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含金属镀膜半导体组件的检测系统的制作方法 专利技术说明

作者:admin      2023-07-26 11:29:48     490



测量装置的制造及其应用技术1.本技术是关于一种含金属镀膜半导体组件的检测系统,该检测系统是用于半导体组件制程后端的外观瑕疵检测,尤能检测含有金属镀膜的半导体组件。背景技术:2.在半导体组件的制程中,检测与分类是在产品制造完成后相当重要的一环,在目前的受测环节中,是通过对外观瑕疵进行检测的自动化设备,以对封装完成产品的背面与正面撷取其外观影像进行判断,以确保产品出厂后外观上能符合所需的规格。3.半导体组件一般为绿色的背板衬底,因此在进行背面的外观瑕疵检测时,是于表面辅助照射白光,以利于撷取其外观影像后显现背板上的布线的走向与分布,以进一步辨识是否有错位、相连或中断等异常状态,终而可对其产品的良莠进行分类。4.cmos影像传感器(cmos image sensor,cis)的半导体组件需求量倍增,外观瑕疵检测仍是在制程中不可或缺的,由于在此种半导体组件上建置有吸光传感器,若在检测过程中直接于表面照射白光,会影响日后在使用上吸光传感器的收光效能,因此,在其背板衬底上另镀上不透光的金属涂层,以有效的阻隔光源从背面穿透至前面,虽然确保了吸光传感器得以不受到影响,却造成了外观瑕疵检测的困难。5.请参阅图3,其示意图是展现撷取以一般光或白光照射于含有金属涂层51的半导体组件5的外观影像,如图中所示,金属涂层51与布线52的轮廓难以区分,无法轻易的辨识是否有异常状态。6.现阶段对于cis的半导体组件市场需求仍持续扩大,解决检测程序上的问题具急迫性,本技术人以多年来熟稔于半导体组件自动化测试的技术,在该技术领域中不断改良测试,终而完成本技术含金属镀膜半导体组件的检测系统。技术实现要素:7.为能将受测半导体组件在镜头下显著的区分金属涂层与布线,本技术的含金属镀膜半导体组件的检测系统,至少包含:一移载装置,是用于移载一待测组件至一检测位置;一影像捕获设备,是同轴的设置在该检测位置一侧,以撷取该待测组件的一影像;以及一光照组件,是非同轴的设置在该移载装置与该影像捕获设备之间,该光照组件用于提供以一预定角度照射于该待测组件的一红外光。8.由于该光照组件是非同轴的设置在该移载装置与该影像捕获设备之间,使得该红外光在以该预定角度照射于该待测组件时,能准确且有效区分金属涂层与布线,以作为本技术解决已知检测程序问题的方案。9.于一较佳实施例中,该光照组件是使用环形光,且是环设在该影像捕获设备周围。10.于一较佳实施例中,该红外光的波长设定为635nm、640nm、650nm、660nm、670nm、680nm、690nm、700nm、710nm、720nm、730nm、740nm、750nm、760nm、770nm、780nm、790nm、800nm、810nm、820nm、830nm、840nm、850nm、860nm、870nm、880nm、890nm、900nm、910nm、920nm、930nm、940nm。11.于一较佳实施例中,该红外光的波长设定850nm为最佳。12.于一较佳实施例中,该预定角度设定为60度、61度、62度、63度、64度、65度、66度、67度、68度、69度、70度、71度、72度、73度、74度、75度、76度、77度、78度、79度、80度。13.于一较佳实施例中,该预定角度设定70度为最佳。14.于一较佳实施例中,该影像捕获设备是使用黑白相机。15.于一较佳实施例中,该移载装置是通过一自动手臂的控制,该自动手臂的前端部位具有一吸嘴,该吸嘴用于吸取该待测组件并移载至该检测位置。16.于一较佳实施例中,该移载装置是为一载盘,该载盘与该待测组件的背面所相互接触的底面是设置一透明基板,使该影像捕获设备以及该光照组件得以穿透该透明基板,而对该待测组件的背面进行检测。17.有关本技术的其它功效及实施例的详细内容,配合图式说明如下。附图说明18.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术中记载的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图。19.图1a是本技术含金属镀膜半导体组件的检测系统的结构配置平面示意图;20.图1b是本技术含金属镀膜半导体组件的检测系统的多吸嘴结构配置平面示意图;21.图1c是本技术含金属镀膜半导体组件的检测系统的另一实施方式平面示意图;22.图2是本技术含金属镀膜半导体组件的检测系统所撷取的待测组件的影像示意图;23.图3是以一般白光照射待测组件所撷取的影像示意图。24.符号说明25.1:移载装置ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ11:自动手臂26.12:吸嘴ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ13:透明基板27.2:影像捕获设备ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ3:光照组件28.4:待测组件ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ41:金属涂层29.42:布线ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ43:正面30.44:背面ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ5:半导体组件31.51:金属涂层ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ52:布线32.p:检测位置ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀr:红外光33.a:角度具体实施方式34.在下文的实施方式中所述的位置关系,包括:上,下,左和右,若无特别指明,皆是以图式中组件绘示的方向为基准。35.请参阅图1a,为本技术结构配置平面示意图,如图中所示,本实施例的结构配置至少包含一移载装置1、一影像捕获设备2与一光照组件3;36.其中,该移载装置1是用于移载一待测组件4,以将该待测组件4运送至一检测位置p,在该检测位置p上侧的同轴位置是设置该影像捕获设备2,接着在该移载装置1与该影像捕获设备2之间的非同轴位置则设置该光照组件3。而待测组件4是具有正面43及背面44的集成电路组件,其中正面43为表面光滑且为可透光的特性,背面44则具有金属涂层41(metal coating)与布线42(rdl lead)。37.该移载装置1是配置在系统的外围运行,在一种实施例中,该移载装置1是通过一自动手臂11的控制,该自动手臂11携行的方式将采用机器手臂或设置轨道的取放手臂(pick&place handler),而不论是机械手臂还是取放手臂,该自动手臂11的前端部位都包括一组可通过正负压力调整取或放的吸嘴12。如图所示,该吸嘴12可以通过吸取待测组件4的正面43以移载至该检测位置p上的同轴位置,进而提供该影像捕获设备2对该待测组件4的背面44进行检测分析。38.在检测开始之前,该待测组件4通常会正面43朝外依序放置在一载盘(tray)内(图未揭示载盘),该移载装置1将会通过前端吸嘴12吸取待测组件4的正面43,而从载盘上取出至少一颗的待测组件4,并且根据系统设定的路径携行待测组件4移载至该检测位置p上的同轴位置,当到达该检测位置p,该影像捕获设备2以及该光照组件3即依照预定的时间、预定的红外光波长对待测组件4进行取像检测。当前述作业完成后,再次根据系统设定的路径携行完成检测的该待测组件4移载返回载盘置放,完成检测作业。39.请参阅图1b,为了增加检测工作的效率,该吸嘴12通常会被配置成多个,该数量会依据待测组件4的规格及检测系统配置有所不同。举例来说:若待测组件4的规格为10mm x 10mm,该移载装置1即可一次携行四颗待测组件4;倘若待测组件4的规格为较大的20mm x 20mm,那该移载装置1仅一次携行两颗待测组件4,以此类推。而每一个吸嘴12在携行每一批待测组件4分别移载至检测位置p时,完成前一颗待测组件4检测后,只需要控制移载装置1做步进位移即可将次一颗待测组件4于同轴位置就定位,以此类推直到全部的待测组件4检测完毕,此为熟悉该项领域人士做法,故机构控制细节无需多做阐释。40.请参阅图1c,在另外一种实施例中,该移载装置1是直接为一载盘(carrier),在检测开始之前待测组件4同样会以正面43朝外依序放置在载盘内,与前一实施例不同的是本实施例采用将待测组件4放置在载盘内直接进行检测而无需吸嘴的搭配,载盘与待测组件4的背面44接触的底面是设置一透明基板13,该透明基板13采用透明材质,譬如:石英片、玻璃片等,可以让影像捕获设备2以及光照组件3穿透拍摄到待测组件4的背面44。通过现有技术机械机构的配置,载盘可相对的在影像检测装置2同轴位置为中心作x、y轴向位移,相同地只需要完成前一颗待测组件4检测后,控制载盘做位移即可将次一颗待测组件4于同轴位置就定位以此类推直到全部的待测组件4检测完毕,此为熟悉该项领域人士做法,故机构控制细节无需多做阐释。41.在上述实施例中,该影像捕获设备2是使用黑白相机;42.在上述实施例中,该光照组件3是使用环形光,且是环设在该影像捕获设备周围。其中,影像捕获设备2以及光照组件3能够依据不同需求进行y轴方向的调整。譬如:当某一个待测组件在移载装置上由于吸嘴的正负压力微小的差距或待测组件本身制作精度而具有微毫米高度差异等都会影响检测的正确性。43.在上述实施例中,该待测组件4为cmos影像传感器(cmos image sensor,cis),若为感光耦合组件(charge coupled device,ccd)也可适用此配置检测系统进行检测。44.以下为关于系统较佳实施的说明:45.请参阅图1a,在实施单一待测组件检测时,该移载装置1是通过一自动手臂11的控制,利用吸嘴12吸取待测组件4的正面43,接着移载至该检测位置p上的同轴位置,就定位后,该光照组件3是从相对于待测组件4的70度角的角度a发射一波长为850nm的红外光r照射于该待测组件4背面44,再以该影像捕获设备2撷取该待测组件4的影像,通过该影像用以判断该待测组件4的良莠,当完成取像检测后,该移载装置1再次根据系统设定的路径携行完成检测的该待测组件4移载返回预定位置置放。46.请参阅图2,以本技术的检测系统所撷取的该待测组件4的影像示意图,如图中所示,由于该待测组件4为cmos影像传感器或感光耦合组件,二者本身会因金属涂层41(metal coating)会阻挡可见光波段避免可见光穿透,而红外线透射率较高,同时可避免其他可见光的干扰,使得成像的对比度较高,该待测组件4以该红外光r及在特定的70度角度照射下,可让该待测组件4的金属涂层41(metal coating)与布线42(rdl lead)轮廓清楚的成像显露,从而利于区分金属涂层41与布线42,进一步让检测与后续分类作业得以精准完成。47.在上述实施例中,该红外光的波长设定850nm为最佳,而有效的波长范围为635nm~940nm,另外,该角度a设定70度为最佳,而该角度a有效的范围为60度~80度。48.本技术所提供的含金属镀膜半导体组件的检测系统,在使用不同于以往的光源,而以特定条件光对待测组件进行照射下,让待测组件上的金属涂层与布线得以在该影像捕获设备的截取下明显区分,与其他习用技术相互比较时,其优点在于:49.1、仍可保留阻隔光源的金属涂层,避免在检测时影响吸光传感器的效能;50.2、在检测程序时,金属涂层与布线若能明显区分,可有效的确保产品出厂后外观上能符合所需的规格,不因布线的错位、相连或中断等因素而导致半导体组件在使用后短路或断电,提升检测效率与良率。51.本技术已通过上述的实施例揭露如上,仅是本技术部分较佳的实施例选择(例如实施例中所指的待测组件为cmos影像传感器,事实上含金属镀膜的半导体组件仍不断推陈出新,因此,只要是含有金属镀膜的半导体组件均属本技术涵盖的范围),然其并非用以限定本技术,任何熟悉此一技术领域具有通常知识者,在了解本技术前述的技术特征及实施例,并在不脱离本技术的精神和范围内所做的均等变化或润饰,仍属本技术涵盖的范围,而本技术的专利保护范围须视本说明书所附的请求项所界定者为准。52.以上所述的实施例及/或实施方式,仅是用以说明实现本技术技术的较佳实施例及/或实施方式,并非对本技术技术的实施方式作任何形式上的限制,任何本领域技术人员,在不脱离本技术内容所公开的技术手段的范围,当可作些许的更动或修饰为其它等效的实施例,但仍应视为与本技术实质相同的技术或实施例。









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