一种半导体用高精密T型铜带生产设备及其制备方法与流程 专利技术说明

机械加工,机床金属加工设备的制造及其加工,应用技术一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法技术领域1.本发明涉及铜带生产领域，特别涉及一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法。背景技术：2.高精密t型铜带生产设备是一种进行t型铜带生产加工的支撑设备，主要应用在半导体芯片领域，替代以往的软连接铜接头，安装方便，导电便利，使用年限更长，安全性高，在进行制备的时候，采用生产设备进行一体化制备操作，随着科技的不断发展，人们对于铜带生产设备的制造工艺要求也越来越高。3.现有的高精密t型铜带生产设备在使用时存在一定的弊端，首先，现有的高精密t型铜带生产设备在进行使用的时候结构较为单一，需要使用到多组工位进行加工，装置占地面积较大，不利于人们的使用，还有，在进行使用的时候，铜带生产效果不能很好的达到要求，表面压轧的效果较差，铜带加工精度较低，给人们的使用过程带来了一定的不利影响，为此，我们提出一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法。技术实现要素：4.(一)解决的技术问题5.针对现有技术的不足，本发明提供了一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高，可以有效解决背景技术中的问题。6.(二)技术方案7.为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体用高精密t型铜带生产设备，包括热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构、输送座、精轧座、控制箱与精轧机构，所述热熔炉连接割断机构的位置，所述割断机构连接热轧机构的位置，所述热轧机构连接退火冷却机构的位置，所述退火冷却机构连接输送座与精轧机构的位置，所述输送座连接精轧座的位置，所述控制箱安装在精轧座的边侧。8.作为本技术一种优选的技术方案，所述热熔炉上设置有加热控制箱、显示器、控制器、观察窗、第一出料口、热熔座、密封炉门、热熔箱与门把，所述密封炉门在热熔炉前端进行开合，且密封炉门通过门把进行卡合定位，所述热熔座安装在热熔炉的底部加热。9.作为本技术一种优选的技术方案，所述割断机构上设置有滑道、滑座、驱动气缸、割断结构、第二出料口、观察罩与割断支座，所述滑座在滑道上进行活动，所述驱动气缸驱动割断结构升降活动。10.作为本技术一种优选的技术方案，所述热轧机构上设置有密封隔热板、升降杆、驱动机、热轧板、第三出料口、控制面板、显示面板与热轧支座，所述控制面板与显示面板控制热轧机构内部进行加热，且热轧机构为四连轧的方式，所述驱动机驱动升降杆并带动热轧板高强度热轧。11.作为本技术一种优选的技术方案，所述退火冷却机构上设置有管道、水箱、喷淋管、第四出料口与水洗座，所述水箱连接管道的位置，所述管道连接喷淋管的位置。12.作为本技术一种优选的技术方案，所述精轧机构上设置有吸料驱动缸、吸料机构、精轧驱动缸与精轧板，所述控制箱上设置有检测机构，所述输送座上设置有输送带，所述精轧座上设置有精轧工位，所述吸料机构在吸料驱动缸的底部升降活动，所述精轧板在精轧驱动缸的底部升降活动。13.一种半导体用高精密t型铜带生产设备的制备方法，包括以下操作步骤：14.s1：热熔制胚成型：加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；15.s2：割断加工：将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；16.s3：热轧加工：将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；17.s4：退火处理：将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；18.s5：精轧成型：将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库。19.作为本技术一种优选的技术方案，所述s3步骤中采用四连轧的方式进行热轧操作，所述s5步骤中填充氮气保护。20.(三)有益效果21.与现有技术相比，本发明提供了一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法，具备以下有益效果：该一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法，设有热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构与精轧机构，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高，加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库，整个高精密t型铜带生产设备结构简单，操作方便，使用的效果相对于传统方式更好。附图说明22.图1为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法的整体结构示意图。23.图2为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法中热熔炉的结构示意图。24.图3为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法中割断机构的结构示意图。25.图4为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法中热轧机构的结构示意图。26.图5为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法中退火冷却机构的结构示意图。27.图6为本发明一种半导体用高精密t型铜带生产设备及其制备方法中精轧机构的结构示意图。28.图中：1、热熔炉；2、割断机构；3、热轧机构；4、退火冷却机构；5、输送座；6、精轧座；7、控制箱；8、精轧机构；9、加热控制箱；10、显示器；11、控制器；12、观察窗；13、第一出料口；14、热熔座；15、密封炉门；16、热熔箱；17、门把；18、滑道；19、滑座；20、驱动气缸；21、割断结构；22、第二出料口；23、观察罩；24、割断支座；25、密封隔热板；26、升降杆；27、驱动机；28、热轧板；29、第三出料口；30、控制面板；31、显示面板；32、热轧支座；33、管道；34、水箱；35、喷淋管；36、第四出料口；37、水洗座；38、吸料机构；39、吸料驱动缸；40、精轧驱动缸；41、精轧板；42、检测机构；43、精轧工位；44、输送带。具体实施方式29.下面将结合附图和具体实施方式对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，但是本领域技术人员将会理解，下列所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。30.在本发明的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。31.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。32.如图1-6所示，一种半导体用高精密t型铜带生产设备，包括热熔炉1、割断机构2、热轧机构3、退火冷却机构4、输送座5、精轧座6、控制箱7与精轧机构8，热熔炉1连接割断机构2的位置，割断机构2连接热轧机构3的位置，热轧机构3连接退火冷却机构4的位置，退火冷却机构4连接输送座5与精轧机构8的位置，输送座5连接精轧座6的位置，控制箱7安装在精轧座6的边侧，设有热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构与精轧机构，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高。33.进一步的，热熔炉1上设置有加热控制箱9、显示器10、控制器11、观察窗12、第一出料口13、热熔座14、密封炉门15、热熔箱16与门把17，密封炉门15在热熔炉1前端进行开合，且密封炉门15通过门把17进行卡合定位，热熔座14安装在热熔炉1的底部加热。34.进一步的，割断机构2上设置有滑道18、滑座19、驱动气缸20、割断结构21、第二出料口22、观察罩23与割断支座24，滑座19在滑道18上进行活动，驱动气缸20驱动割断结构21升降活动。35.进一步的，热轧机构3上设置有密封隔热板25、升降杆26、驱动机27、热轧板28、第三出料口29、控制面板30、显示面板31与热轧支座32，控制面板30与显示面板31控制热轧机构3内部进行加热，且热轧机构3为四连轧的方式，驱动机27驱动升降杆26并带动热轧板28高强度热轧。36.进一步的，退火冷却机构4上设置有管道33、水箱34、喷淋管35、第四出料口36与水洗座37，水箱34连接管道33的位置，管道33连接喷淋管35的位置。37.进一步的，精轧机构8上设置有吸料驱动缸39、吸料机构38、精轧驱动缸40与精轧板41，控制箱7上设置有检测机构42，输送座5上设置有输送带44，精轧座6上设置有精轧工位43，吸料机构38在吸料驱动缸39的底部升降活动，精轧板41在精轧驱动缸40的底部升降活动。38.一种半导体用高精密t型铜带生产设备的制备方法，包括以下操作步骤：39.s1：热熔制胚成型：加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；40.s2：割断加工：将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；41.s3：热轧加工：将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；42.s4：退火处理：将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；43.s5：精轧成型：将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库。44.进一步的，s3步骤中采用四连轧的方式进行热轧操作，s5步骤中填充氮气保护。45.工作原理：本发明包括热熔炉1、割断机构2、热轧机构3、退火冷却机构4、输送座5、精轧座6、控制箱7、精轧机构8、加热控制箱9、显示器10、控制器11、观察窗12、第一出料口13、热熔座14、密封炉门15、热熔箱16、门把17、滑道18、滑座19、驱动气缸20、割断结构21、第二出料口22、观察罩23、割断支座24、密封隔热板25、升降杆26、驱动机27、热轧板28、第三出料口29、控制面板30、显示面板31、热轧支座32、管道33、水箱34、喷淋管35、第四出料口36、水洗座37、吸料机构38、吸料驱动缸39、精轧驱动缸40、精轧板41、检测机构42、精轧工位43与输送带44，加入废铜材料以及一定量的锌块到热熔炉的内部进行高温加热操作，熔融并成型为铜块；将热熔成型后的铜块向前输送，通过高强度切割刀进行切断操作，制成指定的尺寸；将割断的铜块向前输送到热轧装置内部，高温加热，且在加热的同时进行压轧操作，制成指定的厚度；将热轧后的铜片继续向前输送，进入到退火冷却装置内部位置，通过喷淋达到快速冷却的效果，且清洗铜带表面的杂质；将退火冷却后的铜带传输到精轧工位，采用压轧的方式对铜带表面进行精细加工，并进行检测，合格后出库，设有热熔炉、割断机构、热轧机构、退火冷却机构与精轧机构，能够方便更好的对铜带进行一体化生产制备，集成度高，装置占地面积较小，铜带成型效果更佳，还可以提高生产精度，铜带使用性能更为优异，合格率更高。46.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二(一号、二号)等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。47.以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。









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