一种具有色/电双权重调控的人工突触器件 专利技术说明

计算;推算;计数设备的制造及其应用技术1.本发明涉及电子器件领域，特别是一种具有色/电双权重调控的人工突触器件的制备方法。背景技术：2.人脑模式的计算体系将成为未来信息技术发展的一个重要方向，将有可能超越以往的二进制计算体系所使用的冯-诺伊曼型存储器。而构建这个体系需要数以百万亿计的神经仿生电子器件来形成类神经网络。因此，模拟数量如此庞大的神经突触成为构建人造神经网络的至关重要的一步，是神经形态学技术发展和实现人造大脑的重要基础。在中枢神经中，突触将神经元连接成网络，并负责信号的传递。突触权重的可重构是大脑学习记忆的最基本功能。3.最近，人工突触器件表现出与神经突触类似的功能和行为，能够将接收的电脉冲信号加成处理并进行传导，具有非常光明的前景。然而，电导权重的调控是这些人工突触器件突触权重更新的唯一表现形式。与真实生物神经相比，单一电导权重所模拟的突触权重包含的信息不足。开发更多类型的输出信息(如颜色信息)以作为补充突触权重成为研究的难点。此外，由于电脉冲刺激下各种离子的掺杂和去掺杂的复杂性和不确定性，人工突触器件的突触权重更新的弛豫时间界限是模糊的，在处理时序信号时会导致信息混叠或缺失。4.当前技术中，文献“tunable synaptic plasticity in crystallized conjugated polymer nanowire artificial synapses”(doi：10.1002/aisy.201900176，在后文中简称为文献1)的器件结构是由sio2衬底，p3ht纳米线薄膜，au(源/漏)和[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶(栅)组成，利用的是p3ht材料作为p型导电沟道在负脉冲电刺激下实现电导权重的调控；1)但由于衬底材料非透明以及au源/漏电极位置(au源/漏电极处于p3ht纳米线薄膜与离子胶之间，阻挡了质子从离子胶向p3ht纳米线薄膜的注入，p3ht纳米线薄膜变色受阻)的设计缺陷，器件在电刺激的作用下，仅能观察到电导的变化，在au源/漏电极处附近无法观察到颜色的变化；2)此外，由于p3ht纳米线薄膜沟道部分与离子胶直接接触，离子胶中的所有的离子均会在电刺激下注入p3ht沟道并被长时间捕获，因此，在撤去刺激后，离子无法在短时间恢复初始位置，从而导致了器件的电导无法快速恢复，在撤去刺激1分钟后，残留的兴奋性突触后电流仍大于初始值的40％(文献1中图4)。技术实现要素：[0005]本发明的目的为针对现有人工突触器件存在的问题，提供一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。该器件在p3ht纳米线薄膜与[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶之间插入一层薄膜厚度为5～10nm的nafion薄膜，并将au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜下方且被完全覆盖。本发明得到的器件能够在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节，且使这两种权重都具有极短的突触可塑性，在撤去刺激仅1秒后，残留的兴奋性色度完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000。[0006]本发明的技术方案如下:[0007]一种具有色/电双权重调控的人工突触器件，该器件的组成包括：衬底的表面边缘，分别间隔分布有源极和漏极，源极、漏极以及二者之间的衬底表面，都覆盖有纳米线薄膜；纳米线薄膜上依次覆盖有nafion薄膜和离子胶；[0008]所述的衬底的材质为pen或pet等透明衬底；[0009]所述的源极和漏极的材质相同，为金或铜；厚度为30～60nm；[0010]所述的纳米线薄膜的材质为p3ht；厚度为10～20nm；[0011]所述的nafion薄膜厚度为5～10nm；[0012]所述的离子胶的材质为[pvdf-hfp][emim-tfsi]，厚度为5～20μm；[0013]所述的具有色/电双权重调控的人工突触器件的制备方法，该方法包括如下步骤：[0014]步骤1、在衬底表面的两端，分别蒸镀源极和漏极；[0015]步骤2、制备p3ht纳米线薄膜：[0016]将p3ht纳米线溶液以2000～4000rpm/min的转速旋涂在蒸镀有源极和漏极的衬底上，持续25～40s，然后再在110～130℃、氮气氛围下退火10～60min，得到p3ht纳米线薄膜；[0017]其中，p3ht溶液的浓度为1～5mg/ml，溶剂为二氯甲烷和氯苯，二者体积比为1∶1；[0018]将p3ht溶液在50～70℃下加热1～3h后缓慢冷却至室温以形成p3ht纳米线溶液。[0019]旋涂前，将上步得到的蒸镀有源极和漏极的衬底在110～130℃下预热10～120min。[0020]步骤3、在p3ht纳米线薄膜上制备nafion薄膜：[0021]将nafion溶液以2000～4000rpm/min的转速旋涂在p3ht纳米线薄膜上，持续20～40s，得到nafion薄膜；[0022]其中，nafion溶液的浓度为0.5～1wt％，溶剂为水和乙醇，二者体积比为1∶1。[0023]步骤4、在nafion薄膜上加盖[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶：[0024]将1～2mm厚的离子胶覆盖到nafion薄膜上，制得人工突触器件。[0025]所述的具有色/电双权重调控的人工突触器件，当负电刺激下，颜色权重和电导权重作为两种不同的兴奋性突触权重能够同时提高；当负电刺激消除后，两种不同的兴奋性突触权重能够同时降低；[0026]具体为：当施加持续时间为0～1.5s，幅值为0～-4v的电脉冲刺激时，兴奋性灰度色度增益可达到5～28，兴奋性突触后电流增益最高可达到-4.7ma；在撤去上述刺激仅1秒后，残留的兴奋性灰度色度权重可从5～28完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流最高可从-4.7ma降到-1.5μa，低于初始值的1/3000。[0027]本发明的实质性特点为：[0028]以往的所有文献、专利(包括与本专利最相近的文献1)所报道的器件，仅能在电刺激的作用下观察到电导的变化，这种单一电导权重所模拟的突触权重包含的信息不足。并且电导权重的更新恢复时间较长，以文献1为例，在刺激结束之后，器件的电导无法快速恢复，在撤去刺激1分钟后，残留的兴奋性突触后电流仍大于初始值的40％(文献1，图4f)，原因是au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜上方，挡住了p3ht纳米线薄膜变色区域导致无法被观察，且由于p3ht纳米线薄膜直接与离子胶接触，离子胶中大量tfsi阴离子会被p3ht界面态捕获，当负电脉冲信号结束后，这部分被捕获的tfsi阴离子无法在短时间内去掺杂，电导权重无法快速恢复。[0029]而本专利则利用au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜下方，且在p3ht纳米线薄膜与离子胶之间插入一层nafion薄膜的结构，首次实现器件在电刺激的作用下同时观察到电导与色度的变化。色度能作为第二种额外的突触权重，大幅提高输出权重的信号量。此外，该器件能够同时实现对这两种类型的权重双重调节与快速重置，在撤去刺激仅1秒后，残留的兴奋性色度完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000，具有超短时程的突触可塑性。[0030]本发明的有益效果为:[0031]本发明设计了一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。通过对所设计的人工突触器件进行色度与电学表征，证明实验所得的器件在电刺激下能够实现颜色权重与电导权重的双重调节，且两种权重都具有极短的突触可塑性。本实验选用pen透明衬底，且au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜下方且被完全覆盖，保证源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重变化能够被观测。选择p3ht材料作为导电沟道的重要原因是通过质子掺杂与去掺杂能够实现变色与褪色，从而实现颜色权重的稳定调控。通过低温溶剂工艺制备厚度小于20nm的低维p3ht纳米线薄膜，保证空穴载流子在p3ht沟道中高效传输，从而实现电导权重的高效调控。在p3ht纳米线薄膜与[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶之间插入一层薄膜厚度为5～10nm的nafion薄膜，在负电压作用到au漏极，离子胶中亲水且带正电的质子会通过nafion薄膜在靠近au漏极的p3ht纳米线薄膜处积累，而离子胶中疏水的emim阳离子与tfsi阴离子则无法通过nafion薄膜。所述nafion薄膜是器件实现色/电双权重均具有极短突触可塑性的的关键。[0032]颜色权重调控机制是当负电脉冲信号作用到离子胶层，积累在漏极附近的质子向源极方向的p3ht纳米线薄膜扩散，该掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重发生变化；当负电脉冲信号结束后，位于源极附近的质子能在极短时间内返回漏极，该去掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重恢复。[0033]电导权重调控机制是当负电脉冲信号作用到离子胶层，模拟前神经元产生的神经冲动以动作电位的形式传出并通过轴突的分枝到达突触前膜的过程，离子胶中tfsi阴离子会积累在离子胶/nafion薄膜界面处，诱导下层p型的p3ht纳米线薄膜产生更多空穴，p3ht沟道处的电导权重增强；当负电脉冲信号结束后，积累在离子胶/nafion薄膜界面处的tfsi阴离子能在极短时间内返回初始位置，p3ht沟道处的电导权重恢复。[0034]如果器件没有插入nafion薄膜，离子胶中大量tfsi阴离子会被p3ht界面态捕获，当负电脉冲信号结束后，这部分被捕获的tfsi阴离子无法在短时间内去掺杂，电导权重无法快速恢复；被捕获的tfsi阴离子同样影响离子胶/p3ht双电层的内建电场，质子返回漏极过程时受阻，颜色权重也无法快速恢复。[0035]本专利的则能够实现：1)器件在电刺激的作用下，不仅能观察到电导的变化，同时能够观察到色度的变化；2)在刺激结束之后，器件的电导与色度均能快速恢复，在撤去刺激仅1秒后，残留的兴奋性色度完全降为0，而残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000。附图说明[0036]图1为具有色/电双权重调控的人工突触器件的结构示意图；[0037]图2为具有色/电双权重调控的人工突触器件在电脉冲刺激下的兴奋性灰度色度曲线；[0038]图3为具有色/电双权重调控的人工突触器件在撤去电脉冲刺激后的兴奋性灰度色度退化曲线；[0039]图4为具有色/电双权重调控的人工突触器件在电脉冲刺激下的兴奋性突触后电流曲线；[0040]图5为具有色/电双权重调控的人工突触器件在撤去电脉冲刺激后的兴奋性突触后电流退化曲线；具体实施方式：[0041]下面结合附图对本发明的具体实施方式做进一步的详细说明。[0042]如图1所示，为本发明提供的一种具有色/电双权重调控的人工突触器件。本实验选用pen透明衬底，且au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜下方且被完全覆盖，保证源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重变化能够被观测。选择p3ht材料作为导电沟道的重要原因是通过质子掺杂与去掺杂能够实现变色与褪色，从而实现颜色权重的稳定调控。通过低温溶剂工艺制备厚度小于20nm的低维p3ht纳米线薄膜，保证空穴载流子在p3ht沟道中高效传输，从而实现电导权重的高效调控。在p3ht纳米线薄膜与[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶之间插入一层薄膜厚度为5～10nm的nafion薄膜，在负电压作用到au漏极，离子胶中亲水且带正电的质子会通过nafion薄膜在靠近au漏极的p3ht纳米线薄膜处积累，而离子胶中疏水的emim阳离子与tfsi阴离子则无法通过nafion薄膜。所述nafion薄膜是器件实现色/电双权重均具有极短突触可塑性的的关键。[0043]颜色权重调控机制是当负电脉冲信号作用到离子胶层，积累在漏极附近的质子向源极方向的p3ht纳米线薄膜扩散，该掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重发生变化；当负电脉冲信号结束后，位于源极附近的质子能在极短时间内返回漏极，该去掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重恢复。[0044]电导权重调控机制是当负电脉冲信号作用到离子胶层，模拟前神经元产生的神经冲动以动作电位的形式传出并通过轴突的分枝到达突触前膜的过程，离子胶中tfsi阴离子会积累在离子胶/nafion薄膜界面处，诱导下层p型的p3ht纳米线薄膜产生更多空穴，p3ht沟道处的电导权重增强；当负电脉冲信号结束后，积累在离子胶/nafion薄膜界面处的tfsi阴离子能在极短时间内返回初始位置，p3ht沟道处的电导权重恢复。[0045]实施例1[0046]本发明设计了一种具有色/电双权重调控的人工突触器件，包括如下步骤：[0047]步骤1、在pen透明衬底(宽长均为2cm,厚度为0.1mm)上蒸镀au源漏电极：取出50μm厚的掩模版，将其平整地贴合于pen透明衬底表面。将pi耐热胶带切为小段，贴在叉指电极掩模板(叉指电极的宽度为1500μm，长度为40μm，叉指间距为40μm)与基片界面。掩模版将贴合掩模版的基片排列在玻璃平板表面，用pi耐热胶带固定。将玻璃板倒置放入蒸金设备进行物理气相沉积60nm金源漏电极。[0048]步骤2、在au源漏电极上制备p3ht纳米线薄膜：将p3ht充分溶解于二氯甲烷和氯苯(体积比为1∶1)的混合溶剂中(浓度为2mg/ml)。将p3ht溶液在60℃下加热2h后缓慢冷却至室温以形成含有结晶纳米线的纳米线溶液。蒸镀有au源漏电极的pen透明衬底在120℃下预热10min后，将p3ht纳米线溶液以2000rpm/min的转速旋涂在衬底上，持续30s，转入120℃的氮气环境中再退火10min，得到厚度为15nm的p3ht纳米线薄膜。[0049]步骤3、在p3ht纳米线薄膜上制备nafion薄膜：将nafion分散于水和乙醇(体积比为1∶1)的混合溶剂中，得到0.5wt％的nafion溶液。将nafion溶液以2000rpm/min的转速旋涂在p3ht纳米线薄膜上，持续30s，得到厚度为5nm的nafion薄膜。[0050]步骤4、在nafion薄膜上滴涂[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶：将高分子材料pvdf-hfp(即聚(偏二氟乙烯-co-六氟丙烯)溶液与离子液体emim-tfsi(即1-乙基-3-甲基咪唑双三氟甲磺酰亚胺盐)溶液混合后，搅拌5h，得到[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶溶液(其中，高分子pvdf-hfp与离子液体emim-tfsi的质量比为1：4；溶剂均为丙酮；每1克丙酮溶0.25克高分子pvdf-hfp，每1克丙酮溶1克离子液体emim-tfsi)。将800μl的离子胶溶液滴至2cm×2cm的正方形玻璃模具上，转入气压为6pa、温度为60℃的真空烘箱中加热烘干12h后，将烘干后的离子胶从玻璃模具上剥离，得到厚度为2mm的离子胶。将剥离后的[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶加盖到nafion薄膜上，将制备完成的器件置于氮气手套箱中测试。[0051]上面得到人造突触器件由透明衬底，au(源/漏)，p3ht纳米线薄膜，nafion薄膜和[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶(栅)组成。所述的突触器件可以在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节，且使这两种权重都具有极短的突触可塑性，能够模拟生物中突触前膜释放神经递质时不同类型的突触权重变化过程。[0052]为了体现有益效果，进行如下测试：[0053]如图2所示，一种具有色/电双权重调控的人工突触器件在源极接地，漏极电压为-1v，施加1个强度为-4v，持续时间为1.5s的电脉冲刺激的条件下，源极颜色权重采样区域的兴奋性灰度色度变化。所述负电压作用到au漏极，离子胶中亲水且带正电的质子会通过nafion薄膜在靠近au漏极的p3ht纳米线薄膜处积累，而离子胶中疏水的emim阳离子与tfsi阴离子则无法通过nafion薄膜。所述负电脉冲信号作用到离子胶层，积累在漏极附近的质子向源极方向的p3ht纳米线薄膜扩散，该掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重发生变化。该测试条件下，本器件表现出明显的颜色权重变化，兴奋性灰度色度变化达到28。而文献1，没有相关的数据报道。所以，所述的人造突触器件能够实现对颜色权重的有效调控。[0054]如图3所示，一种具有色/电双权重调控的人工突触器件在源极接地，漏极电压为-1v，施加1个强度为-4v，持续时间为1.5s的电脉冲刺激后并撤去该刺激，源极颜色权重采样区域的残留的兴奋性灰度色度随时间的变化。所述负电脉冲信号结束后，位于源极附近的质子能在极短时间内(1s内)返回漏极，该去掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重恢复。该测试条件下，本器件在撤去刺激后仅1s残留的兴奋性灰度色度降为0。而文献1，没有相关的数据报道。所以，所述的人造突触器件具有极短的颜色权重短程可塑性。[0055]如图4所示，一种具有色/电双权重调控的人工突触器件在源极接地，漏极电压为-1v，施加1个强度为-4v，持续时间为1.5s的电脉冲刺激的条件下，漏极输出的兴奋性突触后电流。所述负电压作用到au漏极，负电脉冲信号作用到离子胶层，模拟前神经元产生的神经冲动以动作电位的形式传出并通过轴突的分枝到达突触前膜的过程，离子胶中tfsi阴离子会积累在离子胶/nafion薄膜界面处，诱导下层p型的p3ht纳米线薄膜产生更多空穴，p3ht沟道处的电导权重增强。该测试条件下，本器件表现出明显的电导权重变化，兴奋性突触后电流达到-4.7ma。所以，所述的人造突触器件能够实现对电导权重的有效调控。[0056]如图5所示，一种具有色/电双权重调控的人工突触器件在源极接地，漏极电压为-1v，施加1个强度为-4v，持续时间为1.5s的电脉冲刺激后并撤去该刺激，漏极输出的残留的兴奋性突触后电流随时间的变化.所述负电脉冲信号结束后，积累在离子胶/nafion薄膜界面处的tfsi阴离子能在极短时间内(1s内)返回初始位置，p3ht沟道处的电导权重恢复。该测试条件下，本器件在撤去刺激后仅1s残留的兴奋性突触后电流降为初始值的1/3000；文献1，在刺激结束之后，器件的电导无法快速恢复，在撤去刺激1分钟后，残留的兴奋性突触后电流仍大于初始值的40％(文献1，图4f)。所以，所述的人造突触器件具有极短的电导权重短程可塑性。[0057]所述的色度的值范围：0～255中，0为纯黑，255为纯白。[0058]实施例2[0059]其他步骤同实施例1，不同之处为将nafion(0.5wt％)分散于水和乙醇(体积比为1∶1)的混合溶剂中改为将nafion(1wt％)分散于水和乙醇(体积比为1∶1)的混合溶剂。[0060]实施例3[0061]其他步骤同实施例1，不同之处为将高分子pvdf-hfp与离子液体emim-tfsi的质量比为1：4；溶剂均为丙酮；每1克丙酮溶0.25克高分子pvdf-hfp，每1克丙酮溶1克离子液体emim-tfsi改为高分子pvdf-hfp与离子液体emim-tfsi的质量比为1：2；溶剂均为丙酮；每1克丙酮溶0.25克高分子pvdf-hfp，每1克丙酮溶0.5克离子液体emim-tfsi[0062]通过以上实施例可以看到，为了实现器件在电刺激的作用下对电导与色度两种权重的双重调控与快速重置，本发明做了如下改进：[0063]1)文献1中，选用的是深色不透明的sio2衬底，背景颜色太深无法观察颜色权重变化；本专利选用pen透明衬底，保证源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重变化能够被观测。[0064]2)文献1中，au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜上方，挡住了p3ht纳米线薄膜变色区域导致无法被观察；本专利au源漏电极处于p3ht纳米线薄膜下方且被完全覆盖，保证源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重变化能够被观测。[0065]3)文献1中，选择p3ht材料作为导电沟道只是单纯因为p3ht是一种性能良好且稳定的空穴传输材料，该材料是可以被替换的；本专利选择p3ht材料作为导电沟道不仅因为其空穴传输性能良好，更重要的原因是通过质子掺杂与去掺杂能够实现变色与褪色，从而实现颜色权重的稳定调控。且通过低温溶剂工艺制备厚度小于20nm的低维p3ht纳米线薄膜，保证空穴载流子在p3ht沟道中高效传输，从而实现电导权重的高效调控，输出的兴奋性的突触后电流高达-4.7ma(图4)。同时满足毫安级突触后电流输出和稳定的质子掺杂/去掺杂所诱导的电致变色特性的p型有机半导体仅有p3ht。[0066]4)本专利选用[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶，该离子胶包含了能使p3ht纳米线薄膜变色的质子和能诱导p3ht纳米线薄膜产生大量空穴载流子的tfsi阴离子。[0067]5)文献1中，没有加入nafion层，因此[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶中的所有的离子均会在电刺激下注入p3ht并被长时间捕获，因此，在撤去刺激后，离子无法在短时间恢复初始位置，从而导致了残留的兴奋性突触后电流长时间维持在一个较大的值；本专利在p3ht纳米线薄膜与[pvdf-hfp][emim-tfsi]离子胶之间插入一层薄膜厚度为5～10nm的nafion薄膜(若nafion小于5nm挡不住离子的注入，若nafion大于10nm会削弱tfsi阴离子对p3ht沟道空穴载流子的诱导)仅在该厚度下才能保证：1.当在负电压作用到au漏极，离子胶中亲水且带正电的质子会通过nafion薄膜在靠近au漏极的p3ht纳米线薄膜处积累，而离子胶中疏水的emim阳离子与tfsi阴离子则无法通过nafion薄膜；2.当在负刺激作用到离子胶时，tfsi阴离子能够聚集在离子胶与nafion的界面处，且有效诱导p3ht沟道中兴奋性突触后电流的产生，但由于nafion的屏蔽阴离子无法注入p3ht，因此一旦撤去刺激后，离子能在短时间恢复初始位置，残留的兴奋性突触后电流在极短时间内衰退。[0068]所述的nafion薄膜适用于晶体管结构的突触器件才能实现色/电双权重调控，具体机制如下：1.负电压作用到au漏极，离子胶中亲水且带正电的质子会通过nafion薄膜在靠近au漏极的p3ht纳米线薄膜处积累，而离子胶中疏水的emim阳离子与tfsi阴离子则无法通过nafion薄膜；2.在负电压作用到au漏极的基础上，当负电脉冲信号作用到离子胶层，积累在漏极附近的质子向源极方向的p3ht纳米线薄膜扩散，该掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重发生变化；离子胶中tfsi阴离子会积累在离子胶/nafion薄膜界面处，诱导下层p型的p3ht纳米线薄膜产生更多空穴，p3ht沟道处的电导权重增强；3.当负电脉冲信号结束后，位于源极附近的质子能在极短时间内返回漏极，该去掺杂过程使源极附近的p3ht纳米线薄膜颜色权重恢复；积累在离子胶/nafion薄膜界面处的tfsi阴离子能在极短时间内返回初始位置，p3ht沟道处的电导权重恢复。[0069]通过以上实施例和分析可以得出，本发明设计了本研究将对一种具有色/电双权重调控的人工突触器件进行系统性研究。得到具有科学指导意义的具有规律性的结论，其对本领域器件材料选择与结构设计方面具有重要的指导意义。所述的突触器件可以在电刺激下同时实现颜色权重与电导权重的双重调节，且使这两种权重都具有极短的突触可塑性，能够模拟生物中突触前膜释放神经递质时不同类型的突触权重变化过程。相比于仅具有电导权重的调控能力的传统人工突触，本发明拓展了人工突触器件权重调控的多样性，为突触短程可塑性的实现提供了新的技术路线，在神经仿生电子器件领域有广泛的应用价值。[0070]本发明未尽事宜为公知技术。









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