输出电流相等。[0043]因此，从电流镜电路51向mos晶体管81、83提供电流im，mos晶体管81、83视为构成向双极晶体管86提供电流的电流源88。本实施方式的电流源88相当于“第一电流源”。[0044]同样，从电流镜电路51向mos晶体管82、84提供电流im，mos晶体管82、84视为构成向电阻85提供电流的电流源89。此外，电流源89与电流源88并联电连接。本实施方式的电流源89相当于“第二电流源”。[0045]这里，电流源88、89与基于偏置电流ibias生成电流im的电流镜电路51那样的“恒定电流源”不同，电流源88、89是输出电流的大小根据施加到电流源88、89的电源电压vdd1的电平而变化的电流源。即，在本说明书中，“电流源”提供电流，但是与“恒定电流源”的不同之处在于，所提供的电流的大小不是恒定电流。[0046]电阻85的一端连接到mos晶体管84的输出，另一端连接到双极晶体管87的集电极端子。从mos晶体管84向电阻85提供电流，并且电阻85电连接到双极晶体管87。[0047]双极晶体管86、87各自的基极端子电连接到各自的集电极端子，双极晶体管86、87各自的发射极端子接地。[0048]双极晶体管86、87形成各自的基极-发射极间电压不同的结构。具体而言，本实施方式的双极晶体管86由单一的双极晶体管构成，但在双极晶体管87侧并联连接多个双极晶体管。因此，双极晶体管86的基极-发射极间电压大于双极晶体管87的基极-发射极间电压。双极晶体管86、87的基极-发射极间电压均具有正的温度系数。[0049]另外，在本实施方式中，由于来自电流源88、89的电流相等，因此mos晶体管83、84各自的源极端子的电压也相等。因此，电阻85中产生与双极晶体管86的基极-发射极间电压和双极晶体管87的基极-发射极间电压之差相应且温度系数为负的电压。[0050]结果是，mos晶体管84和电阻85连接的节点处产生具有正的温度系数的双极晶体管87的基极-发射极间电压加上具有负的温度系数的电阻85的两端间电压后得到的电压作为基准电压vref1。另外，在本实施方式中，为了使基准电压vref1的温度系数为零，例如调整电阻85的电阻值和双极晶体管87的个数。由此，从基准电压电路53提供温度补偿后的基准电压vref1。[0051]本实施方式的电阻85相当于“第二电流源”。另外，双极晶体管86相当于“第一双极晶体管”，双极晶体管87相当于“第二双极晶体管”。[0052]如上所述，本实施方式的基准电压电路53能够输出温度补偿后的基准电压vref1。但是，若温度升高，则从双极晶体管86、87产生漏电流，基准电压vref1有时会根据温度而较大变动。以下，对双极晶体管86、87中产生的漏电流进行说明。[0053]＜＜在双极晶体管中产生的漏电流＞＞图4表示基准电压电路53的双极晶体管87中的漏电流发生的概念图的一个示例。本实施方式中，在半导体内部，在基板91中设有n阱区92，在n阱区92中设有用于使各端子发挥功能的掺杂扩散区域，从而形成双极晶体管87。本实施方式中，基板91是p-型的导电型。[0054]在n阱区92中的设有集电极端子96的区域周围设有n+集电极区域93，在设有基极端子97的区域周围设有p+基极区域94。而且，在p+基极区域94中，在设有发射极端子98的区域周围设有n+发射极区域95。[0055]在标注了各导电型的区域中，“+”表示掺杂浓度比没有标“+”的区域的要高，“‑”表示掺杂浓度比没有标“‑”的区域要低。[0056]在这样的双极晶体管87中，基板91和n阱区92之间的pn结部分的表面积大。而且，当半导体元件温度升高时，pn结部分的表面积越大，则产生漏电流的可能性越大。因此，在使用双极元件的带隙型基准电压电路53中，减小漏电流是有效的。[0057]在双极晶体管87中，通过减小从集电极端子96流入双极晶体管的电流，即使在高温下也能抑制漏电流。因此，通过减小输入到基准电压电路53的电流im并且降低电压vdd1来抑制漏电流。[0058]另外，由于本实施方式的偏置电流源50a和电流镜电路51不包括双极元件，因此电压生成电路40a构成为不容易从基准电压电路53以外的电路产生漏电流。[0059]另外，在对基准电压电路53中的双极元件的漏电流的机制进行说明时，以双极晶体管87为例进行了说明，但双极晶体管86也会基于相同的机制而可能产生漏电流。由此，本实施方式中的“漏电流”例如是从形成双极晶体管时的n阱区92流向基板91的电流。[0060]＜＜实施例的电压生成电路40a中的电流和电压值的温度变化＞＞图5表示电压生成电路40a中的电流值和电压值的温度变化的示意图的一个示例。在本实施方式中，示出了在改变基准电压电路53的温度t[℃]的情况下，电源电压vcc1、电流ibg、电流im以及基准电压vref1之间的关系。[0061]电流ibg是从基准电压电路53流到接地的电流。由于双极晶体管87的基板91接地，因此在从图4中所说明的基板91流到接地的漏电流变大的情况下，电流ibg变大。[0062]另外，双极晶体管86的基板也接地，即使在双极晶体管86中的漏电流增大的情况下，电流ibg也增大。[0063]温度阈值tth是从基准电压电路53的双极元件流向接地的漏电流产生的温度。这里，在本实施方式中，“漏电流产生”是指例如在形成双极晶体管时的从n阱区92流向基板91的电流(以下称为电流ix)的值是规定温度(例如，25℃)时的电流ix的规定倍(例如，5倍)。[0064]在本实施方式中，漏电流产生的温度阈值tth为100℃，但是根据双极晶体管的结构、基板91和n阱区92的掺杂浓度而变化。因此，温度阈值tth可以不是100℃，而是例如120℃等其他温度。[0065]在电压生成电路40a中，基于偏置电流ibias的较小的恒定电流im从电流镜电路51提供给基准电压电路53。由此，即使在超过温度阈值tth的温度范围内，来自基准电压电路53的漏电流也被抑制，并且电流ibg与电流im大致相同。在温度达到从基准电压电路53流向接地的漏电流产生的规定温度tth以上的情况下，确定电流im使得电流ibg被限制为电流im的值。[0066]即使温度超过温度阈值tth，电流ibg的值也与电流im大致相同。结果，流过电阻85的电流大致恒定而与温度无关。因此，即使在基准电压电路53发生温度变化的情况下，从基准电压电路53生成的基准电压vref1也大致恒定。[0067]在本实施方式中，电阻52设置在电流镜电路51和基准电压电路53之间。因此，提供给基准电压电路53的电压vdd1低于未设置电阻52的情况。由此，基准电压电路53内的各节点处的电压降低，施加到双极晶体管86、87的集电极端子的电压也降低。[0068]若施加到双极晶体管86、87的集电极端子的电压变小，则漏电流也变小。因此，在本实施方式中，能通过降低作为基准电压电路53的电源提供的电压vdd1来进一步减小漏电流。由此，能生成以高精度进行温度补偿后的基准电压vref1。[0069]＝＝＝比较例＝＝＝＜＜比较例的电压生成电路110＞＞图6示出了比较例的电压生成电路110的电路图的一个示例。在下文中，主要描述电压生成电路110与电压生成电路40a的不同之处。[0070]比较例的电压生成电路110不包括电流镜电路51和电阻52。即，比较例的电压生成电路110的基准电压电路53直接电连接到提供电源电压vcc1的电源线l1a。[0071]电流icc1从电源线l1a提供给基准电压电路53。电流icc1相当于“第二电流”。[0072]图7示出了电压生成电路110中的电流和电压的温度变化的示意图的一个示例。示出使基准电压电路53的温度t[℃]变化时的电源电压vcc1、电流ibg、来自电源线l1a的电流icc1和基准电压vref1。[0073]在电压生成电路110中，在超过温度阈值tth的温度范围内，从设置在基准电压电路53中的双极元件产生漏电流。由此，从基准电压电路53朝接地方向流动的电流ibg增大。[0074]在电压生成电路110中没有设置用于限制电流icc1增大的机构。因此，若产生电流ibg，则从电源线l1a提供给基准电压电路53的电流icc1也增大。在超过温度阈值tth的温度范围中的规定温度下，电流icc1的电流值大于电压生成电路40a中的电流im的电流值。[0075]在电压生成电路110中，随着由温度上升引起的电流ibg的增大，从基准电压电路53生成的基准电压vref1也上升。另一方面，与电压生成电路110相比较，图2的电压生成电路40a能够提供温度依赖性更小的基准电压vref1。[0076]＜＜＜实施例中的im与比较例中的ibg的关系＞＞＞图8示出电压生成电路40a的电流im和电压生成电路110的电流ibg的温度变化的示意图的一个示例。在图中，用实线表示电压生成电路40a的电流im的推移，用点划线表示示出电压生成电路110的电流ibg的推移的线。[0077]在电压生成电路110中，由于漏电流的产生，在超过温度阈值tth的温度范围内,电流ibg也增大。另一方面，在电压生成电路40a中，即使在超过温度阈值tth的范围内，电流ibg也被电流im限制。[0078]本实施方式的电压生成电路40a的电流im是足够用于基准电压电路53的动作的电流。然而，如果电流im的值过大，则例如，当电流ibg在温度阈值tth以上的温度下增加时，将无法限制电流ibg。[0079]因此，在本实施方式中，例如，确定电流im的电流值，使得温度阈值tth处的电压生成电路110的ibg的电流值变为电流im的电流值。通过以这种方式设定电流im的值，能可靠地防止基准电压电路53中的漏电流变大。[0080]＝＝＝实施例的变形型＝＝＝＜＜电压生成电路40c的结构＞＞图9a示出电压生成电路40c的电路图的一个示例。以下主要描述电压生成电路40c与电压生成电路40a的不同之处。电压生成电路40c的偏置电流源50b包括齐纳二极管62、电阻63和mos晶体管64。[0081]串联连接的齐纳二极管62和电阻63设置在被施加电源电压vcc1的线l1a和接地之间。这里，由于电源电压vcc1高于齐纳二极管62的齐纳电压，因此mos晶体管64的栅极电压变为齐纳电压。[0082]通过设置这样的齐纳二极管62，即使在电源电压vcc1变动的情况下，也能够对mos晶体管64的栅极端子施加稳定的电压。[0083]电阻63对从电源电压vcc1提供到齐纳二极管62的电流进行调整。电阻63电连接在mos晶体管64的栅极端子和电源线l1a之间。[0084]mos晶体管64基于从齐纳二极管62生成的电压在漏极-源极之间生成偏置电流ibias。另外，由于从齐纳二极管62向mos晶体管64施加稳定的齐纳电压，因此从mos晶体管64输出的偏置电流ibias稳定。[0085]本实施方式的齐纳二极管62是“第二齐纳二极管”的一个示例，而mos晶体管64是“第三mos晶体管”的一个示例。[0086]＜＜电压生成电路40d的结构＞＞图9b示出电压生成电路40d的电路图的一个示例。以下主要描述电压生成电路40d与电压生成电路40a的不同之处。电压生成电路40d的偏置电流源50c还包括进行二极管连接的耗尽型mos晶体管61、齐纳二极管62、电阻63和mos晶体管64。[0087]与图9a的情况同样，串联连接的齐纳二极管62和电阻63设置在施加了电源电压vcc1的线l1a与接地之间。因此，齐纳电压被施加到mos晶体管64。[0088]耗尽型mos晶体管61进行二极管连接，因此用作为使mos晶体管64的漏极-源极之间的电流的大小成为期望的偏置电流ibias的元件。[0089]另外，在本实施方式中，耗尽型mos晶体管61和mos晶体管64作为所谓的源极跟随器而进行动作。因此，对应于齐纳电压的电压被施加到耗尽型mos晶体管61的漏极。因此，即使电源电压vcc1的电平高的情况下，也能生成稳定的偏置电流ibias。[0090]本实施方式的齐纳二极管62是“第二齐纳二极管”的另一示例，而mos晶体管64是“第三mos晶体管”的另一示例。[0091]＜＜电压生成电路40e的结构＞＞图10a示出电压生成电路40e的电路图的一个示例。以下主要描述电压生成电路40e与电压生成电路40a的不同之处。电压生成电路40e包括二极管54以代替电阻52。[0092]二极管54的阳极连接到电流镜电路51，阴极连接到基准电压电路53。若电流镜电路51的mos晶体管71中的漏极-源极间的电压降设为vds，则通过从电源电压vcc1减去电压vds而获得的差分vcc1-vds被施加到二极管54的阳极。[0093]从二极管54的阴极输出与vcc1-vds相比低了正向电压(这里为0.7v)的电压vdd2(＝vcc1-vds-0.7[v])。即使在这种情况下，恒定电流im和用于使基准电压电路53动作的电压vdd2也被提供给基准电压电路53。因此，本实施方式的电压生成电路40e也能改善基准电压电路53的温度特性。[0094]＜＜电压生成电路40f的结构＞＞图10b示出电压生成电路40f的电路图的一个示例。以下主要描述电压生成电路40f与电压生成电路40a的不同之处。电压生成电路40f不包括电阻52而包括齐纳二极管55。[0095]在本实施方式中，齐纳二极管55的阴极连接到电流镜电路51，并且阳极接地，使得基准电压电路53和齐纳二极管55并联连接。因此，齐纳二极管55的齐纳电压vdd3被提供给基准电压电路53。[0096]在这样的电压生成电路40f中，能在向基准电压电路53提供恒定电流的同时，降低使基准电压电路53动作的电压。因此，在本实施方式中，即使在温度发生变化的情况下，也能够使来自基准电压电路53的基准电压vref1稳定。[0097]在本实施方式中，电压生成电路40f也是向基准电压电路53输入作为恒定电流的电流im和作为恒定电压的电压vdd3的电路，基准电压电路53的温度特性稳定。本实施方式的齐纳二极管55相当于“第一齐纳二极管”。[0098]＜＜电压生成电路40g的结构＞＞图10c示出电压生成电路40g的电路图的一个示例。以下主要描述电压生成电路40g与电压生成电路40a的不同之处。[0099]在电压生成电路40g中，基准电压电路53与电流镜电路51的输出中来自mos晶体管71的输出直接电连接。[0100]即使在不设置电阻52的情况下，从电流镜电路51到基准电压电路53的电流im也被限制，因此电压生成电路40g的基准电压vref1的温度变化小于电压生成电路110的基准电压vref1的温度变化。即，与图6的电压生成电路110相比，本实施方式的电压生成电路40g改善了温度特性。[0101]此外，由于电流镜电路51具有内部电阻，因此能通过适当地设定电流镜电路51的内部电阻来降低从电流镜电路51输出的电压vm。因此，如果在能调整内部电阻的情况下，则根据本实施方式也能发挥与设置电阻52的情况相同的效果。[0102]＝＝＝总结＝＝＝以上说明了本实施方式的半导体模块10。例如，如图1所示，半导体模块10的集成电路22a包括电压生成电路40a，该电压生成电路40a电连接至被施加电源电压vcc1的电源线l1a。[0103]例如，如图2所示，在电压生成电路40a中，电流镜电路51向基准电压电路53提供恒定电流。由此，集成电路22a的电压生成电路40a以较小的电路结构，即使在从基准电压电路53输出的vref1的电压值为高温时也能够稳定，能够改善基准电压电路53的温度特性。[0104]例如，如图2所示，电压生成电路40a可以包括电阻52，该电阻52向基准电压电路53提供电压vdd1。由此，集成电路22a的电压生成电路40a的输入到基准电压电路53的电压vdd1也变为低电压，从而能够进一步改善基准电压电路53的温度特性。[0105]例如，如图10a所示，电压生成电路40a可以包括二极管54，该二极管54向基准电压电路53提供电压vdd2。由此，集成电路22a的电压生成电路40a将超过正向电压的电压施加到二极管54，从而电压生成电路40a能改善基准电压电路53的温度特性。[0106]例如，如图10b所示，电压生成电路40a可以包括齐纳二极管55，该齐纳二极管55向基准电压电路53提供电压vdd3。由此，集成电路22a的电压生成电路40a能在齐纳二极管55能够保持击穿状态的范围内改善基准电压电路53的温度特性。[0107]例如，如图3所示，基准电压电路53可以是包括双极晶体管86和双极晶体管87等双极元件的带隙型电路。如图4所示，这样的基准电压电路53的pn结部分的表面积较大，因此减小漏电流是有效的。[0108]例如，如图5所示，确定电流im使得电流ibg被限制为电流im的值。由此，基准电压vref1稳定，并且能改善基准电压电路53的温度特性。[0109]例如，如图7所示，在比温度阈值tth更高温度的情况下，电压生成电路40a的电流镜电路51提供给基准电压电路53的电流im的电流值小于电压生成电路110那样在基准电压电路53连接到电源线l1a的状态下从电源线l1a提供给基准电压电路53的电流icc1的电流值。[0110]如上所述，在集成电路22a的电压生成电路40a中，能将提供给基准电压电路53的电流设计得较小。[0111]例如，如图2所示，集成电路22a的电压生成电路40a可以包括偏置电流源50a。在这种情况下，电压生成电路40a的恒定电流源可以是包括有偏置电流源50a的偏置电流ibias流过的mos晶体管70和向基准电压电路53提供恒定电流im的mos晶体管71但不包括双极晶体管的电流镜电路51。[0112]由此，集成电路22a的电压生成电路40a难以从电流镜电路51产生漏电流，并且容易向基准电压电路53提供恒定电流。因此，能改善基准电压电路53的温度特性。[0113]例如，如图9a或图9b所示，偏置电流源50可以包括齐纳二极管62、基于齐纳二极管62中产生的电压生成偏置电流ibias的mos晶体管64。[0114]由此，即使电源电压vcc1变动的情况下，集成电路22a的电压生成电路40a也能提供稳定的偏置电流ibias。[0115]例如，如图2或图9b所示，偏置电流源50可以包括进行二极管连接的耗尽型mos晶体管61。由此，集成电路22a的电压生成电路40a通过较小的电路结构，即使在低电压下也能够生成期望的偏置电流ibias。[0116]例如，如图3所示，基准电压电路53可以是包括电流源88、电流源89、被提供来自电流源88的电流的双极晶体管86、被提供来自电流源89的电流的电阻85、电连接到电阻85的双极晶体管87，并且输出温度补偿后的基准电压vref1的电路。[0117]在这种情况下，集成电路22a的电压生成电路40a能够在从双极晶体管86和87不产生漏电流的温度范围内，输出补偿了各自温度系数的影响的基准电压vref1。[0118]例如，如图1所示，半导体模块10包括本实施方式的集成电路22。由此，半导体模块10中能使用改善温度特性后的基准电压电路53的基准电压vref1。[0119]以上，使用实施方式说明了本发明，但是本发明的技术范围不限于上述实施方式记载的范围。本领域技术人员明白可以对上述实施方式进行各种变更或改进。从权利要求的记载可知，本发明的技术范围可以包括这种变更或改进的形式及其等同物，而不背离其宗旨。[0120]请注意，对于权利要求书、说明书以及附图中所示的装置、系统、程序、以及方法中的动作、工序、步骤以及阶段等各处理的执行顺序，只要没有特意明示为“之前”、“在先之前”等，或者在后续的处理中使用之前处理的输出，则能以任意的顺序实现。权利要求书、说明书和附图中的动作流程中，为了方便说明，使用了“首先”、“然后”等，但并不意味着一定要按照这样的顺序来实施。标号说明[0121]10半导体模块11负载12电源20半导体芯片21电源22集成电路30igbt31二极管40电压生成电路41温度检测电路42控制电路50偏置电流源51电流镜电路52电阻53基准电压电路54二极管55齐纳二极管61耗尽型mos晶体管62齐纳二极管63电阻64、70、71、81～84mos晶体管85电阻86、87双极晶体管88、89电流源91基板92n阱区93n+集电极区域94p+基极区域95n+发射极区域96集电极端子97基极端子98发射极端子110电压生成电路。









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